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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
ON5238,118	-	RFQ	6850	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934056900118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
ON5239,135	-	RFQ	2729	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON52	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934056911135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
ON5173,118	-	RFQ	1711年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ON51	-	-		D2PAK	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934057198118	Ear99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
MRF6VP11KGSR5	-	RFQ	9749	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230S-4 GW	MRF6	130MHz	ldmos		NI-1230S-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314866178	5A991G	8541.29.0095	50	双重的		-	150 ma	1000W	26dB											-	50 V
MRFE6VS25LR5	76.8700	RFQ	7077	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	NI-360	MRFE6	512MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	10 MA	25W	25.9db											-	50 V
MRF8P23160WHSR3	-	RFQ	9830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780-4	MRF8	2.32GHz	MOSFET		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310859128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	600 MA	30W	14.1db											-	28 V
MRF8S18210WGHSR3	127.9372	RFQ	5485	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v		表面安装	NI-880XS-2 GW	MRF8S18210	1.93GHz	MOSFET		NI-880XS-2海鸥	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310994128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	1.3 a	50W	17.8db											-	30 V
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314716178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-	1.3 a	50W	17.8db											-	30 V
MRF8S21100H5	-	RFQ	9731	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	MOSFET		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-	700 MA	24W	18.3db											-	28 V
MRF8S9202GNR3	-	RFQ	5390	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8	920MHz	MOSFET		OM-780-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319678528	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	1.3 a	58W	19db											-	28 V
MRFE6VP100HSR5	112.5908	RFQ	4457	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	NI-780S-4L	MRFE6	512MHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314736178	Ear99	8541.29.0095	50			-	100 ma	100W	26dB											-	50 V
BUK7E1R6-30E，127	-	RFQ	8847	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	120A（TC）	10V	1.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	154 NC @ 10 V	±20V	11960 pf @ 25 V	-	349W（TC）
BUK7E4R0-80E，127	-	RFQ	8195	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					80 V	120A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	169 NC @ 10 V	±20V	12030 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BUK951R6-30E，127	-	RFQ	6871	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	120A（TC）	5V，10V	1.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	113 NC @ 5 V	±10V	16150 pf @ 25 V	-	349W（TC）
BUK952R8-60E，127	-	RFQ	1887年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	120A（TC）	5V，10V	2.6mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	120 NC @ 5 V	±10V	17450 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BUK953R2-40E，127	-	RFQ	9912	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	100A（TC）	5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	69.5 NC @ 5 V	±10V	9150 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK958R5-40E，127	-	RFQ	3037	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	20.9 NC @ 5 V	±10V	2600 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BUK9E15-60E，127	-	RFQ	4254	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	54A（TC）	5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BUK9E2R3-40E，127	-	RFQ	1962年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	87.8 NC @ 5 V	±10V	13160 PF @ 25 V	-	293W（TC）
BUK9E3R7-60E，127	-	RFQ	6212	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	120A（TC）	5V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（TC）
BUK9E4R9-60E，127	-	RFQ	3068	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	100A（TC）	5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	65 NC @ 5 V	±10V	9710 PF @ 25 V	-	234W（TC）
PMGD175XN，115	-	RFQ	6582	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD1		MOSFET （金属 o化物）	390MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	900mA		225MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		75pf @ 15V	逻辑级别门
PMV170UN，215	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	165mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	1.65 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	325MW（TA），1.14W（tc）
PMV185XN，215	-	RFQ	7131	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	250MOHM @ 1.1A，4.5V	1.5V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	±12V	76 pf @ 15 V	-	325MW（TA），1.275W（TC）
PSMN8R5-100XSQ	-	RFQ	4908	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49a（TJ）	10V	8.5mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	5512 PF @ 50 V	-	55W（TC）
blp8g10s-45pj	-	RFQ	7922	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	SOT-1223-1	BLP8	952.5MHz〜957.5MHz	ldmos		4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067371118	Ear99	8541.29.0095	100	双重的		-	224 MA	2.5W	20.8dB											-	28 V
BUK7C3R1-80EJ	-	RFQ	8251	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c3		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067493118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					80 V	-		-	-				-	-
BUK7C3R8-80EJ	-	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk7c3		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067494118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					80 V	-		-	-				-	-
BUK9C3R8-80EJ	-	RFQ	1398	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk9c3		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067486118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					80 V	-		-	-				-	-
BUK9C5R3-100EJ	-	RFQ	4684	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk9c5		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067487118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	-		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²