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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BUK7Y22-100E115	-	RFQ	7119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
A2G35S200-01SR3	139.2100	RFQ	129	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-400S-2S	A2G35	3.4GHz〜3.6GHz	甘姆特		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		光盘3A001B3	8541.29.0075	250				-	291 MA	180W	16.1db											-										48 v
BLF7G24LS-140,118	68.7500	RFQ	970	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v			SOT-502B	BLF7	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				28a	1.3 a	30W	18.5db											-										28 V
PHB222NQ04LT，118	-	RFQ	4382	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	93.6 NC @ 5 V	±15V	7880 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BFG310W/XR，115	-	RFQ	9291	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG31			60mw	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							18db																			6V	10mA			NPN		60 @ 5mA，3v	14GHz			1dB @ 2GHz
1N4148,113	-	RFQ	2136	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148		标准		Alf2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	25 na @ 20 V	200°C （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
PDTB123EK，115	-	RFQ	6446	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTB123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	500 MA		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	40 @ 50mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
BLF8G22L-160BV，118	-	RFQ	6769	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			底盘安装	SOT-1120B	BLF8G22	-	-		CDFM6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	-			-		-	-											-
MRF5S19060NR1	-	RFQ	4443	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	TO-270AB	MRF5	1.99GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500				-	750 MA	12W	14dB											-										28 V
BLF4G20S-1110B，112	-	RFQ	9190	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20				12a	700 MA	100W	13.5dB											-										28 V
BFM520,115	-	RFQ	7061	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BFM52			1W	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																			8V	70mA			2 NPN （双）		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.2db〜2.1dB @ 900MHz
BLF4G20LS-1110B，112	-	RFQ	3899	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60				12a	650 MA	100W	13.4dB											-										28 V
BLF4G22LS-130,112	-	RFQ	6514	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60				15a	1.15 a	33W	13.5dB											-										28 V
BFG325W/XR，115	-	RFQ	5371	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG32			210MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							18.3db																			6V	35mA			NPN		60 @ 15mA，3v	14GHz			1.1db @ 2GHz
PHP160NQ08T，127	-	RFQ	3905	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					75 v	75A（TC）	10V	5.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5585 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BF1108R，215	-	RFQ	2811	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	3 V		表面安装	SOT-143R	BF110	-	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道			10mA		-	-											-
MRF5S19130HR5	-	RFQ	6320	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50				-	1.2 a	26W	13DB											-										28 V
1PS76SB10/6115	-	RFQ	5702	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					1PS76					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
AFT09MS031GNR1	19.3600	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		表面安装	TO-270BA	AFT09	870MHz	ldmos		TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				-	500 MA	31W	17.2db											-										13.6 v
MRF6VP121KHR5	671.5500	RFQ	6440	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	110 v			NI-1230	MRF6VP121	1.03GHz	ldmos		NI-1230	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-	150 ma	1000W	20dB											-										50 V
MRF6VP3091NBR5	-	RFQ	2697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	115 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319809578	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-	350 MA	18W	22DB											-										50 V
MRF8P9040NBR1	-	RFQ	4499	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	TO-272BB	MRF8	960MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319636528	Ear99	8541.29.0095	500	双重的			-	320 MA	4W	19.1db											-										28 V
MRF8S18210WGHSR5	-	RFQ	8996	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-880XS-2 GW	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880XS-2海鸥	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935310994178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道			-	1.3 a	50W	17.8db											-										30 V
MRF8S18210WHSR3	-	RFQ	2065	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880X	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314716128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道			-	1.3 a	50W	17.8db											-										30 V
MRFE6VP100HR5	133.3900	RFQ	398	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	NI-780-4	MRFE6	512MHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-	100 ma	100W	26dB											-										50 V
AFT09S282NR3	-	RFQ	1818年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	AFT09	960MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	250				-	1.4 a	80W	20dB											-										28 V
BUK951R9-40E，127	-	RFQ	2005	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	1.7MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	120 NC @ 5 V	±10V	16400 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BUK954R4-80E，127	-	RFQ	3028	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					80 V	120A（TC）	5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	123 NC @ 5 V	±10V	17130 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BUK9E1R6-30E，127	-	RFQ	4035	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					30 V	120A（TC）	5V，10V	1.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	113 NC @ 5 V	±10V	16150 pf @ 25 V	-	349W（TC）
BUK9E2R8-60E，127	-	RFQ	1078	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	120A（TC）	5V，10V	2.6mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	120 NC @ 5 V	±10V	17450 PF @ 25 V	-	349W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²