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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
A2V09H300-04NR3	98.2905	RFQ	3305	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	OM-780G-4L	A2V09	720MHz〜960MHz	ldmos	OM-780G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320809528	Ear99	8541.29.0075	250			10µA	400 MA	53DBM	19.7db											-	48 v
AFM906NT1	2.9400	RFQ	81	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	16-vdfn暴露垫	AFM906	136MHz〜941MHz	ldmos	16-DFN （4x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	1,000			2µA	100 ma	6.8W	-											-	10.8 v
AFM907NT1	3.1800	RFQ	499	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	16-vdfn暴露垫	AFM907	136MHz〜941MHz	ldmos	16-DFN （4x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			10µA	100 ma	8.4W	-											-	10.8 v
MHT1004GNR3	-	RFQ	4532	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	OM-780-2G	MHT10	2.45GHz	ldmos	OM-780-2鸥	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322425528	Ear99	8541.29.0075	250			10µA	100 ma	280W	15.2db											-	32 v
MMRF5300NR5	-	RFQ	3800	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125 v		表面安装	TO-270AA	MMRF5	2.7GHz〜3.5GHz	hemt	OM-270-2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	935322537528	过时的		50			-	70 MA	60W	17dB											-	50 V
MRF24300GNR3	-	RFQ	1353	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	32 v		底盘安装	OM-780-2G	MRF24	2.45GHz	hemt	OM-780-2鸥	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935313135528	Ear99	8541.29.0075	250			-		300W	-											-
A2T08VD021NT1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	A2T08	-	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935361777528	Ear99	8541.29.0095	1,000	-		-		-	-											-
A2V07H400-04NR3	93.7236	RFQ	2573	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	OM-780G-4L	A2V07	595MHz〜851MHz	ldmos	OM-780G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935357276528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		10µA	700 MA	267W	19.9db											-	48 v
A3T18H400W23SR6	87.3411	RFQ	7198	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935360345128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		10µA	300 MA	170W	16.8db											-	28 V
A3T19H455W23SR6	95.2413	RFQ	1192	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T19	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935363503128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		10µA	540 MA	81W	16.4dB											-	30 V
A3T21H455W23SR6	89.5761	RFQ	8014	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935368316128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		10µA	400 MA	87W	15DB											-	30 V
MRF300AN	52.5600	RFQ	132	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MRF300	27MHz〜250MHz	ldmos	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30			-		300W	28DB											-	50 V
MRF300亿	52.0000	RFQ	211	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MRF300	27MHz〜250MHz	ldmos	TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30			-		300W	18.7dB											-	50 V
A2T18S166W12SR3	70.4700	RFQ	7757	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	28 V		底盘安装	NI-780-2S2L	A2T18	1.805GHZ〜1.995GHz	ldmos	NI-780-2S2L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935363021128	Ear99	8541.29.0075	250			-		38W	-											-
MRFX035HR5	74.0700	RFQ	1672年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	179 v		底盘安装	NI-360H-2SB	MRFX035	1.8MHz〜512MHz	ldmos	NI-360H-2SB	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			10µA	15 ma	35W	24.8db											-	65 v
MRF 101亿	22.9600	RFQ	80	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	133 v			TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			10µA	100 ma	115W	21.1db											-	50 V
BZX79-C20,113	-	RFQ	3975	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BZX79				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
A2T21H141W24SR3	-	RFQ	3478	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					A2T21				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
MMRF2005GNR1	-	RFQ	8019	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MMRF2				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500
A3T23H450W23SR6	150.1500	RFQ	1890年	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3T23				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
MRF24301HS-2450	-	RFQ	6068	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MRF24301				-		（1 （无限）	到达不受影响				1
A3T21H400W23SR6	85.4469	RFQ	3928	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3T21				下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
BUK952R8-30B，127	-	RFQ	6530	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BLF7G27L-100,112	-	RFQ	1660年	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	SOT502A	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20			28a	900 MA	20W	18db											-	28 V
BLD6G22LS-50,112	90.0800	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	SOT-1130B		2.14GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		10.2a	170 MA	8W	14dB											-	28 V
BSH207,135	0.2900	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					12 v	1.52A（TA）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	600mv @ 1MA（类型）	8.8 NC @ 4.5 V	±8V	500 pf @ 9.6 V	-	417MW（TA）
BLF7G27L-150P，112	111.3300	RFQ	35	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v		底盘安装	SOT-539A		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	SOT539A	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20	双重，共同来源		37a	1.2 a	30W	16.5db											-	28 V
PMZB300XN，315	0.0900	RFQ	230	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）	DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					20 v	1A（1A）	2.5V，4.5V	380MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.94 NC @ 4.5 V	±12V	51 pf @ 20 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
PMCM650VNez	1.0100	RFQ	461	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）	6-WLCSP（1.48x0.98）	下载	不适用				Ear99	8541.21.0095	4,500		n通道					12 v	6.4a（ta）	4.5V	25mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	15.4 NC @ 4.5 V	±8V	1060 pf @ 6 V	-	556毫米（TA），12.5W（tc）
PMN40UPE，115	-	RFQ	2936	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	950mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²