SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
BZX84J-C20,115 NXP USA Inc. BZX84J-C20,115 -
RFQ
ECAD 2285 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PMEG3005EJ,115 NXP USA Inc. PMEG3005EJ,115 0.0500
RFQ
ECAD 430 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMEG3005 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
BZV55-C2V4135 NXP USA Inc. BZV55-C2V4135 -
RFQ
ECAD 1614年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
PZTA14,135 NXP USA Inc. PZTA14,135 0.0900
RFQ
ECAD 9722 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 1.25 w SOT-223 下载 Ear99 8541.29.0075 200 30 V 500 MA 100NA npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 125MHz
PBLS2022D,115 NXP USA Inc. PBLS2022D,115 -
RFQ
ECAD 3235 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS20 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
1N4740A,113 NXP USA Inc. 1N4740A,113 0.0400
RFQ
ECAD 306 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 1N47 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000
BZX79-C2V7,133 NXP USA Inc. BZX79-C2V7,133 0.0200
RFQ
ECAD 209 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BLF6G27LS-40P,112 NXP USA Inc. BLF6G27LS-40P,112 75.6200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 65 v 表面安装 SOT-1121b 2.5GHz〜2.7GHz ldmos 最多 下载 Ear99 8541.29.0075 4 双重,共同来源 - 450 MA 12W 17.5db - 28 V
PZU24B3A,115 NXP USA Inc. PZU24B3A,115 0.0300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 320兆W SOD-323 下载 Ear99 8541.10.0050 11,010 1.1 V @ 100 mA 50 na @ 19 V 24 V 30欧姆
BAT54CM315 NXP USA Inc. BAT54CM315 1.0000
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAT54 下载 Ear99 8541.10.0070 1
BZX79-B24143 NXP USA Inc. BZX79-B24143 0.0200
RFQ
ECAD 124 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
BZX585-B6V8,135 NXP USA Inc. BZX585-B6V8,135 -
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX585 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BZX884-B36,315 NXP USA Inc. BZX884-B36,315 -
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 25.2 V 36 V 90欧姆
1N4728A,133 NXP USA Inc. 1N4728A,133 0.0400
RFQ
ECAD 52 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
PZU9.1B,115 NXP USA Inc. Pzu9.1b,115 -
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 pzu9.1 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BUK6607-75C,118 NXP USA Inc. BUK6607-75C,118 -
RFQ
ECAD 9969 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 75 v 100A(TC) 10V 7mohm @ 25a,10v 2.8V @ 1mA 123 NC @ 10 V ±16V 7600 PF @ 25 V - 204W(TC)
BZX84-C4V7,215 NXP USA Inc. BZX84-C4V7,215 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 2 V 4.7 v 80欧姆
BZX84-B3V3,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V3,215 -
RFQ
ECAD 3419 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C22,115 NXP USA Inc. BZX585-C22,115 0.0300
RFQ
ECAD 329 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX585 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BC847W,135 NXP USA Inc. BC847W,135 0.0200
RFQ
ECAD 650 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
BZV85-C12,133 NXP USA Inc. BZV85-C12,133 -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV85 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000
BCM61B,215 NXP USA Inc. BCM61B,215 -
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCM61 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BZV49-C18,115 NXP USA Inc. BZV49-C18,115 -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV49 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000
BUK762R6-60E,118 NXP USA Inc. BUK762R6-60E,118 -
RFQ
ECAD 6607 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 0000.00.0000 1 n通道 60 V 120A(TC) 10V 2.6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 140 NC @ 10 V ±20V 10170 pf @ 25 V - 324W(TC)
PMEG4005EGW,118 NXP USA Inc. PMEG4005EGW,118 -
RFQ
ECAD 5559 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BUK7608-40B,118 NXP USA Inc. BUK7608-40B,118 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk76 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
BZX585-B3V6,135 NXP USA Inc. BZX585-B3V6,135 -
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 300兆 SOD-523 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
1N4746A,133 NXP USA Inc. 1N4746A,133 0.0400
RFQ
ECAD 127 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Ear99 8541.10.0050 7,969 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
PMST5088,115 NXP USA Inc. PMST5088,115 0.0200
RFQ
ECAD 521 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 30 V 100 ma 50NA(iCBO) NPN 500mv @ 1mA,10mA 300 @ 100µA,5V 100MHz
BZX84-C11,235 NXP USA Inc. BZX84-C11,235 0.0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 11 V 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库