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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUK962R1-40E，118	-	RFQ	6166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	1.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	87.8 NC @ 5 V	±10V	13160 PF @ 25 V	-	293W（TC）
BC546B，126	-	RFQ	7004	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC54			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		65 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
PSMN012-25YLC，115	-	RFQ	1882年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	33A（TC）	4.5V，10V	12.6mohm @ 10a，10v	1.95V @ 1mA	8.3 NC @ 10 V	±20V	528 pf @ 12 V	-	26W（TC）
MRF6S9125MBR1	-	RFQ	7183	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	880MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	27W	20.2dB											-			28 V
BF1211WR，115	-	RFQ	4385	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF121	400MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	15 ma	-	29dB											0.9dB			5 v
MRF8S9232NR3	-	RFQ	3622	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8S9232	960MHz	MOSFET		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310851528	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	1.4 a	63W	18.1db											-			28 V
BUK7226-75A/C1,118	-	RFQ	6908	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7226		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934061629118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					75 v	45A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±20V	2385 pf @ 25 V	-	158W（TC）
PMV56XN，215	-	RFQ	2112	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV5		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	3.76A（TC）	2.5V，4.5V	85MOHM @ 3.6A，4.5V	650mv @ 1mA （最小）	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	230 pf @ 10 V	-	1.92W（TC）
ON5224,118	-	RFQ	4710	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934056731118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
BUK9524-55A，127	-	RFQ	7249	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	46A（TC）	4.5V，10V	21.7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	1815 PF @ 25 V	-	105W（TC）
MRFE6S9160HSR3	-	RFQ	1316	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319257128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	35W	21dB											-			28 V
MRFE6S9060GNR1	35.5106	RFQ	7979	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	66 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310336528	Ear99	8541.29.0075	500			-	450 MA	14W	21.1db											-			28 V
MRF6S19060MR1	-	RFQ	7994	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-270-4	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-			28 V
MRF6S9160HSR5	-	RFQ	3160	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.2 a	35W	20.9db											-			28 V
MMRF1304LR5	-	RFQ	6321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	133 v		底盘安装	NI-360	MMRF1	512MHz	ldmos		NI-360	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311475178	Ear99	8541.29.0075	50			-	10 MA	25W	25.9db											-			50 V
MRF6S27050HR3	-	RFQ	7271	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.62GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	500 MA	7W	16dB											-			28 V
PMN22XN，115	-	RFQ	6116	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	5.7A（ta）	2.5V，4.5V	27MOHM @ 5.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	585 pf @ 15 V	-	545MW（TA），6.25W（tc）
MRF7S18170HR5	-	RFQ	1668年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.81GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	1.4 a	50W	17.5db											-			28 V
MRF6S19100MR1	-	RFQ	9469	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-270-4	MRF6	1.99GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	22W	14.5db											-			28 V
MRF9085LSR5	-	RFQ	7837	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF90	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-	700 MA	90W	17.9db											-			26 V
MMRF5015NR5	-	RFQ	3457	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125 v		表面安装	TO-270AA	MMRF5	2.5GHz	hemt		OM-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318693528	Ear99	8541.29.0075	50			-	350 MA	125W	16.6dB											-			50 V
NX7002AK.R	-	RFQ	7279	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					NX70					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
PHP96NQ03LT，127	-	RFQ	8301	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP96		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.95MOHM @ 25a，10V	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MRF6S21060MBR1	-	RFQ	3648	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	2.12GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	14W	15.5db											-			28 V
PHP45NQ10TA，127	-	RFQ	7128	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	PHP45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934059957127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	47A（TC）		25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	61 NC @ 10 V		2600 PF @ 25 V	-	-
BUK9E1R8-40E，127	-	RFQ	3772	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9e1r8		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066586127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	1.7MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	120 NC @ 5 V	±10V	16400 PF @ 25 V	-	349W（TC）
MRF8S8260HSR3	-	RFQ	1485	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	NI-880S	MRF8	895MHz	ldmos		NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310533128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.5 a	70W	21.1db											-			28 V
BC847CT，115	-	RFQ	2277	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC84			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
MRF8P9300HSR5	-	RFQ	2627	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	70 v		底盘安装	NI-1230S	MRF8	960MHz	ldmos		NI-1230S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310166178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	2.4 a	100W	19.4dB											-			28 V
BUK7511-55A，127	-	RFQ	5183	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3093 PF @ 25 V	-	166W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²