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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	电容比	电容比条件	q @ vr，f
PMD9050D，115	-	RFQ	4642	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		45V		MOSFET驾驶员	表面安装	SC-74，SOT-457	PMD90				SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000			100mA																							2 NPN，PNP
MMRF1021NT1	-	RFQ	2654	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		30 V			表面安装	PLD-1.5W	MMRF1	870MHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315257515	Ear99	8541.29.0075	1,000			-	100 ma	7.3W	15.2db											-				7.5 v
MMRF5016HSR5	-	RFQ	7750	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		48 v			表面安装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz〜2.2GHz	hemt		NI-400S-2S	-		（1 （无限）	到达不受影响	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-		32W	-											-
MRF8HP21130HR5	-	RFQ	7232	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v			底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	360 MA	28W	14dB											-				28 V
BUK6510-75C，127	-	RFQ	4920	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	77A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
PMPB33XN，115	0.0800	RFQ	141	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	4.3a（ta）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 4.3A，4.5V	1.2V @ 250µA	7.6 NC @ 4.5 V	±12V	505 pf @ 15 V	-	1.5W（ta），8.3W（TC）
PMFPB6532UP，115	-	RFQ	3273	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	PMFPB		MOSFET （金属 o化物）		6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	380 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	520MW（TA），8.3W（tc）
PMEG3020PAS115	0.1000	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	2,914
A2T21S260W12NR3	-	RFQ	9301	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v			底盘安装	OM-880X-2L2L	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		OM-880X-2L2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935339757528	Ear99	8541.29.0075	250			10µA	1.6 a	218W	17.9db											-				28 V
MMRF1022HSR5	-	RFQ	7159	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v			底盘安装	NI-1230-4LS2L	MMRF1	2.14GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323695178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	500 MA	63W	16.2db											-				28 V
A2V09H525-04NR6	110.3487	RFQ	3941	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		105 v			表面安装	OM-1230-4L	A2V09	720MHz〜960MHz	ldmos		OM-1230-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935330045528	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	688 MA	120W	18.9db											-				48 v
BF556C，215	-	RFQ	8003	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		30 V			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF556	-	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		18mA		-	-											-
BB131,135	-	RFQ	8349	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜125°C（TJ）		表面安装	SC-76，SOD-323	BB131				SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000																				1.055pf @ 28V，1MHz		单身的	30 V				16	C0.5/C28	-
BZB784-C9V1,115	0.0300	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							BZB784					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84-C6V8/LF1VL	-	RFQ	6257	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-C6V8			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069503235	Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma	2 µA @ 4 V					6.8 v	15欧姆
AFV10700HSR5	503.6126	RFQ	1060	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		105 v			表面安装	NI-780S-4L	AFV10700	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	100 ma	770W	19.2db											-				50 V
BUK98150-55A，135	-	RFQ	8411	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	5.5A（TC）	4.5V，10V	137MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA	5.3 NC @ 5 V	±15V	320 pf @ 25 V	-	8W（TC）
MRFE6S8046NR1	-	RFQ	1997	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		66 v			表面安装	TO-270AB	MRFE6	894MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	500			-	300 MA	35.5W	19.8db											-				28 V
PDZ4.7B，115	-	RFQ	7103	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							PDZ4.7					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
PSMN4R0-25YLC，115	-	RFQ	8436	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							PSMN4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
NZH8V2B，115	0.0300	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							NZH8					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BLF4G20LS-1110B，112	-	RFQ	3899	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		65 v			底盘安装	SOT-502B	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			12a	650 MA	100W	13.4dB											-				28 V
PH6030L，115	-	RFQ	5311	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669	PH60		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	76.7a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	15.2 NC @ 4.5 V	±20V	2260 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
BUK9528-100A，127	-	RFQ	9000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49A（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	4293 PF @ 25 V	-	166W（TC）
MRF18060ALR5	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v			底盘安装	SOT-957A	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	500 MA	60W	13DB											-				26 V
BLF10H6600P112	238.3900	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
BF1105WR，135	-	RFQ	9482	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		7 V			表面安装	SC-82A，SOT-343	BF110	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934050320135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		30mA		-	20dB											1.7dB				5 v
MRF8P8300HSR6	-	RFQ	1022	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		70 v			底盘安装	NI-1230S	MRF8P8300	820MHz	ldmos		NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	2 a	96W	20.9db											-				28 V
PDTA123JU，115	-	RFQ	5971	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							PDTA12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BB187,335	-	RFQ	7646	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜125°C（TJ）		表面安装	SC-79，SOD-523	BB18				SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	20,000																				2.92pf @ 25V，1MHz		单身的	32 v				11	C2/C25	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²