SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BAS19,235 NXP USA Inc. BAS19,235 -
RFQ
ECAD 5775 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 V 150°C (最大) 200mA 5pf @ 0v,1MHz
BCW70,235 NXP USA Inc. BCW70,235 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCW70 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
BUK9640-100A,118 NXP USA Inc. BUK9640-100A,118 -
RFQ
ECAD 8854 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk96 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
BZX585-C16,115 NXP USA Inc. BZX585-C16,115 0.0300
RFQ
ECAD 31 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 300兆 SOD-523 下载 Ear99 8541.10.0050 10,764 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 11.2 V 16 V 40欧姆
BZX84-C12,235 NXP USA Inc. BZX84-C12,235 -
RFQ
ECAD 9371 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BYV25FX-600,127 NXP USA Inc. BYV25FX-600,127 0.2900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 标准 TO-220F 下载 Ear99 8541.10.0080 875 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.9 V @ 5 A 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 5a -
BYV40E-150,115 NXP USA Inc. BYV40E-150,115 0.2900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-261-4,TO-261AA byv40 标准 SOT-223 下载 Ear99 8541.10.0080 1,031 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 1.5a 1 V @ 1.5 A 25 ns 10 µA @ 150 V 150°C (最大)
BZX84-C3V6 NXP USA Inc. BZX84-C3V6 -
RFQ
ECAD 7906 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
PSMN2R7-30BL,118 NXP USA Inc. PSMN2R7-30BL,118 0.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 436 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 3mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 66 NC @ 10 V ±20V 3954 pf @ 15 V - 170W(TC)
PSMN2R9-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN2R9-25YLC,115 -
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PSMN2 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,500
PSMN3R5-30YL,115 NXP USA Inc. psmn3r5-30yl,115 -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PSMN3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500
BZV55-C27,135 NXP USA Inc. BZV55-C27,135 0.0200
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80欧姆
BSP126,115 NXP USA Inc. BSP126,115 -
RFQ
ECAD 7230 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSP1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
BAT54C,235 NXP USA Inc. BAT54C,235 1.0000
RFQ
ECAD 2481 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C (最大)
BZB84-B12,215 NXP USA Inc. BZB84-B12,215 -
RFQ
ECAD 7248 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZB84-B12 300兆 TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 12 v 25欧姆
BZB784-C7V5,115 NXP USA Inc. BZB784-C7V5,115 0.0300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZB784 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
MW7IC2020NT1528 NXP USA Inc. MW7IC2020NT1528 -
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 MW7IC 下载 0000.00.0000 1
BZX84-B30,215 NXP USA Inc. BZX84-B30,215 -
RFQ
ECAD 4012 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
MW7IC2425NBR1,528 NXP USA Inc. MW7IC2425NBR1,528 96.5600
RFQ
ECAD 500 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 MW7IC 下载 Ear99 8541.29.0075 1
AFT18HW355SR5,178 NXP USA Inc. AFT18HW355SR5,178 1.0000
RFQ
ECAD 2872 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BZX79-C4V7,133 NXP USA Inc. BZX79-C4V7,133 0.0200
RFQ
ECAD 281 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
1N4746A,113 NXP USA Inc. 1N4746A,113 0.0400
RFQ
ECAD 214 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 1N47 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000
BZX84-B2V7,215 NXP USA Inc. BZX84-B2V7,215 0.0200
RFQ
ECAD 128 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BTA202X-800D,127 NXP USA Inc. BTA202X-800D,127 0.2400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TO-220F 下载 Ear99 8541.30.0080 995 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 800 v 2 a 1.5 v 14a,15.4a 5 ma
BZX79-B9V1,113 NXP USA Inc. BZX79-B9V1,113 0.0200
RFQ
ECAD 179 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BUK662R7-55C NXP USA Inc. BUK662R7-55C -
RFQ
ECAD 6957 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 0000.00.0000 1
BT136S-600,118 NXP USA Inc. BT136S-600,118 -
RFQ
ECAD 2290 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DPAK 下载 Ear99 8541.30.0080 795 单身的 15 ma 标准 600 v 4 a 1.5 v 25a,27a 35 MA
BZX384-C22,115 NXP USA Inc. BZX384-C22,115 -
RFQ
ECAD 7085 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX384 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-B2V4135 NXP USA Inc. BZX585-B2V4135 1.0000
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 300兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 1.1 V @ 100 mA 50 µA @ 1 V 2.4 v 100欧姆
BUK9Y104-100B,115 NXP USA Inc. BUK9Y104-100B,115 1.0000
RFQ
ECAD 1854年 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 n通道 100 v 14.8A(TC) 5V,10V 99MOHM @ 5A,10V 2.15V @ 1mA 11 NC @ 5 V ±15V 1139 PF @ 25 V - 59W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库