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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
PDTD113ZS,126 NXP USA Inc. PDTD113Z,126 -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTD113 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 70 @ 50mA,5V 1 kohms 10 kohms
MRF101AN NXP USA Inc. MRF101AN 26.4000
RFQ
ECAD 836 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 133 v TO-220-3 MRF101 1.8MHz〜250MHz ldmos TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 10µA 100 ma 115W 21.1db - 50 V
PDTA143ZE,115 NXP USA Inc. PDTA143ZE,115 -
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 100mV @ 250µA,5mA 100 @ 10mA,5v 4.7科姆斯 47科姆斯
BC547B,112 NXP USA Inc. BC547B,112 -
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC54 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 100MHz
BUK7Y153-100E115 NXP USA Inc. BUK7Y153-100E115 -
RFQ
ECAD 1495 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1,500
PSMN3R3-80ES,127 NXP USA Inc. PSMN3R3-80ES,127 1.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 80 V 120A(TC) 10V 3.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 139 NC @ 10 V ±20V 9961 PF @ 40 V - 338W(TC)
PHB27NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB27NQ10T,118 -
RFQ
ECAD 7872 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PHB27 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
PSMN3R2-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R2-30YLC,115 -
RFQ
ECAD 9850 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PSMN3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,500
1PS70SB85,115 NXP USA Inc. 1PS70SB85,115 0.1000
RFQ
ECAD 362 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 1PS70 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
PSMN5R3-25MLDX NXP USA Inc. PSMN5R3-25MLDX 1.0000
RFQ
ECAD 5003 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-1210,8-LFPAK33(5铅) MOSFET (金属 o化物) LFPAK33 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 25 v 70A(TC) 4.5V,10V 5.9MOHM @ 15A,10V 2.2V @ 1mA 12.7 NC @ 10 V ±20V 858 pf @ 12 V ((() 51W(TC)
BUK7105-40AIE,118 NXP USA Inc. BUK7105-40AIE,118 1.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BUK71 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
PDTC143XS,126 NXP USA Inc. PDTC143XS,126 -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC143 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mv @ 500µA,10mA 50 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 10 kohms
PBSS2515E,115 NXP USA Inc. PBSS2515E,115 -
RFQ
ECAD 5287 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 PBSS2 250兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 250mv @ 50mA,500mA 150 @ 100mA,2V 420MHz
A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3 139.2100
RFQ
ECAD 129 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125 v 表面安装 NI-400S-2S A2G35 3.4GHz〜3.6GHz 甘姆特 NI-400S-2S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 光盘3A001B3 8541.29.0075 250 - 291 MA 180W 16.1db - 48 v
BUK7Y22-100E115 NXP USA Inc. BUK7Y22-100E115 -
RFQ
ECAD 7119 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1,500
BLF7G24LS-140,118 NXP USA Inc. BLF7G24LS-140,118 68.7500
RFQ
ECAD 970 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 65 v SOT-502B BLF7 2.3GHz〜2.4GHz ldmos SOT502B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 28a 1.3 a 30W 18.5db - 28 V
PMPB33XN,115 NXP USA Inc. PMPB33XN,115 0.0800
RFQ
ECAD 141 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-xfdfn暴露垫 MOSFET (金属 o化物) DFN1010B-6 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 4.3a(ta) 2.5V,4.5V 47MOHM @ 4.3A,4.5V 1.2V @ 250µA 7.6 NC @ 4.5 V ±12V 505 pf @ 15 V - 1.5W(ta),8.3W(TC)
PZM8.2NB1,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB1,115 -
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM8.2 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 700 na @ 5 V 8.2 v 10欧姆
BZX284-C13,115 NXP USA Inc. BZX284-C13,115 -
RFQ
ECAD 2481 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 8 V 13 V 10欧姆
BAT54J NXP USA Inc. BAT54J -
RFQ
ECAD 5426 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAT54 下载 0000.00.0000 1
PRF957,115 NXP USA Inc. PRF957,115 -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PRF95 270MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 10V 100mA NPN 50 @ 5mA,6v 8.5GHz 1.3db〜1.8dB @ 1GHz〜2GHz
MRF6S21190HR3 NXP USA Inc. MRF6S21190HR3 -
RFQ
ECAD 6484 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 54W 16dB - 28 V
BFG92A/X,215 NXP USA Inc. BFG92A/X,215 -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG92 400MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA NPN 65 @ 15mA,10v 5GHz 2db〜3dB @ 1GHz〜2GHz
2PA1015Y,126 NXP USA Inc. 2PA1015Y,126 -
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PA10 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
PEMD6,115 NXP USA Inc. PEMD6,115 -
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PEMD6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
PDTA114TS,126 NXP USA Inc. PDTA114TS,126 -
RFQ
ECAD 9063 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTA114 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V 10 kohms
MRF7S19170HR3 NXP USA Inc. MRF7S19170HR3 -
RFQ
ECAD 4939 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.99GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 - 1.4 a 50W 17.2db - 28 V
MRF9030LSR1 NXP USA Inc. MRF9030LSR1 -
RFQ
ECAD 5222 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v NI-360S MRF90 945MHz ldmos NI-360S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 250 MA 30W 19db - 26 V
BF991,215 NXP USA Inc. BF991,215 -
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 20 v 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BF991 100MHz MOSFET SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 20mA 10 MA - 29dB 0.7dB 10 v
PDTC144VE,115 NXP USA Inc. PDTC144VE,115 -
RFQ
ECAD 2590 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC144 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 40 @ 5mA,5V 47科姆斯 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库