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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRF640,127	-	RFQ	6764	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF64		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	16A（TC）	10V	180mohm @ 8a，10v	4V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	136W（TC）
A2T18S262W12NR3	-	RFQ	3406	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	OM-880X-2L2L	A2T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		OM-880X-2L2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			10µA	1.6 a	231W	19.3db											-			28 V
MRF7S38010HR3	-	RFQ	1700	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-400-240	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	160 MA	2W	15DB											-			30 V
MMRF5016HSR5	-	RFQ	7750	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	48 v		表面安装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz〜2.2GHz	hemt		NI-400S-2S	-		（1 （无限）	到达不受影响	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-		32W	-											-
PHP52N06T，127	-	RFQ	1863年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP52		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	52A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36 NC @ 10 V	±20V	1592 PF @ 25 V	-	120W（TC）
PDTD113ES，126	-	RFQ	9705	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTD113			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	500 MA		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V		1 kohms	1 kohms
BF991,215	-	RFQ	9394	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF991	100MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		20mA	10 MA	-	29dB											0.7dB			10 v
BFG92A/X，215	-	RFQ	2854	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG92			400MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	25mA			NPN		65 @ 15mA，10v	5GHz			2db〜3dB @ 1GHz〜2GHz
MRF7S19170HR3	-	RFQ	4939	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	1.4 a	50W	17.2db											-			28 V
MRF9030LSR1	-	RFQ	5222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	250 MA	30W	19db											-			26 V
PDTA114TS，126	-	RFQ	9063	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA114			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
PDTC144VE，115	-	RFQ	2590	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC144			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	40 @ 5mA，5V		47科姆斯	10 kohms
PH6530al，115	-	RFQ	6446	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	PH65		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	-		-	-				-	-
PEMD6,115	-	RFQ	8814	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMD6					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
BF909AWR，115	-	RFQ	3254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											2DB			5 v
A2T21S260-12SR3	-	RFQ	5725	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-2S2L	A2T21	2.17GHz	ldmos		NI-780-2S2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320716128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	65W	18.7dB											-			28 V
A2T23H160-24SR3	132.9651	RFQ	4413	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	NI-780S-4L2L	A2T23	2.3GHz	ldmos		NI-780S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935326016128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	350 MA	28W	17.7dB											-			28 V
PMSTA3904,135	-	RFQ	6870	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMSTA3904			200兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934061808135	Ear99	8541.21.0075	10,000																		40 V	200 ma		50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BUK6510-75C，127	-	RFQ	4920	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	77A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK7514-55A，127	-	RFQ	6366	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W（TC）
2PA1015Y，126	-	RFQ	1960年	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PA10			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	150 ma		100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
MRF8HP21130HR5	-	RFQ	7232	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	360 MA	28W	14dB											-			28 V
MRF7S21210HR3	-	RFQ	5235	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.4 a	63W	18.5db											-			28 V
BFG520/XR，215	-	RFQ	9105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFG52			300MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												15V	70mA			NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
PH6030L，115	-	RFQ	5311	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH60		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	76.7a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	15.2 NC @ 4.5 V	±20V	2260 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
BUK9528-100A，127	-	RFQ	9000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49A（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	4293 PF @ 25 V	-	166W（TC）
MRF6VP2600HR6	-	RFQ	4651	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	2.6 a	125W	25DB											-			50 V
BLS3135-10,114	-	RFQ	2116	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		200°C（TJ）	表面安装	SOT-445C	bls3			34W	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4						9DB												75V	1.5a			NPN		40 @ 250mA，5V	3.5GHz			-
ON5088,115	0.3300	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	ON5088			136MW	4-DFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						13DB												10V	40mA			NPN		160 @ 10mA，2V	55GHz			1.1db @ 12GHz
BLS2731-10,114	-	RFQ	9526	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的		200°C（TJ）	表面安装	SOT-445C	BLS2			145W	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4						10dB												75V	1.5a			NPN		40 @ 250mA，5V	3.1GHz			-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²