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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
MRF8P18265HSR6	-	RFQ	3103	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-111110B	MRF8	1.88GHz	ldmos	NI1230S-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935323031128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的			-	800 MA	72W	16dB											-								30 V
MRF8P20100HSR3	-	RFQ	8451	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	ldmos	NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310291128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的			-	400 MA	20W	16dB											-								28 V
MRF8S19140HSR3	-	RFQ	9042	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	1.96GHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314248128	Ear99	8541.29.0075	250				-	1.1 a	34W	19.1db											-								28 V
MRFE6VP8600HR5	298.1700	RFQ	28	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	130 v		底盘安装	NI-1230	MRFE6	860MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的			-	1.4 a	125W	19.3db											-								50 V
PMN20en，115	-	RFQ	5462	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）	SC-74	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					30 V	6.7A（TJ）	4.5V，10V	20mohm @ 6.7a，10v	2.5V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	630 pf @ 15 V	-	545MW（TA）
BB199,115	-	RFQ	9527	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB19			SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																									13.8pf @ 2V，1MHz		单身的	20 v	2.8	C0.5/C2	-
PSMN3R2-25YLC，115	-	RFQ	6069	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN3		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					25 v	100A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	1.95V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1781 PF @ 12 V	-	79W（TC）
BUK7Y25-40B/C，115	-	RFQ	1717年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y25		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					40 V	35.3a（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	12.1 NC @ 10 V	±20V	693 PF @ 25 V	-	59.4W（TC）
psmn8r0-30yl，115	-	RFQ	3295	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN8		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					30 V	62A（TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	18.3 NC @ 10 V	±20V	1005 pf @ 15 V	-	56W（TC）
BSS84AKT，115	-	RFQ	1216	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BSS8		MOSFET （金属 o化物）	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					50 V	150mA（ta）	10V	7.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35 NC @ 5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	250MW（TA），770MW（（TC）
PMR670UPE，115	-	RFQ	2678	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PMR6		MOSFET （金属 o化物）	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	480ma（ta）	1.8V，4.5V	850MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.14 NC @ 4.5 V	±8V	87 pf @ 10 V	-	250MW（TA），770MW（（TC）
PMV30XN，215	-	RFQ	7398	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					20 v	3.2A（ta）	2.5V，4.5V	35mohm @ 3.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	7.4 NC @ 4.5 V	±12V	420 pf @ 15 V	-	380MW（TA）
PSMN013-100XS，127	-	RFQ	9994	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	35.2a（TC）	10V	13.9mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	57.5 NC @ 10 V	±20V	3195 PF @ 50 V	-	48.4W（TC）
PSMN5R0-100XS，127	-	RFQ	2745	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN5		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	67.5A（TC）	10V	5mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	153 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	63.8W（TC）
PSMN7R0-100XS，127	-	RFQ	5185	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN7		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	55A（TC）	10V	6.8mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	121 NC @ 10 V	±20V	6686 pf @ 50 V	-	57.7W（TC）
PSMN9R5-100XS，127	-	RFQ	4681	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN9		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	44.2A（TC）	10V	9.6mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	81.5 NC @ 10 V	±20V	4454 PF @ 50 V	-	52.6W（TC）
MRF8HP21130HR3	-	RFQ	8179	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos	NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310682128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的			-	360 MA	28W	14dB											-								28 V
MRF8P26080HR3	-	RFQ	9528	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.62GHz	ldmos	NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310536128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的			-	300 MA	14W	15DB											-								28 V
MRF8P29300HR5	-	RFQ	3417	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		底盘安装	NI-1230	MRF8	2.9GHz	ldmos	NI-1230	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	100 ma	320W	13.3db											-								30 V
MRF8P8300HSR5	-	RFQ	5713	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	70 v		底盘安装	NI-1230S	MRF8	820MHz	ldmos	NI-1230S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	2 a	96W	20.9db											-								28 V
MRFE6VP5600HSR5	132.0164	RFQ	4275	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	130 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos	NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319677178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	100 ma	600W	25DB											-								50 V
Ph5030als，115	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					PH50				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934065185115	Ear99	8541.29.0095	1,500
BLF8G10L-160V，112	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					BLF8				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066408112	Ear99	8541.29.0075	20
NUR460/L01,112	-	RFQ	4036	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	NUR460		标准	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066108112	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v	1.28 V @ 4 A	65 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	4a	-
NUR460/L04,112	-	RFQ	9997	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	NUR460		标准	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066197112	Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v	1.28 V @ 4 A	65 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	4a	-
PSMN7R6-60XSQ	-	RFQ	9771	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN7		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	51.5A（TC）	10V	7.8mohm @ 25a，10v	4.6V @ 1mA	38.7 NC @ 10 V	±20V	2651 PF @ 30 V	-	46W（TC）
MMRF1011HR5	-	RFQ	2770	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	100 v		底盘安装	SOT-957A	MMRF1	1.4GHz	ldmos	NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320386178	Ear99	8541.29.0075	50				-	150 ma	330W	18db											-								50 V
MMRF1013HSR5	-	RFQ	6439	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230-4S	MMRF1013	2.9GHz	ldmos	NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318222178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	100 ma	320W	13.3db											-								30 V
MMRF1018NR1	-	RFQ	6451	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	120 v		表面安装	TO-270-4	MMRF1	860MHz	ldmos	TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320384528	Ear99	8541.29.0075	500				-	350 MA	18W	22DB											-								50 V
MMRF1308HR5	241.6868	RFQ	2145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	SOT-979A	MMRF1308	230MHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	100 ma	600W	25DB											-								50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²