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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX284-C4V7,115	-	RFQ	8508	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 2 V											4.7 v	80欧姆
SI2302DS，215	-	RFQ	7943	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	Si2		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					20 v	2.5A（TC）	2.5V，4.5V	85MOHM @ 3.6A，4.5V	650mv @ 1mA （最小）	10 NC @ 4.5 V	±8V	230 pf @ 10 V	-	830MW（TC）
Si9936dy，518	-	RFQ	2904	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9936		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	5a		50mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	35nc @ 10V		-	逻辑级别门
MRF7S21170HSR3	-	RFQ	5937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-880S	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	250				-	1.4 a	50W	16dB											-									28 V
PHB145NQ06T，118	-	RFQ	9436	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB14		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道					55 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	64.7 NC @ 10 V	±20V	3825 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PHB73N06T，118	-	RFQ	9636	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB73		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	73A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	54 NC @ 10 V	±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W（TC）
PHB95NQ04LT，118	-	RFQ	7634	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB95		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	32.7 NC @ 5 V	±15V	2700 PF @ 25 V	-	157W（TC）
PHD63NQ03LT，118	-	RFQ	7959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道					30 V	68.9a（TC）	5V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	9.6 NC @ 5 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	111W（TC）
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PHP101NQ04T，127	-	RFQ	1046	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36.6 NC @ 10 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	157W（TC）
PHP129NQ04LT，127	-	RFQ	5297	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	44.2 NC @ 5 V	±15V	3965 PF @ 25 V	-	200W（TC）
PHP222NQ04LT，127	-	RFQ	6006	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	93.6 NC @ 5 V	±15V	7880 pf @ 25 V	-	300W（TC）
PHP32N06LT，127	-	RFQ	4225	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP32		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	34A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	2V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±15V	1280 pf @ 25 V	-	97W（TC）
PHP73N06T，127	-	RFQ	7853	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP73		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	73A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	54 NC @ 10 V	±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W（TC）
PHT2NQ10T，135	-	RFQ	5023	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT2		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					100 v	2.5A（TC）	10V	430mohm @ 1.75a，10V	4V @ 1mA	5.1 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	6.25W（TC）
PHT6N06LT，135	-	RFQ	1208	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT6		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					55 v	2.5a（ta）	5V	150MOHM @ 5A，5V	2V @ 1mA	4.5 NC @ 5 V	±13V	330 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），8.3W（TC）
PHT6N06T，135	-	RFQ	3416	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT6		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					55 v	5.5A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.6 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 25 V	-	8.3W（TC）
PHU78NQ03LT，127	-	RFQ	2683	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU78		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	75			n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±20V	970 pf @ 12 V	-	107W（TC）
PHX34NQ11T，127	-	RFQ	3140	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX34		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					110 v	24.8A（TC）	10V	40mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	56.8W（TC）
PMBF4392,215	-	RFQ	1422	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBF4			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					40 V							14pf @ 20V													40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na
PMBF4393,215	-	RFQ	9788	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBF4			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					40 V							14pf @ 20V													40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na				100欧姆
PMBFJ113,215	-	RFQ	4152	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）													40 V	2 ma @ 15 V	3 V @ 1 µA				100欧姆
PMBFJ175,215	-	RFQ	1597年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					30 V							8pf @ 10v（vgs）													30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na				125欧姆
PMEM4030PS，115	-	RFQ	7540	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PMEM4			1 w	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																									50 V	2 a					100NA（ICBO）				PNP +二极管（隔离）	390mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	100MHz
PMN40LN，135	-	RFQ	6909	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN4		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道					30 V	5.4A（TC）	4.5V，10V	38mohm @ 2.5a，10v	2V @ 1mA	13.8 NC @ 10 V	±15V	555 pf @ 25 V	-	1.75W（TC）
PMN45en，165	-	RFQ	9346	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN4		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道					30 V	5.2A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 3a，10v	2V @ 1mA	6.1 NC @ 4.5 V	20V	495 pf @ 25 V	-	1.75W（TC）
PMR400UN，115	-	RFQ	8815	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PMR4		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					30 V	800mA（TC）	1.8V，4.5V	480MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 25 V	-	530MW（TC）
PRLL5817,135	-	RFQ	1544年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOD-87	prll58		肖特基		梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	20 v	450 MV @ 1 A	1 ma @ 20 V	125°c （最大）	1a	70pf @ 4V，1MHz
PSMN005-25D，118	-	RFQ	9756	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±15V	3500 PF @ 20 V	-	125W（TC）
PDTC114EK，115	-	RFQ	9720	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC114			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	15,000																									50 V	100 ma					1µA				npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V		10 kohms	10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²