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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电容 @ vr，f	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BUK9E6R1-100E，127	-	RFQ	9121	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	120A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	133 NC @ 5 V	±10V	17460 pf @ 25 V	-	349W（TC）
BUK9E8R5-40E，127	-	RFQ	3483	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	20.9 NC @ 5 V	±10V	2600 PF @ 25 V	-	96W（TC）
PMGD130UN，115	-	RFQ	6093	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD1		MOSFET （金属 o化物）	390MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	1.2a		145MOHM @ 1.2A，4.5V	1V @ 250µA	1.3nc @ 4.5V		83pf @ 10V	逻辑级别门
BLP7G07S-140P，118	-	RFQ	6831	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	SOT-1223-1	BLP7	700MHz〜1GHz	ldmos		4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934066972118	Ear99	8541.29.0075	100	双重的		-		35W	20.6dB											-		28 V
BUK761R4-30E，118	-	RFQ	9390	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	120A（TC）	10V	1.45MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	9580 pf @ 25 V	-	324W（TC）
BUK9Y9R9-80E，115	-	RFQ	2765	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	buk9y9		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067027115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					80 V	-		-	-				-	-
BUK7C1R2-40EJ	-	RFQ	6525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c1		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067488118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	-		-	-				-	-
BUK7C4R5-100EJ	-	RFQ	7624	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c4		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067495118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	-		-	-				-	-
BUK7C5R4-100EJ	-	RFQ	4331	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c5		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067496118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	-		-	-				-	-
BUK9C2R2-60EJ	-	RFQ	5339	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk9c2		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067485118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	-		-	-				-	-
BUK951R8-40EQ	-	RFQ	8946	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	BUK951		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067634127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	-		-	-				-	-
PMDPB38UNE，115	-	RFQ	3075	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB		MOSFET （金属 o化物）	510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	4a		46mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	4.4NC @ 4.5V		268pf @ 10V	逻辑级别门
PMDPB42UN，115	-	RFQ	6612	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB		MOSFET （金属 o化物）	510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	3.9a		50mohm @ 3.9a，4.5V	1V @ 250µA	3.5nc @ 4.5V		185pf @ 10V	逻辑级别门
PMF250XN，115	-	RFQ	9188	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF25		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	900mA（ta）	2.5V，4.5V	300MOHM @ 900mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	50 pf @ 15 V	-	275MW（TA），1.065W（tc）
PMT200en，115	-	RFQ	1743年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT2		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	1.8A（ta）	4.5V，10V	235mohm @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	475 PF @ 80 V	-	800MW（ta），8.3W（tc）
AFT20S015NR1	28.4000	RFQ	441	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	TO-270AA	AFT20	2.17GHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500			-	132 MA	1.5W	17.6dB											-		28 V
AFT18HW355SR6	-	RFQ	7340	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230S	AFT18	1.88GHz	ldmos		NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320115128	5A991G	8541.29.0040	150	双重的		-	1.1 a	63W	15.2db											-		28 V
AFT18S290-13SR3	-	RFQ	2043	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-880XS-2L4	AFT18	1.96GHz	ldmos		NI-880XS-2L4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317893128	5A991G	8541.29.0040	250			-	2 a	63W	18.2db											-		28 V
AFT26HW050SR3	-	RFQ	2374	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4S4	AFT26	2.69GHz	ldmos		NI-780-4S4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	250	双重的		-	100 ma	9W	14.2db											-		28 V
BB170X	0.4100	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB170				SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		2.75pf @ 28V，1MHz		单身的	30 V	15	C1/C28	-
BB173X	0.4200	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB173				SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																		2.754pf @ 28V，1MHz		单身的	32 v	15	C1/C28	-
BB174LXX	-	RFQ	5015	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	2-XDFN	BB174				DFN1006D-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067726115	Ear99	8541.10.0070	10,000																		2.22pf @ 28V，1MHz		单身的	30 V	10.9	C1/C28	-
BLF8G22LS-310AVJ	-	RFQ	8340	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	BLF8	-	-		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067838118	Ear99	8542.39.0001	100	-		-		-	-											-
BB174LXYL	-	RFQ	1435	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SOD-882D	BB17				SOD882D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067726315	Ear99	8541.10.0070	10,000																		2.22pf @ 28V，1MHz		单身的	30 V	10.9	C1/C28	-
PSMN3R9-60XSQ	-	RFQ	7442	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±20V	5494 PF @ 25 V	-	55W（TC）
AFT09H310-04GSR6	-	RFQ	8114	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-1230S-4 GW	AFT09	920MHz	MOSFET		NI-1230S-4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	n通道		-	680 MA	56W	17.9db											-		28 V
AFT23S170-13SR3	-	RFQ	3586	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-6	AFT23	2.4GHz	ldmos		NI-780S-6	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.1 a	45W	18.8db											-		28 V
AFT21H350W04GSR6	-	RFQ	4640	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230S-4 GW	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-1230S-4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320228128	Ear99	8541.29.0095	150			-	750 MA	63W	16.4dB											-		28 V
AFT23S160W02SR3	-	RFQ	4697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	AFT23	2.4GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			-	1.1 a	45W	17.9db											-		28 V
MMRF1008HR5	402.9538	RFQ	4501	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	100 v		底盘安装	SOT-957A	MMRF1008	1.03GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	100 ma	275W	20.3db											-		50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²