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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
PMBT2222,215	1.0000	RFQ	2242	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2222		250兆	TO-236AB	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT2222,215-954	Ear99	8541.21.0075	1																					30 V	600 MA	10NA（ICBO）			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
PSMN017-30EL，127	0.3400	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PSMN017-30EL，127	Ear99	8541.29.0075	1			n通道		30 V	32a（ta）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.15V @ 1mA	10.7 NC @ 10 V	±20V	552 pf @ 15 V	-	47W（TA）
BZX79-B5V6,113	0.0200	RFQ	281	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V6,113-954			1																900 mv @ 10 ma	1 µA @ 2 V							5.6 v	40欧姆
BZX585-C24,115	0.0300	RFQ	251	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C24,115-954			10,764																1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 16.8 V							24 V	70欧姆
BFU550WX	0.3700	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			450MW	SC-70	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BFU550WX	Ear99	8541.21.0075	1				18db																	12V	50mA				NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz	1.3db @ 1.8GHz
PMV20EN215	1.0000	RFQ	4213	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMV20EN215-954			1
BAW56SRAZ	0.0300	RFQ	6639	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAW56				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAW56SRAZ-954	Ear99	8541.10.0070	1
BZX79-B12143	-	RFQ	4369	NXP半导体	BZX79	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B12143-954			1																900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
1PS79SB31,115	-	RFQ	5059	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		肖特基		SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS79SB31,115-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V	500 mV @ 200 ma	30 µA @ 10 V	125°c （最大）	200mA	25pf @ 1V，1MHz
BZB984-C2V4,115	1.0000	RFQ	2756	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663	BZB984-C2V4		265兆	SOT-663	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极															900 mv @ 10 ma	50 µA @ 1 V							2.4 v	70欧姆
BZX79-C15,133	0.0200	RFQ	244	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C15,133-954			1																900 mv @ 10 ma	50 NA @ 10.5 V							15 v	30欧姆
BZX585-B20,115	-	RFQ	2164	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B20,115-954	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 700 mV							20 v	55欧姆
TDZ3V3J，115	0.0300	RFQ	10	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ3V3		500兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ3V3J，115-954	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 100 mA	5 µA @ 1 V							3.3 v	95欧姆
BFU610F，115	0.2200	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F			136MW	4-DFP	-				2156-BFU610F，115			1,391				17dB																	5.5V	10mA				NPN		90 @ 1mA，2V	15GHz	0.9db〜1.7dB @ 1.5GHz〜5.8GHz
BC847BPN，115	-	RFQ	4290	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
PEMH30,115	0.0400	RFQ	128	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMH30,115-954			1
BC51-16PA，115	1.0000	RFQ	2956	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	BC51		420兆W	3-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1																					45 v	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PBHV8115TLHR	-	RFQ	4414	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT23-3（TO-236）	-				2156-PBHV8115TLHR			1																					150 v	1 a	100NA			NPN	60mv @ 10mA，100mA	70 @ 50mA，10v	30MHz
PDTB143EU115	0.0400	RFQ	11	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.21.0075	1
BZX84-C7V5,215	0.0200	RFQ	353	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C7V5,215-954			1																900 mv @ 10 ma	1 µA @ 5 V							7.5 v	15欧姆
PDTC123YMB，315	0.0300	RFQ	99	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC123				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123YMB，315-954			1
PBSS4620PA，115	-	RFQ	5876	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			2.1 w	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4620PA，115-954			1																					20 v	6 a	100NA			NPN	275mv @ 300mA，6a	260 @ 2a，2v	80MHz
BZV90-C13,115	0.1500	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV90-C13,115-954			1																1 V @ 50 mA	100 na @ 8 V							13 V	30欧姆
NZX13A，133	0.0200	RFQ	88	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX13A，133-954			1																1.5 V @ 200 ma	100 na @ 8 V							13 V	35欧姆
BZX79-C75,133	0.0200	RFQ	70	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C75,133-954			1																900 mv @ 10 ma	50 na @ 52.5 V							75 v	255欧姆
PDTA113ZU，115	0.0200	RFQ	240	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA113ZU，115-954			1
BZX79-B9V1,133	1.0000	RFQ	9762	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-B9V1		400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1																900 mv @ 10 ma	500 na @ 6 V							9.1 v	15欧姆
BZV55-C16,115	0.0200	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C16,115-954			1																900 mv @ 10 ma	50 NA @ 11.2 V							16 V	40欧姆
PZU9.1B2A，115	0.0300	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	下载						0000.00.0000	11,632																1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V							9.1 v	10欧姆
BC847cm，315	-	RFQ	2710	NXP半导体	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC847CM，315-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²