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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
pzu9.1bl，315	0.0300	RFQ	92	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU9.1BL，315-954			1													1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V				9.1 v	10欧姆
BCM847DS，115	0.0700	RFQ	6217	NXP半导体	*	大部分	积极的					BCM847				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCM847DS，115-954			1,750
PBSS5520X，135	-	RFQ	7885	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2.5 w	SOT-89	-				2156-PBSS5520X，135			1															20 v	5 a	100NA（ICBO）			PNP	270mv @ 500mA，5a	300 @ 500mA，2V	100MHz
PUMB19,115	1.0000	RFQ	7660	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMB19		300MW	6-TSSOP	下载						0000.00.0000	1															50V	100mA	1µA			2 PNP-）	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V	-	22KOHMS	-
PQMH11147	-	RFQ	1700	NXP半导体	-	大部分	积极的									-				2156-PQMH11147			1
PZU20BA，115	0.0200	RFQ	48	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20BA，115-954			1													1.1 V @ 100 mA	50 na @ 15 V				20 v	20欧姆
BUK6211-75C，118	-	RFQ	6937	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6211-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	75 v	74a（ta）		11mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TA）
BC55-16PASX	-	RFQ	1555年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1															60 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BZX79-C36,113	0.0200	RFQ	209	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C36,113-954	Ear99	8541.10.0070	1													900 mv @ 10 ma	50 NA @ 25.2 V				36 V	90欧姆
PHP27NQ11T，127	0.6100	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP27NQ11T，127-954			536		n通道	110 v	27.6A（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BC847cm，315	-	RFQ	2710	NXP半导体	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC847CM，315-954			1
BZT52H-C30,115	0.0200	RFQ	157	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C30,115-954			1													900 mv @ 10 ma	50 NA @ 21 V				30 V	40欧姆
PZU4.3B，115	0.0300	RFQ	21	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU4.3B，115-954			1													1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
SMMUN2116LT1G	-	RFQ	2695	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			246兆	SOT-23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SMMUN2116LT1G-954			1															50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
PMDXB550UNE/S500Z	-	RFQ	8839	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA），4.03W（tc）	DFN1010B-6	-				2156-PMDXB550UNE/S500Z			1	2 n通道		30V	590ma（ta）		670MOHM @ 590mA，4.5V	0.95V @ 250µA	1.05NC @ 4.5V		30.3pf @ 15V	标准
BC69-16PA，115	1.0000	RFQ	8221	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	BC69		420兆W	3-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1															20 v	2 a	100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	140MHz
PBLS4003D，115	0.0700	RFQ	66	NXP半导体	*	大部分	积极的					PBLS4003				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS4003D，115-954			4,473
BC54-10PASX	0.0600	RFQ	146	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			420兆W	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1															45 v	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BZB784-C3V6,115	1.0000	RFQ	3948	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323	BZB784-C3V6		180兆	SOT-323	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极												900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
BZX79-C9V1,133	0.0200	RFQ	290	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C9V1,133-954			1													900 mv @ 10 ma	500 na @ 6 V				9.1 v	15欧姆
1N4744A，133	0.0400	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4744A，133-954	Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
PEMD12,115	0.0700	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMD12,115-954			4,699
BZX79-B8V2,143	0.0200	RFQ	125	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B8V2,143-954			1													900 mv @ 10 ma	700 na @ 5 V				8.2 v	15欧姆
BZV55-C8V2,115	0.0200	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C8V2,115-954			1													900 mv @ 10 ma	700 na @ 5 V				8.2 v	15欧姆
BC847BMB，315	-	RFQ	7811	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			250兆	DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1															45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BCX70K，235	-	RFQ	7939	NXP半导体	BCX70	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BCX70K，235-954			1															45 v	100 ma	20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
PBSS5230PAP，115	0.1600	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5230PAP，115-954			1
PHPT61002PYCX	1.0000	RFQ	8712	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT61002PYCX-954	Ear99	8541.29.0075	1
BZX79-C33,143	0.0200	RFQ	380	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C33,143-954	Ear99	8541.10.0070	1													900 mv @ 10 ma	50 NA @ 700 mV				33 V	80欧姆
PMCM6501Une023	0.1800	RFQ	90	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMCM6501Une023-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²