SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
BLS3135-65,114 NXP USA Inc. BLS3135-65,114 -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 200°C(TJ) 表面安装 SOT-422A bls3 200W CDFM2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4 7db 75V 8a NPN 40 @ 2a,5v 3.5GHz -
BF1205C,115 NXP USA Inc. BF1205C,115 -
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 6 V 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BF120 400MHz MOSFET 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 19 ma - 30dB 1.3dB 5 v
BSH205,215 NXP USA Inc. BSH205,215 -
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BSH205 MOSFET (金属 o化物) SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 750mA(TA) 1.8V,4.5V 400MOHM @ 430mA,4.5V 680mv @ 1MA(类型) 3.8 NC @ 4.5 V ±8V 200 pf @ 9.6 V - 417MW(TA)
PH8030L,115 NXP USA Inc. PH8030L,115 -
RFQ
ECAD 2956 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PH80 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 76.7a(TC) 4.5V,10V 5.9MOHM @ 25A,10V 2.15V @ 1mA 15.2 NC @ 4.5 V ±20V 2260 pf @ 12 V - 62.5W(TC)
PHB110NQ08LT,118 NXP USA Inc. PHB110NQ08LT,118 -
RFQ
ECAD 1844年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB11 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 75 v 75A(TC) 4.5V,10V 8.5mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 127.3 NC @ 10 V ±20V 6631 PF @ 25 V - 230W(TC)
BUK7506-55B,127 NXP USA Inc. BUK7506-55B,127 -
RFQ
ECAD 1235 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 10V 6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 64 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 254W(TC)
BUK7523-75A,127 NXP USA Inc. BUK7523-75A,127 -
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk75 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 53A(TC) 10V 23mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 2385 pf @ 25 V - 138W(TC)
BUK7624-55A,118 NXP USA Inc. BUK7624-55A,118 -
RFQ
ECAD 5281 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 47A(TC) 10V 24mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 1310 PF @ 25 V - 106W(TC)
BUK7L11-34ARC,127 NXP USA Inc. BUK7L11-34ARC,127 -
RFQ
ECAD 4346 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 buk7 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 34 v 75A(TC) 10V 11mohm @ 30a,10v 3.8V @ 1mA 53 NC @ 10 V ±20V 2506 pf @ 25 V - 172W(TC)
BUK98180-100A,115 NXP USA Inc. BUK98180-100A,115 -
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA Buk98 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 4.6A(TC) 4.5V,10V 173MOHM @ 5A,10V 2V @ 1mA ±10V 619 pf @ 25 V - 8W(TC)
1PS184,115 NXP USA Inc. 1PS184,115 -
RFQ
ECAD 1748年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1PS18 标准 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 12,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 215ma(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
1PS59SB10,115 NXP USA Inc. 1PS59SB10,115 -
RFQ
ECAD 1532年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1PS59 肖特基 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大) 200mA 10pf @ 1V,1MHz
1PS59SB14,115 NXP USA Inc. 1PS59SB14,115 -
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1PS59 肖特基 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大)
2N5401,116 NXP USA Inc. 2N5401,116 -
RFQ
ECAD 3085 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N54 630兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 150 v 300 MA 50NA(iCBO) PNP 500mv @ 5mA,50mA 60 @ 10mA,5V 300MHz
2PC1815GR,116 NXP USA Inc. 2PC1815GR,116 -
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PC18 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
2PD601AQW,115 NXP USA Inc. 2PD601AQW,115 -
RFQ
ECAD 4297 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2pd60 200兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 10NA(ICBO) NPN 250mv @ 10mA,100mA 160 @ 2mA,10v 100MHz
2PD602AR,115 NXP USA Inc. 2PD602AR,115 -
RFQ
ECAD 9837 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2pd60 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 12,000 50 V 500 MA 10NA(ICBO) NPN 600mv @ 30mA,300mA 120 @ 150mA,10V 160MHz
PBSS3515E,115 NXP USA Inc. PBSS3515E,115 -
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 PBSS3 250兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 250mv @ 50mA,500mA 150 @ 100mA,2V 280MHz
J109,126 NXP USA Inc. J109,126 -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) J109 400兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 25 v 30pf @ 10V(vgs) 25 v 80 ma @ 15 V 2 V @ 1 µA 12欧姆
J113,126 NXP USA Inc. J113,126 -
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 NXP USA Inc. - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) J113 400兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 40 V 6pf @ 10V(vgs) 40 V 2 ma @ 15 V 500 mV @ 1 µA 100欧姆
MPSA14,116 NXP USA Inc. MPSA14,116 -
RFQ
ECAD 3533 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA14 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 125MHz
MPSA43,116 NXP USA Inc. MPSA43,116 -
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA43 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 200 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 2mA,20mA 40 @ 30mA,10V 50MHz
MPSA56,116 NXP USA Inc. MPSA56,116 -
RFQ
ECAD 1516年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA56 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 80 V 500 MA 50NA(iCBO) PNP 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 50MHz
BUK7605-30A,118 NXP USA Inc. BUK7605-30A,118 -
RFQ
ECAD 4846 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 75A(TC) 10V 5mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 6000 pf @ 25 V - 230W(TC)
BUK7615-100A,118 NXP USA Inc. BUK7615-100A,118 -
RFQ
ECAD 6644 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 75A(TC) 10V 15mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 6000 pf @ 25 V - 230W(TC)
BUK7616-55A,118 NXP USA Inc. BUK7616-55A,118 -
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 65.7a(TC) 10V 16mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 2245 PF @ 25 V - 138W(TC)
BUK9237-55,118 NXP USA Inc. BUK9237-55,118 -
RFQ
ECAD 9546 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 Buk92 MOSFET (金属 o化物) DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 32A(TC) 33mohm @ 15a,10v 2V @ 1mA 17.6 NC @ 5 V 1236 pf @ 25 V - -
BUK9508-55A,127 NXP USA Inc. BUK9508-55A,127 -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 7.5mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 92 NC @ 5 V ±15V 6021 PF @ 25 V - 253W(TC)
BUK9616-55A,118 NXP USA Inc. BUK9616-55A,118 -
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 66A(TC) 5V,10V 15mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±10V 3085 pf @ 25 V - 138W(TC)
BUK9618-55A,118 NXP USA Inc. BUK9618-55A,118 -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 61A(TC) 4.5V,10V 16mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 34 NC @ 5 V ±15V 2210 PF @ 25 V - 136W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库