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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 电容比 电容比条件 Q@Vr,F
PSMN004-55W,127 NXP USA Inc. PSMN004-55W,127 -
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ECAD 8607 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 25 N沟道 55V 100A(温度) 4.5V、10V 4.2毫欧@25A,10V 2V@1mA 226nC@5V ±15V 13000pF@25V - 300W(温度)
BZX585-B2V4135 NXP USA Inc. BZX585-B2V4135 1.0000
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ECAD 4054 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 ±2% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 300毫W SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 1 1.1V@100mA 1V时为50μA 2.4V 100欧姆
MRFE6VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HSR5 -
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ECAD 3050 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 130伏 安装结构 NI-1230S MRFE6 860兆赫 LDMOS NI-1230S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4A 125W 19.3分贝 - 50V
BB173LXYL NXP USA Inc. BB173LXYL -
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ECAD 1247 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 SOD-882D BB17 SOD882D 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067724315 EAR99 8541.10.0070 10,000 2.75pF@28V、1MHz 单身的 32V 15 C1/C28 -
MRF7S19170HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19170HSR5 -
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ECAD 7511 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-880S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-880S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 1.4A 50W 17.2分贝 - 28V
MRF6S19120HSR3 NXP USA Inc. MRF6S19120HSR3 -
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ECAD 1227 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1A 19W 15分贝 - 28V
PBHV9115Z,115 NXP USA Inc. PBHV9115Z,115 -
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ECAD 6995 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBHV9 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BZX79-B10,113 NXP USA Inc. BZX79-B10,113 -
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ECAD 6791 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BZX84-C6V8/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C6V8/LF1R -
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ECAD 7197 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C6V8 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069503215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 2μA@4V 6.8V 15欧姆
BC640,126 NXP USA Inc. BC640,126 -
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ECAD 7198 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC64 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 80V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 145兆赫
MRF24301HR5178 NXP USA Inc. MRF24301HR5178 1.0000
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ECAD 9953 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
MRF6S27050HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27050HSR5 -
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ECAD 8775 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 2.62GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 500毫安 7W 16分贝 - 28V
NZX2V4B,133 NXP USA Inc. NZX2V4B,133 0.0200
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ECAD 134 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BCX17,235 NXP USA Inc. BCX17,235 0.0300
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ECAD 133 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0095 10,927 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 620mV@50mA、500mA 100@100mA,1V 80兆赫
BZX84-C3V3/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C3V3/LF1VL -
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ECAD 2999 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C3V3 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069473235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 1V时为5μA 3.3V 95欧姆
PDTD113ZS,126 NXP USA Inc. PDTD113ZS,126 -
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ECAD 3923 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTD113 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 500毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 70@50mA,5V 1欧姆 10欧姆
PZU3.0DB2,115 NXP USA Inc. PZU3.0DB2,115 1.0000
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ECAD 7873 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 250毫W 5-TSSOP 下载 EAR99 8541.10.0050 1 2 独立 900毫伏@10毫安 1V时为10μA 3V 95欧姆
BZX79-B6V8,113 NXP USA Inc. BZX79-B6V8,113 0.0200
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ECAD 130 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 2μA@4V 6.8V 15欧姆
PZM3.6NB,115 NXP USA Inc. PZM3.6NB,115 -
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ECAD 1201 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM3.6 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 1V时为5μA 3.6V 90欧姆
BCW61C/DG/B2215 NXP USA Inc. BCW61C/DG/B2215 0.0200
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ECAD 117 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BZV55-C20135 NXP USA Inc. BZV55-C20135 -
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ECAD 7644 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
1N4740A,113 NXP USA Inc. 1N4740A,113 0.0400
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ECAD 306 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 1N47 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000
BC846BW/ZL,135 NXP USA Inc. BC846BW/ZL,135 0.0200
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ECAD 20 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 15,000
BZB984-C8V2115 NXP USA Inc. BZB984-C8V2115 -
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ECAD 8086 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
BUK7Y25-40B/C3115 NXP USA Inc. BUK7Y25-40B/C3115 -
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ECAD 9326 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1,500人
PSMN1RS-40ES127 NXP USA Inc. PSMN1RS-40ES127 -
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ECAD 7331 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1
A2T07D160W04SR3128 NXP USA Inc. A2T07D160W04SR3128 78.2500
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 250
MRF6VP11KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP11KHR5 -
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ECAD 1933年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 NI-1230S-4 GW MRF6 130兆赫 LDMOS NI-1230S-4海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 150毫安 1000W 26分贝 - 50V
PHD13003C,126 NXP USA Inc. PHD13003C,126 0.0600
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ECAD 22 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 博士13 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,000
PMEG4030ER115 NXP USA Inc. PMEG4030ER115 1.0000
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ECAD 6115 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库