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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 晶体管类型 (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
AFT09MP055GNR1 NXP USA Inc. AFT09MP055GNR1 20.8845
RFQ
ECAD 1853年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 40 V 表面安装 TO-270BB AFT09 870MHz ldmos TO-270 WB-4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935317959528 Ear99 8541.29.0075 500 - 550 MA 1W 15.7dB - 12.5 v
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. AFT09MS007NT1 4.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 30 V 表面安装 PLD-1.5W AFT09 870MHz ldmos PLD-1.5W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 - 100 ma 7.3W 15.2db - 7.5 v
BUK9C1R3-40EJ NXP USA Inc. BUK9C1R3-40EJ -
RFQ
ECAD 8643 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) buk9c1 MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067866118 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 190a(TC) 1.3MOHM @ 90A,5V - - -
BB173LXYL NXP USA Inc. BB173LXYL -
RFQ
ECAD 1247 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SOD-882D BB17 SOD882D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067724315 Ear99 8541.10.0070 10,000 2.75pf @ 28V,1MHz 单身的 32 v 15 C1/C28 -
BFU550AR NXP USA Inc. BFU550AR 0.3800
RFQ
ECAD 138 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFU550 450MW SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 18db 12V 50mA NPN 60 @ 15mA,8v 11GHz 0.6dB @ 900MHz
BUK761R5-40EJ NXP USA Inc. BUK761R5-40EJ -
RFQ
ECAD 1259 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067767118 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 120A(TC) 10V 1.51MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 145 NC @ 10 V ±20V 11340 pf @ 25 V - 349W(TC)
BFU530WF NXP USA Inc. BFU530WF 0.1023
RFQ
ECAD 2836 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFU530 450MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067694135 Ear99 8541.21.0075 10,000 12.5db 12V 40mA NPN 60 @ 10mA,8v 11GHz 1.1db @ 1.8GHz
BYC8B-600PQP NXP USA Inc. BYC8B-600PQP -
RFQ
ECAD 8908 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYC8B 标准 D2PAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934068322116 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 3.4 V @ 8 A 18 ns 20 µA @ 600 V 175°c (最大) 8a -
MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5150GNR1 39.8900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 表面安装 TO-270BB MRFE6 230MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100 ma 150W 26.1db - 50 V
MMRF1009HR5 NXP USA Inc. MMRF1009HR5 594.7988
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 110 v 底盘安装 SOT-957A MMRF1009 1.03GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 200 ma 500W 19.7db - 50 V
MMRF1020-04GNR3 NXP USA Inc. MMRF1020-04GNR3 266.1723
RFQ
ECAD 3118 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 OM-780G-4L MMRF1020 920MHz ldmos OM-780G-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935318203528 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 860 MA 100W 19.5db - 48 v
MMRF1020-04NR3 NXP USA Inc. MMRF1020-04NR3 266.1723
RFQ
ECAD 2784 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 OM-780-4L MMRF1020 920MHz ldmos OM-780-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 860 MA 100W 19.5db - 48 v
MMRF1305HR5 NXP USA Inc. MMRF1305HR5 88.3000
RFQ
ECAD 56 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 底盘安装 NI-780-4 MMRF1305 512MHz ldmos NI-780-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 100 ma 100W 26dB - 50 V
MRF8P20140WGHSR3 NXP USA Inc. MRF8P20140WGHSR3 -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-4L MRF8P20140 1.88GHz〜1.91GHz ldmos NI-780S-4L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935311633128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 500 MA 24W 16dB - 28 V
AFT21S140W02GSR3 NXP USA Inc. AFT21S140W02GSR3 -
RFQ
ECAD 8192 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780GS-2L AFT21 2.14GHz ldmos NI-780GS-2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935324832128 5A991G 8541.29.0075 250 - 800 MA 32W 19.3db - 28 V
AFV09P350-04NR3 NXP USA Inc. AFV09P350-04NR3 88.9166
RFQ
ECAD 2616 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 OM-780-4L AFV09 920MHz ldmos OM-780-4L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935322054528 5A991G 8541.29.0040 250 双重的 - 860 MA 100W 19.5db - 48 v
MMRF1004GNR1 NXP USA Inc. MMRF1004GNR1 24.8182
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 68 v 表面安装 TO-270BA MMRF1004 2.17GHz ldmos TO-270-2鸥 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935320363528 Ear99 8541.29.0075 500 - 130 MA 10W 15.5db - 28 V
MMRF1007HSR5 NXP USA Inc. MMRF1007HSR5 679.4412
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 110 v NI-1230-4S MMRF1007 1.03GHz ldmos NI-1230-4S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935320316178 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 150 ma 1000W 20dB - 50 V
PSMN8R5-108ESQ NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ -
RFQ
ECAD 4797 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA PSMN8 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 108 v 100A(TJ) 10V 8.5mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 111 NC @ 10 V ±20V 5512 PF @ 50 V - 263W(TC)
MMRF1012NR1 NXP USA Inc. MMRF1012NR1 -
RFQ
ECAD 5258 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 120 v 表面安装 TO-270-2 MMRF1 220MHz ldmos TO-270-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 30 ma 10W 23.9db - 50 V
MMRF1015GNR1 NXP USA Inc. MMRF1015GNR1 18.9720
RFQ
ECAD 7999 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 68 v 表面安装 TO-270BA MMRF1015 960MHz ldmos TO-270-2鸥 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935315212528 Ear99 8541.29.0075 500 - 125 MA 10W 18db - 28 V
MMRF1016HR5 NXP USA Inc. MMRF1016HR5 -
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 120 v 底盘安装 SOT-979A MMRF1 225MHz ldmos NI-1230-4H - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935322153178 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 2.6 a 125W 25dB - 50 V
MMRF1310HR5 NXP USA Inc. MMRF1310HR5 115.0100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 底盘安装 NI-780-4 MMRF1310 230MHz ldmos NI-780-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 100 ma 300W 26.5db - 50 V
MRFE8VP8600HR5 NXP USA Inc. MRFE8VP8600HR5 154.7816
RFQ
ECAD 5941 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 MRFE8 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935318365178 Ear99 8541.29.0095 50
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. AFT09S200W02NR3 -
RFQ
ECAD 2548 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 AFT09 960MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935311675528 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 56W 19.2db - 28 V
AFT18H357-24SR6 NXP USA Inc. AFT18H357-24SR6 -
RFQ
ECAD 6672 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-1230-4LS2L AFT18 1.81GHz ldmos NI-1230-4LS2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 150 双重的 - 800 MA 63W 17.3db - 28 V
AFT26P100-4WGSR3 NXP USA Inc. AFT26P100-4WGSR3 -
RFQ
ECAD 7289 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 AFT26 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935323496128 Ear99 8541.29.0075 250
MMRF1021NT1 NXP USA Inc. MMRF1021NT1 -
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 30 V 表面安装 PLD-1.5W MMRF1 870MHz ldmos PLD-1.5W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935315257515 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 100 ma 7.3W 15.2db - 7.5 v
BFR94AW,115 NXP USA Inc. BFR94AW,115 -
RFQ
ECAD 8714 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFR94 300MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934064959115 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 15V 25mA NPN 65 @ 15mA,10v 5GHz 2db〜3dB @ 1GHz〜2GHz
BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F,115 0.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-343F BFU660 225MW 4-DFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12db〜21dB 5.5V 60mA NPN 90 @ 10mA,2V 21GHz 0.6db〜1.2db @ 1.5GHz〜5.8GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库