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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BUK7K6R2-40E/CX NXP USA Inc. BUK7K6R2-40E/CX -
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk7k6 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500 -
BUK7Y25-80E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/GFX -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 buk7 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V 39A(TC) 10V 25mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 25.9 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 25 V - 95W(TC)
BUK9Y12-40E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y12-40E/GFX -
RFQ
ECAD 8308 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk9 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500
BUK9Y29-40E/CX NXP USA Inc. BUK9Y29-40E/CX -
RFQ
ECAD 7745 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk9 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500
BUK9Y3R0-40E/CX NXP USA Inc. BUK9Y3R0-40E/CX -
RFQ
ECAD 6430 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk9 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500
BUK9Y59-60E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y59-60E/GFX -
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk9 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ NXP USA Inc. CA/JCOP/MF4K/4B-UZ -
RFQ
ECAD 8812 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
PBSS4120T/S500,215 NXP USA Inc. PBSS4120T/S500,215 -
RFQ
ECAD 3055 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PBSS4 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
PMEG1201AESF/S50YL NXP USA Inc. PMEG1201AESF/S50yl -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PMEG1 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
PSMN2R9-25YLC/GFX NXP USA Inc. PSMN2R9-25YLC/GFX -
RFQ
ECAD 4100 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PSMN2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
PSMN6R5-25YLC/GFX NXP USA Inc. PSMN6R5-25YLC/GFX -
RFQ
ECAD 5456 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PSMN6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
A5G26S008NT6 NXP USA Inc. A5G26S008NT6 13.0200
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125 v 表面安装 6-dlfn暴露垫 2.496GHZ〜2.69GHz - 6-PDFN (4x4.5) 下载 Ear99 8541.29.0095 5,000 - - 17 MA 27dBm 18.4db - 48 v
BTA312B-600CT,118 NXP USA Inc. BTA312B-600CT,118 -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB D2PAK 下载 Ear99 8541.30.0080 1 单身的 35 MA 标准 600 v 12 a 1.5 v 95a,105a 35 MA
BFU580GX NXP USA Inc. BFU580GX 0.8300
RFQ
ECAD 999 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BFU580 1W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 10.5db 12V 60mA NPN 60 @ 30mA,8v 11GHz 1.4dB @ 1.8GHz
PMEG4030ER/DG/B2,1 NXP USA Inc. PMEG4030ER/DG/B2,1 -
RFQ
ECAD 7402 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PMEG4 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
PSMN5R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127 -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN5 MOSFET (金属 o化物) TO-220F - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 61.8A(TC) 10V 5.6mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 145 NC @ 10 V ±20V 8061 PF @ 50 V - 60W(TC)
PDTA143EE,115 NXP USA Inc. PDTA143EE,115 -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
BTA310X-600D,127 NXP USA Inc. BTA310X-600D,127 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TO-220F 下载 Ear99 8541.30.0080 628 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 600 v 10 a 1.5 v 85a,93a 5 ma
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. PDTB113ES,126 -
RFQ
ECAD 3482 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTB113 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 MA 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 33 @ 50mA,5V 1 kohms 1 kohms
PMEG050V150EPD146 NXP USA Inc. PMEG050V150EPD146 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 1,500
BZX84-B3V6,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V6,215 0.0200
RFQ
ECAD 176 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PHD18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHD18NQ10T,118 -
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 PHD18 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 93405700118 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 18A(TC) 10V 90mohm @ 9a,10v 4V @ 1mA 21 NC @ 10 V ±20V 633 PF @ 25 V - 79W(TC)
BFG520/X,215 NXP USA Inc. BFG520/X,215 -
RFQ
ECAD 3958 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG52 300MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70mA NPN 60 @ 20mA,6v 9GHz 1.1db〜2.1dB @ 900MHz
Z0107NA,116 NXP USA Inc. Z0107NA,116 0.1000
RFQ
ECAD 99 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) TO-92-3 下载 Ear99 8541.30.0080 2,404 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 800 v 1 a 1.3 v 8a,8.5a 5 ma
NZX13A,133 NXP USA Inc. NZX13A,133 -
RFQ
ECAD 1703 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BZX884-C68,315 NXP USA Inc. BZX884-C68,315 0.0300
RFQ
ECAD 103 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX884 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BC640,126 NXP USA Inc. BC640,126 -
RFQ
ECAD 7198 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC64 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
MRF8S8260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S8260HSR3 -
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 NI-880S MRF8 895MHz ldmos NI-880S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310533128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 70W 21.1db - 28 V
PHP96NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP96NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 8301 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP96 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 4.95MOHM @ 25a,10V 2V @ 1mA 26.7 NC @ 5 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 115W(TC)
ON5224,118 NXP USA Inc. ON5224,118 -
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-5,D²Pak(4引线 +选项卡,TO-263BB ON52 - - D2PAK - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934056731118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库