RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
ACTT6G-800E，127	-	RFQ	7048	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				i2pak（（TO-262）	下载				Ear99	8541.30.0080	590	单身的		25 ma											逻辑 -敏感门	800 v	6 a	1 V	51a，56a	10 MA
BZX884-B36,315	-	RFQ	7820	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 25.2 V				36 V	90欧姆
BZV90-C3V6,115	-	RFQ	2795	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV90				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000
BCW60B，215	0.0300	RFQ	36	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW60				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK7Y7R2-60EX	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					0000.00.0000	1		n通道		60 V	-	10V	-	-		±20V		-	167W（TC）
BZX79-B9V1,113	0.0200	RFQ	179	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX79				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BUK662R7-55C	-	RFQ	6957	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
PMBTA42,185	0.0200	RFQ	4801	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBTA				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	30,000
PBSS2515VPN，115	-	RFQ	2905	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS2				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000
BZV49-C3V3,115	-	RFQ	7991	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV49				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000
PMEG2005ELD，315	-	RFQ	3428	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMEG2				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	10,000
ACT108-600E，412	0.1400	RFQ	75	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				TO-92-3	下载				Ear99	8541.30.0080	1,697	单身的		25 ma											逻辑 -敏感门	600 v	800 MA	1 V	8a，8.8a	10 MA
BZX884-B3V0,315	1.0000	RFQ	8176	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载					0000.00.0000	1																				900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V				3 V	95欧姆
NZX3V0B，133	0.0200	RFQ	45	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±3％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V				3 V	100欧姆
PHP18NQ11T，127	0.6000	RFQ	663	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHP18				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PMSTA3904,115	0.0200	RFQ	8177	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMSTA		200兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	200 ma	50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
PDZ5.1B145	-	RFQ	1365	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0050	1
BTA2008W-600D	-	RFQ	8340	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
BZX84-A4V7,215	-	RFQ	9157	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX84				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PDTA114YM，315	-	RFQ	7076	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA11				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
BTA212B-600F，118	-	RFQ	7375	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				D2PAK	下载				Ear99	8541.30.0080	134	单身的		30 ma											标准	600 v	12 a	1.5 v	95a，105a	25 ma
PBHV9115Z，115	-	RFQ	6995	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBHV9				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PBLS2003D，115	-	RFQ	7127	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS20				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
Pzu9.1b，115	-	RFQ	3096	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					pzu9.1				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
NZX7V5X，133	0.0200	RFQ	80	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					NZX7				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PEMB10115	-	RFQ	9249	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMB10		300MW	SOT-666	下载				Ear99	8541.21.0075	1																						50V	100mA	1µA			2（PNP 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	2.2kohms	47kohms
PZU3.6B1,115	-	RFQ	2897	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					pzu3.6				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PMBT4401,235	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT4				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000
PMBT6428,215	0.0200	RFQ	5168	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT6				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
PHB18NQ10T，118	0.4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	727		n通道		100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²