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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BC337-40,116	-	RFQ	2291	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC33			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																						45 v	500 MA		100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
PMEM4020ND，115	-	RFQ	8796	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMEM4			600兆	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	950 MA		100NA			NPN +二极管（隔离）	400mv @ 200mA，2a	300 @ 500mA，5V	150MHz
NCR100W-10M115	0.0700	RFQ	13	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	1,000
PDTB113EK，115	-	RFQ	5961	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTB113			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																						50 V	500 MA		500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V		1 kohms	1 kohms
BLC8G24LS-240AVU	-	RFQ	4646	NXP USA Inc.	-	托盘	积极的		65 v		底盘安装	SOT-1252-1	BLC8	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT1252-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067995112	Ear99	8541.29.0075	20	双重的		-	800 MA	63W	15DB													-					30 V
MRF24300NR3	-	RFQ	4591	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	OM-780-2	MRF24	2.45GHz	ldmos		OM-780-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	100 ma	330W	13.1db													-					32 v
AFIC31025NR1	45.0303	RFQ	8614	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		32 v		表面安装	TO-270-17变体，平面线	AFIC31025	2.7GHz〜3.1GHz	ldmos		TO-270WB-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935343962528	Ear99	8541.29.0075	500			-		25W	30dB													-
MRF8P20165WHR3	-	RFQ	7118	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8P20165	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314476128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	550 MA	37W	14.8db													-					28 V
MRFE6S9160HSR3	-	RFQ	1316	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		66 v		底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319257128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	35W	21dB													-					28 V
AFT18P350-4S2LR6	-	RFQ	7901	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	AFT18	1.81GHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	150	双重的		-	1 a	63W	16.1db													-					28 V
MMRF1304LR5	-	RFQ	6321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		133 v		底盘安装	NI-360	MMRF1	512MHz	ldmos		NI-360	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311475178	Ear99	8541.29.0075	50			-	10 MA	25W	25.9db													-					50 V
PHB110NQ06LT，118	-	RFQ	3593	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB11		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	3960 pf @ 25 V	-	200W（TC）
PMDPB95XNE，115	-	RFQ	6669	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB95		MOSFET （金属 o化物）	475MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	2.4a		120MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		143pf @ 15V	逻辑级别门
PMV56XN，215	-	RFQ	2112	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV5		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	3.76A（TC）	2.5V，4.5V	85MOHM @ 3.6A，4.5V	650mv @ 1mA （最小）	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	230 pf @ 10 V	-	1.92W（TC）
MRF24301HR5	-	RFQ	9656	NXP USA Inc.	-	管子	过时的				底盘安装	SOT-957A	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		300W	13.5dB													-
BUK9524-55A，127	-	RFQ	7249	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	46A（TC）	4.5V，10V	21.7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	1815 PF @ 25 V	-	105W（TC）
BUK7Y25-60E/GFX	-	RFQ	8189	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
MRFE6S9060GNR1	35.5106	RFQ	7979	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		66 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310336528	Ear99	8541.29.0075	500			-	450 MA	14W	21.1db													-					28 V
BUK962R1-40E，118	-	RFQ	6166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	1.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	87.8 NC @ 5 V	±10V	13160 PF @ 25 V	-	293W（TC）
AFT21S232SR5	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	50			-	1.5 a	50W	16.7dB													-					28 V
MRF18060ALR5	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	500 MA	60W	13DB													-					26 V
2PC4081R/ZLX	-	RFQ	7250	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						2PC40					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
PH4530L，115	-	RFQ	5176	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH45		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	80A（TC）	5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2V @ 1mA	23.5 NC @ 5 V	±20V	1972 pf @ 10 V	-	62.5W（TC）
PHD98N03LT，118	-	RFQ	9496	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD98		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	40 NC @ 5 V	±20V	3000 pf @ 20 V	-	111W（TC）
MRF6VP21KHR5	883.3100	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	1000W	24dB													-					50 V
MRF6S27085HR3	-	RFQ	2562	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.66GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	900 MA	20W	15.5db													-					28 V
BFG67,215	-	RFQ	3653	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG67			380MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-																10V	50mA					NPN		60 @ 15mA，5V	8GHz			1.3db〜3db @ 1GHz〜2GHz
OT355,127	-	RFQ	4868	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			-	-	-	OT35				-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934057936127	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的																标准	-
BZX79-B62,113	0.0200	RFQ	19	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 43.4 V					62 v	215欧姆
PZM24NB，115	-	RFQ	7292	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM24			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.1 V @ 100 mA	70 na @ 19 V					24 V	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²