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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PZU3.6BA115	1.0000	RFQ	3584	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			3,000																		1.1 V @ 100 mA	5 µA @ 1 V					3.6 v	90欧姆
BUK9506-40B，127	0.5200	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7535-55A，127	0.2600	RFQ	9	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	35A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		±20V	872 PF @ 25 V	-	85W（TC）
BUK754R0-40C，127	0.4900	RFQ	989	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	100A（TA）		4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±20V	5708 PF @ 25 V	-	203W（TA）
BUK7520-100A，127	-	RFQ	1638年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	296		n通道					100 v	63A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	4373 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BUK754R0-55B，127	0.7700	RFQ	959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	86 NC @ 10 V	±20V	6776 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MRF6V2300NR5578	-	RFQ	2038	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						MRF6V2300		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
PSMN130-200D，118	-	RFQ	4010	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
A2T07D160W04SR3128	78.2500	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	250
BC847AM315	-	RFQ	7014	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	SOT-883	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1																				45 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PMXB65ENE，147	0.2100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
PSMN5R0-100ES	-	RFQ	5915	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PSMN5R0		-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1															-
MRF8S18120HSR3,128	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						MRF8S18120		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
PHP45NQ11T，127	0.4100	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						PHP45					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK9514-55A，127	0.4000	RFQ	7	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	73A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3307 PF @ 25 V	-	149W（TC）
BB178/L315	0.0900	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	8,000
BUK7E13-60E，127	0.3300	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	58a（ta）		13mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	22.9 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	-	96w（ta）
BTA312X-800C/L01127	0.5100	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
MRFE6VP5150GNR1,528	35.4100	RFQ	475	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		133 v		表面安装	TO-270BB		1.8MHz〜600MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1	双重的		5µA	100 ma	150W	26.1db											-					50 V
BUK7508-55A，127	-	RFQ	6763	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W（TA）
BUK7E2R3-40E，127-nxp	1.0000	RFQ	4675	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	109.2 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	293W（TC）
AFT26HW050GSR3-NXP	115.4500	RFQ	250	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0040	1
BUK9520-100A，127	0.6100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7909-75AIE，127	0.9200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk79					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7C10-75AITE，118	-	RFQ	6965	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						buk7					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
BZV90-C7V5115	1.0000	RFQ	5758	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w	SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 50 mA	1 µA @ 5 V					7.5 v	15欧姆
BZX585-C4V3135	1.0000	RFQ	5859	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1																		1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V					4.3 v	90欧姆
PBSS4032SP，115	-	RFQ	7442	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBSS4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000
BLS7G2933S-150,112	515.3300	RFQ	32	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		60 V		底盘安装	SOT-922-1		2.9GHz〜3.3GHz	ldmos		CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			4.2µA	100 ma	150W	13.5dB											-					32 v
BZX585-C9V1135	0.0300	RFQ	7056	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	6,170																		1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V					9.1 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²