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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -测试	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MRF8S18120HSR3	-	RFQ	7139	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	1.81GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250				-		800 MA	72W	18.2db																	-								28 V
BYV25FX-600,127	0.2900	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F	下载					Ear99	8541.10.0080	875		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								600 v	1.9 V @ 5 A	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
ON5452518	1.0000	RFQ	8360	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000
BFS19,215	0.0900	RFQ	66	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BFS19					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
BT136S-600,118	-	RFQ	2290	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					DPAK	下载					Ear99	8541.30.0080	795	单身的				15 ma														标准	600 v	4 a	1.5 v	25a，27a	35 MA
PHP75NQ08T，127	-	RFQ	6949	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	75A（TC）	10V	13mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	157W（TC）
J2A080GX0/T0BG295，	-	RFQ	3183	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	-	-	J2A080				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935292489118		0000.00.0000	12,500			-													-
PMEG4002AESFC315	0.0500	RFQ	45	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	9,000
NX7002AK.215	1.0000	RFQ	9268	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
BUK764R2-80E，118	-	RFQ	6782	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道						80 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	136 NC @ 10 V	±20V	10426 pf @ 25 V	-	324W（TC）
ON5257,215	-	RFQ	9913	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ON52	-	-		SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058039215	Ear99	8541.29.0095	3,000	-			-			-	-																	-
PBSS4240x115	0.0800	RFQ	375	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
BZX84-B2V7/LF1R	-	RFQ	4607	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-B2V7			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069396215	Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V					2.7 v	100欧姆
MRF18060ALR5	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50				-		500 MA	60W	13DB																	-								26 V
BYV32E-100,127	0.5400	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Byv32					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000
PZM18NB3,115	-	RFQ	6232	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM18			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											1.1 V @ 100 mA		70 na @ 13 V					18 V	20欧姆
MMRF2004NBR1	-	RFQ	2402	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	TO-272-16变体，平线	MMRF2004	2.7GHz	ldmos		TO-272 WB-16	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320315528	Ear99	8541.29.0075	500				-		77 MA	4W	28.5db																	-								28 V
BUK7905-40AIE，127	-	RFQ	7293	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk79					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
AFT23H160-25SR3	-	RFQ	6164	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-880X-4L4S-8	AFT23	2.3GHz	ldmos		NI-880X-4L4S-8	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320681128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的			-		450 MA	32W	16.7dB																	-								28 V
BZV85-C4V7,113	0.0400	RFQ	100	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	1																											1 V @ 50 mA		3 µA @ 1 V					4.7 v	13欧姆
BUK9C1R3-40EJ	-	RFQ	8643	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk9c1		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067866118	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						40 V	190a（TC）		1.3MOHM @ 90A，5V	-				-	-
BUK9Y59-60E/GFX	-	RFQ	9584	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk9					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
BUK7Y25-60E/GFX	-	RFQ	8189	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
MRF5S19130HR5	-	RFQ	6320	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50				-		1.2 a	26W	13DB																	-								28 V
AFV09P350-04NR3	88.9166	RFQ	2616	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		105 v		表面安装	OM-780-4L	AFV09	920MHz	ldmos		OM-780-4L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322054528	5A991G	8541.29.0040	250	双重的			-		860 MA	100W	19.5db																	-								48 v
MRFE6VP5600HSR6	-	RFQ	7384	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		130 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的			-		100 ma	600W	25DB																	-								50 V
PMBS3904,235	0.0200	RFQ	820	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMBS3904					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
MRF6V13250HR3	-	RFQ	1068	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		120 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.3GHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-		100 ma	250W	22.7dB																	-								50 V
PMBTA06/DG/B3235	0.0400	RFQ	119	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
PDTD113EQA147	-	RFQ	1306	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²