SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
MRFG35010NR5 NXP USA Inc. MRFG35010NR5 -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz Phemt fet PLD-1.5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 180 MA 9W 10dB - 12 v
BSP31,115 NXP USA Inc. BSP31,115 0.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 1.3 w SOT-223 下载 Ear99 8541.29.0075 1,750 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,5V 100MHz
BC849B,215 NXP USA Inc. BC849B,215 -
RFQ
ECAD 3405 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC84 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BUK6213-30C,118 NXP USA Inc. BUK6213-30C,118 -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk62 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500
BSH202,215 NXP USA Inc. BSH202,215 -
RFQ
ECAD 5824 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSN2 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
PHP52N06T,127 NXP USA Inc. PHP52N06T,127 -
RFQ
ECAD 1863年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP52 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 52A(TC) 10V 22mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 1592 PF @ 25 V - 120W(TC)
BC635-16,126 NXP USA Inc. BC635-16,126 -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 180MHz
PDTA124EK,115 NXP USA Inc. PDTA124EK,115 -
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA124 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 9,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 60 @ 5mA,5v 22 KOHMS 22 KOHMS
A2T18S262W12NR3 NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3 -
RFQ
ECAD 3406 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 OM-880X-2L2L A2T18 1.805GHZ〜1.88GHz ldmos OM-880X-2L2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 1.6 a 231W 19.3db - 28 V
BFU530WF NXP USA Inc. BFU530WF 0.1023
RFQ
ECAD 2836 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFU530 450MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067694135 Ear99 8541.21.0075 10,000 12.5db 12V 40mA NPN 60 @ 10mA,8v 11GHz 1.1db @ 1.8GHz
MMRF5016HSR5 NXP USA Inc. MMRF5016HSR5 -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 48 v 表面安装 NI-400S-2S MMRF5 1.8GHz〜2.2GHz hemt NI-400S-2S - (1 (无限) 到达不受影响 935331343528 过时的 0000.00.0000 250 - 32W - -
BC639,126 NXP USA Inc. BC639,126 -
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 180MHz
BFU550XR215 NXP USA Inc. BFU550XR215 1.0000
RFQ
ECAD 5363 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
PDTD113ES,126 NXP USA Inc. PDTD113ES,126 -
RFQ
ECAD 9705 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTD113 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 33 @ 50mA,5V 1 kohms 1 kohms
IRF640,127 NXP USA Inc. IRF640,127 -
RFQ
ECAD 6764 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF64 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 16A(TC) 10V 180mohm @ 8a,10v 4V @ 1mA 63 NC @ 10 V ±20V 1850 pf @ 25 V - 136W(TC)
BC638,126 NXP USA Inc. BC638,126 -
RFQ
ECAD 8083 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 100MHz
MRF7S38010HR3 NXP USA Inc. MRF7S38010HR3 -
RFQ
ECAD 1700 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400-240 MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-400-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 160 MA 2W 15DB - 30 V
BAT54J NXP USA Inc. BAT54J -
RFQ
ECAD 5426 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAT54 下载 0000.00.0000 1
PRF957,115 NXP USA Inc. PRF957,115 -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PRF95 270MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 10V 100mA NPN 50 @ 5mA,6v 8.5GHz 1.3db〜1.8dB @ 1GHz〜2GHz
MRF6S21190HR3 NXP USA Inc. MRF6S21190HR3 -
RFQ
ECAD 6484 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 54W 16dB - 28 V
BFG92A/X,215 NXP USA Inc. BFG92A/X,215 -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG92 400MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA NPN 65 @ 15mA,10v 5GHz 2db〜3dB @ 1GHz〜2GHz
2PA1015Y,126 NXP USA Inc. 2PA1015Y,126 -
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PA10 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
PEMD6,115 NXP USA Inc. PEMD6,115 -
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PEMD6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
PDTA114TS,126 NXP USA Inc. PDTA114TS,126 -
RFQ
ECAD 9063 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTA114 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V 10 kohms
MRF7S19170HR3 NXP USA Inc. MRF7S19170HR3 -
RFQ
ECAD 4939 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.99GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 - 1.4 a 50W 17.2db - 28 V
MRF9030LSR1 NXP USA Inc. MRF9030LSR1 -
RFQ
ECAD 5222 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v NI-360S MRF90 945MHz ldmos NI-360S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 250 MA 30W 19db - 26 V
BF991,215 NXP USA Inc. BF991,215 -
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 20 v 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BF991 100MHz MOSFET SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 20mA 10 MA - 29dB 0.7dB 10 v
PDTC144VE,115 NXP USA Inc. PDTC144VE,115 -
RFQ
ECAD 2590 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC144 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 40 @ 5mA,5V 47科姆斯 10 kohms
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. A2T21S260-12SR3 -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780-2S2L A2T21 2.17GHz ldmos NI-780-2S2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935320716128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 65W 18.7dB - 28 V
PMEM4020APD,115 NXP USA Inc. PMEM4020APD,115 -
RFQ
ECAD 8123 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMEM4 500兆 SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 750 MA 100NA PNP +二极管(隔离) 530mv @ 200mA,2a 250 @ 500mA,5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库