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6133）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
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 | PSMN6R0-25YLD115 | 0.2200 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,340 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN165-200K518 | 0.4500 | | 9532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MOSFET （金属 o化物） | 8-so | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | n通道 | 200 v | 2.9a（TC） | 10V | 165mohm @ 2.5a，10v | 4V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1330 pf @ 25 V | - | 3.5W（TC） | ||||||||||
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| PHPT61010NY115 | - | | 5518 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
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| BFU520X215 | 0.1300 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 |
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