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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BTA425Y-800BT127	-	RFQ	6020	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BUK663R2-40C，118	-	RFQ	7644	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk66					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	800
ACTT8B-800C0118	-	RFQ	1119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BCP56-10H，115	-	RFQ	3757	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1,000
BLF888DU112	-	RFQ	2330	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
PBSS5130QA，147	0.0500	RFQ	195	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	6,000
BYC10X-600P127	-	RFQ	9032	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
BZX84J-B6V2115	1.0000	RFQ	2357	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 4 V					6.2 v	10欧姆
PMP5501G，115	0.0700	RFQ	265	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	PMP5501			300MW	SOT-353	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																				45V	100mA		15NA（icbo）			2（PNP （双），共同发射器	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	175MHz
PHD71NQ03LT，118	0.3400	RFQ	64	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD71NQ03		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
BT137X-600F/L02127	-	RFQ	5563	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BLA6H1011-600,112	634.9400	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						bla6					-	rohs3符合条件		到达不受影响			60
BLF2425M7LS140,112	127.3300	RFQ	6	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v			SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			-	1.3 a	140W	18.5db											-					28 V
BUK7507-30B，127	0.4100	RFQ	4	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					30 V	75A（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	2427 PF @ 25 V	-	157W（TC）
PDTA114TE，115-nxp	0.0200	RFQ	807	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PDTA114					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000
AFT26P100-4WSR3-NXP	153.3100	RFQ	140	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0040	155
BUK9E08-55B，127-nxp	1.0000	RFQ	2235	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75A（TC）	5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	5280 pf @ 25 V	-	203W（TC）
BUK7E3R1-40E，127-nxp	-	RFQ	1298	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	234W（TC）
php225,118-nxp	-	RFQ	8469	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PHP225		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500															-
PDTC114EE，115-nxp	-	RFQ	4231	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PDTC114					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000
BUK625R0-40C，118-nxp	-	RFQ	5150	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	90A（ta）		5mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±16V	5200 pf @ 25 V	-	158W（TA）
BTA316X-600E/DG127	-	RFQ	1356	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BUK6E4R0-75C，127	-	RFQ	7591	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						buk6					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK6209-30C，118	0.2300	RFQ	9	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道					30 V	50a（ta）		9.8mohm @ 12a，10v	2.8V @ 1mA	30.5 NC @ 10 V	±16V	1760 pf @ 25 V	-	80W（TA）
BLF6G15L-40BRN，112	58.2600	RFQ	82	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v			SOT-1112A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos		CDFM6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源		11a	330 MA	2.5W	22DB											-					28 V
BLF7G10L-250,112	111.1200	RFQ	78	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v			SOT-502A	BLF7G10	920MHz〜960MHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			-	1.8 a	60W	19.5db											-					30 V
BZV49-C3V9115	0.1600	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1,000																		1 V @ 50 mA	3 µA @ 1 V					3.9 v	90欧姆
PBSS4021SP	-	RFQ	5446	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
BLF6G15L-250PBRN，1	-	RFQ	6000	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		65 v			SOT-1110A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	2			64a	1.41 a	60W	18.5db											-					28 V
BT137-600/L01127	-	RFQ	9054	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	390

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²