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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 电流 -最大 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX585-B7V5,115 | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-B7V5,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP51 | - | ![]() | 3460 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1 w | SOT-223 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BCP51-954 | 1 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX24C,133 | 0.0200 | ![]() | 249 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-NZX24C,133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B22,115 | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZT52H-B22,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM4401VPEZ | - | ![]() | 8918 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,WLCSP | MOSFET (金属 o化物) | 4-WLCSP(0.78x0.78) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMCM4401VPEZ-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 12 v | 3.9a(ta) | 1.8V,4.5V | 65mohm @ 3A,4.5V | 900mv @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±8V | 415 pf @ 6 V | - | 400MW(TA),12.5W(tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7225-55A,118 | 0.2700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BUK7225-55A,118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | n通道 | 55 v | 43A(ta) | 10V | 25mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | ±20V | 1310 PF @ 25 V | - | 94W(ta) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP51LX,315 | 0.0700 | ![]() | 9244 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | SOD-882 | DFN1006D-2 | - | 2156-BAP51LX,315 | 3,407 | 100 ma | 140兆 | 0.3pf @ 5V,1MHz | PIN-单 | 60V | 1.5OHM @ 100mA,100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C12,115 | 0.0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5.42% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BZT52H-C12,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB29N08T,118 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半导体 | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PHB29N08T,118-954 | 812 | n通道 | 75 v | 27a(TC) | 11V | 50mohm @ 14a,11V | 5V @ 2mA | 19 nc @ 10 V | ±30V | 810 pf @ 25 V | - | 88W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60610PYX | - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | 1.5 w | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 10 a | 100NA | PNP | 470MV @ 1A,10A | 120 @ 500mA,2V | 85MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-07,215 | 0.0300 | ![]() | 178 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAS40 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS40-07,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A,133 | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-1N4744A,133-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C30,143 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C30,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 30 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU7.5B3A,115 | - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 320兆W | SOD-323 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PZU7.5B3A,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6E3R2-55C,127 | 0.9700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK6E3R2-55C,127-954 | 1 | n通道 | 55 v | 120A(TC) | 10V | 3.2MOHM @ 25A,10V | 2.8V @ 1mA | 258 NC @ 10 V | ±16V | 15300 PF @ 25 V | - | 306W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B68,115 | - | ![]() | 6010 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZT52H-B68,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 V | 68 v | 160欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.9B2L,315 | - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | pzu3.9 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA330Y-800BT127 | - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 到达不受影响 | 2156-BTA330Y-800BT127-954 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU8.2B2L,315 | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | PZU8.2 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 500 na @ 5 v | 8.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C43115 | - | ![]() | 7145 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 550兆 | SC-90 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BZX84J-C43115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 30.1 V | 43 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK625R0-40C,118 | - | ![]() | 3532 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK625R0-40C,118-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 90A(ta) | 5mohm @ 25a,10v | 2.8V @ 1mA | 88 NC @ 10 V | ±16V | 5200 pf @ 25 V | - | 158W(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH13,315 | 1.0000 | ![]() | 4656 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | PEMH13 | 300MW | SOT-666 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 NPN- 预偏(双重) | 100mV @ 250µA,5mA | 100 @ 10mA,5v | - | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B43,115 | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-B43,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 30.1 V | 43 V | 150欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMST4401,115 | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PMST4401,115-954 | 1 | 40 V | 600 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 750mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ3V9J,115 | - | ![]() | 1496年 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,TDZXJ | 大部分 | 积极的 | ±2.05% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 500兆 | SC-90 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-TDZ3V9J,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56-10PA,115 | 0.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 420兆W | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC56-10PA,115-954 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B,115 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PZU6.2B,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 500 na @ 3 V | 6.2 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B24,215 | 0.0200 | ![]() | 255 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-B24,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144WT,215 | 0.0200 | ![]() | 107 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTA144WT,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU10B3,115 | - | ![]() | 5443 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PZU10B3,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 7 V | 10 v | 10欧姆 |
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