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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTC124EK，115	-	RFQ	7515	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC124			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		22 KOHMS	22 KOHMS
PHD55N03LTA，118	-	RFQ	2500	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD55		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
MRF6V13250HR5	-	RFQ	3701	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		120 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.3GHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314557178	Ear99	8541.29.0075	50				-	100 ma	250W	22.7dB											-										50 V
BUK752R3-40C，127	-	RFQ	1858年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	100A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	11323 PF @ 25 V	-	333W（TC）
BF909R，215	-	RFQ	8338	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		7 V		表面安装	SOT-143R	BF909	800MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门			40mA	15 ma	-	-											2DB										5 v
PHP63NQ03LT，127	-	RFQ	6309	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP63		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					30 V	68.9a（TC）	5V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	9.6 NC @ 5 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	111W（TC）
PMN49en，135	-	RFQ	7237	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN4		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000			n通道					30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 2A，10V	2V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	1.75W（TC）
BZT52H-C33,115	-	RFQ	2920	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZT52					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX284-B9V1,115	-	RFQ	6207	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V								9.1 v	10欧姆
BC557B，112	-	RFQ	2655	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC55			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																										45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
MMRF1024HSR5	-	RFQ	3737	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	MMRF1024	2.5GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935316174178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-	700 MA	50W	14.1db											-										28 V
PMF77XN，115	-	RFQ	8937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF77		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	97MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.9 NC @ 4.5 V	±12V	170 pf @ 15 V	-	270MW（TA），1.92W（tc）
PDTC124TE，115	-	RFQ	1868年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC124			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		22 KOHMS
PDTA123JK，115	-	RFQ	1760年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	9,000																										50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
BF1108R，215	-	RFQ	2811	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		3 V		表面安装	SOT-143R	BF110	-	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道			10mA		-	-											-
Byd17d，115	-	RFQ	5802	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOD-87	Byd17		雪崩		梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io）																	200 v	1.05 V @ 1 A	3 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1.5a	21pf @ 0v，1MHz
BLF7G22L-130112	80.9000	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		5A991G	8541.29.0075	1
But11ai，127	-	RFQ	6675	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	But11			100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000																										450 v	5 a		1ma			NPN	1.5V @ 330mA，2.5a	14 @ 500mA，5V	-
MPSA42,126	-	RFQ	8225	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA42			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																										300 v	100 ma		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
BFU530WX	0.5800	RFQ	18	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFU530			450MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000							18.5db																			12V	40mA					NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz			0.6dB @ 900MHz
2PB709AQW，115	-	RFQ	6686	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pb70			200兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										45 v	100 ma		10NA（ICBO）			PNP	500mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	60MHz
BC337,112	-	RFQ	5152	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC33			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																										45 v	500 MA		100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
psmn9r0-30yl，115	-	RFQ	3614	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN9		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					30 V	61A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	17.8 NC @ 10 V	±20V	1006 pf @ 12 V	-	46W（TC）
A2T07H310-24SR6	-	RFQ	7187	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		70 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	A2T07	880MHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935312272128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的			-	700 MA	47W	18.6dB											-										28 V
AFIC31025NR1	45.0303	RFQ	8614	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		32 v		表面安装	TO-270-17变体，平面线	AFIC31025	2.7GHz〜3.1GHz	ldmos		TO-270WB-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935343962528	Ear99	8541.29.0075	500				-		25W	30dB											-
MRF24300NR3	-	RFQ	4591	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	OM-780-2	MRF24	2.45GHz	ldmos		OM-780-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-	100 ma	330W	13.1db											-										32 v
BUK7Y25-60E/GFX	-	RFQ	8189	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
PMDPB95XNE，115	-	RFQ	6669	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB95		MOSFET （金属 o化物）	475MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	2.4a		120MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		143pf @ 15V	逻辑级别门
2N7002T，215	-	RFQ	5316	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N70		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					60 V	300mA（TA）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	40 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
MRF8P20165WHR3	-	RFQ	7118	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8P20165	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314476128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的			-	550 MA	37W	14.8db											-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²