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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PZU6.2B1,115 | 0.0400 | ![]() | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PZU6.2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA124EM,315 | 0.0300 | ![]() | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA124 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y20-30B115 | 1.0000 | ![]() | 7818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y65-100EX | - | ![]() | 6099 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | BUK7Y65 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 19a(tc) | 10V | 65mohm @ 5A,10V | 4V @ 1mA | 17.8 NC @ 10 V | ±20V | 1023 PF @ 25 V | - | 64W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.0B2A115 | 1.0000 | ![]() | 5060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2PD1820AS,115 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,724 | 50 V | 500 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 30mA,300mA | 170 @ 150mA,10v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ7V5J115 | - | ![]() | 8458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,TDZXJ | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | TDZ7V5 | 500兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7606-55B,118 | - | ![]() | 1447 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 6mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 5100 PF @ 25 V | - | 254W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NZX12D133 | 0.0200 | ![]() | 8309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,840 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF550,215 | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BF550 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24301HR5178 | 1.0000 | ![]() | 9953 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU5.1BA115 | 1.0000 | ![]() | 3750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZH22C,115 | - | ![]() | 6433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZH2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU15B3A115 | 1.0000 | ![]() | 1726年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX51-10115 | 1.0000 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV40E-150,115 | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | byv40 | 标准 | SOT-223 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,031 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 1.5a | 1 V @ 1.5 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V6 | - | ![]() | 7906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C22,115 | - | ![]() | 7085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX384 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | ![]() | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS70SB45,115 | 0.0300 | ![]() | 366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 1PS70 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ5.1B145 | - | ![]() | 1365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R2-30YLC,115 | - | ![]() | 4700 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PSMN1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C4V3,115 | 0.0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZB984 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C5V6,115 | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C24,115 | 0.1700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,745 | 1 V @ 50 mA | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | ![]() | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX79 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C3V3,115 | - | ![]() | 7991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZV49 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B3V0,315 | 1.0000 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y7R2-60EX | - | ![]() | 2919 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 60 V | - | 10V | - | - | ±20V | - | 167W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C4V3315 | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 |
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