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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -测试 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BUK7C3R1-80EJ NXP USA Inc. BUK7C3R1-80EJ -
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) buk7c3 MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067493118 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 80 V - - - - -
BZX284-C5V6,115 NXP USA Inc. BZX284-C5V6,115 -
RFQ
ECAD 4189 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
PMP5501V,115 NXP USA Inc. PMP5501V,115 -
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMP5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 4,000
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. A2T21H140-24SR3 -
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v OM780-4 A2T21 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos OM780-4 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935340104128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 10µA 350 MA 169w 17.4db - 28 V
PSMN5R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127 -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN5 MOSFET (金属 o化物) TO-220F - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 61.8A(TC) 10V 5.6mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 145 NC @ 10 V ±20V 8061 PF @ 50 V - 60W(TC)
PMST3904,135 NXP USA Inc. PMST3904,135 -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMST3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
PBSS4160PANPS115 NXP USA Inc. PBSS4160PANPS115 0.1300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 2,423
EC103D1,116 NXP USA Inc. EC103D1,116 1.0000
RFQ
ECAD 3613 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) TO-92-3 下载 Ear99 8541.30.0080 1 5 ma 400 v 800 MA 800 mv 8a,9a 12 µA 1.35 v 500 MA 100 µA 敏感门
BZT52-C9V1115 NXP USA Inc. BZT52-C9V1115 -
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ECAD 8128 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZT52 下载 Ear99 8541.10.0050 1
BT131-600,116 NXP USA Inc. BT131-600,116 0.1200
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ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) TO-92-3 下载 Ear99 8541.30.0080 2,404 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 600 v 1 a 1.5 v 12.5a,13.8a 3 ma
MRF6S9125MBR1 NXP USA Inc. MRF6S9125MBR1 -
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ECAD 7183 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v TO-272-4 MRF6 880MHz ldmos TO-272 WB-4 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 950 MA 27W 20.2dB - 28 V
PMV185XN,215 NXP USA Inc. PMV185XN,215 -
RFQ
ECAD 7131 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMV1 MOSFET (金属 o化物) SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 1.1A(TA) 2.5V,4.5V 250MOHM @ 1.1A,4.5V 1.5V @ 250µA 1.3 NC @ 4.5 V ±12V 76 pf @ 15 V - 325MW(TA),1.275W(TC)
BTA316X-800E,127 NXP USA Inc. BTA316X-800E,127 -
RFQ
ECAD 1731年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TO-220F 下载 Ear99 8541.30.0080 1 单身的 15 ma 逻辑 -敏感门 800 v 16 a 1.5 v 140a,150a 10 MA
PBSS301ND,115 NXP USA Inc. PBSS301ND,115 -
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
A2T27S007NT1 NXP USA Inc. A2T27S007NT1 -
RFQ
ECAD 7529 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 28 V 表面安装 16-vdfn暴露垫 A2T27 728MHz〜3.6GHz ldmos 16-DFN (4x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 28.8dbm - -
BF861B,215 NXP USA Inc. BF861B,215 -
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 25 v 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BF861 - JFET SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 15mA - - -
BY459-1500,127 NXP USA Inc. BY459-1500,127 -
RFQ
ECAD 5328 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 BY45 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934031220127 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.3 V @ 6.5 A 350 ns 150°C (最大) 12a -
PSMN4R3-80ES,127 NXP USA Inc. PSMN4R3-80ES,127 1.1900
RFQ
ECAD 540 0.00000000 NXP USA Inc. * 管子 积极的 PSMN4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000
OT355,127 NXP USA Inc. OT355,127 -
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 - - - OT35 - - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934057936127 Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 标准 -
BZX84-A18,215 NXP USA Inc. BZX84-A18,215 0.1100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±1% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 2,681 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 18 V 45欧姆
PHP21N06T,127 NXP USA Inc. PHP21N06T,127 -
RFQ
ECAD 7939 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP21 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 21a(TC) 10V 75mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 13 NC @ 10 V ±20V 500 pf @ 25 V - 69W(TC)
BUK653R5-55C NXP USA Inc. BUK653R5-55C 1.0000
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
BUK953R5-60E,127 NXP USA Inc. BUK953R5-60E,127 0.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 60 V 120a(ta) 3.4mohm @ 25a,10v 2.1V @ 1mA 95 NC @ 5 V ±10V 13490 pf @ 25 V - 293W(ta)
MRF18085BLR3 NXP USA Inc. MRF18085BLR3 -
RFQ
ECAD 2443 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-780 MRF18 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 800 MA 90W 12.5db - 26 V
BCX52,115 NXP USA Inc. BCX52,115 0.0700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCX52 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000
BLF7G22L-130112 NXP USA Inc. BLF7G22L-130112 80.9000
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 5A991G 8541.29.0075 1
MRFE6S9205HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9205HSR5 -
RFQ
ECAD 6531 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 表面安装 NI-880S MRFE6 880MHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.4 a 58W 21.2db - 28 V
MRF7S19120NR1 NXP USA Inc. MRF7S19120NR1 -
RFQ
ECAD 3931 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 TO-270AB MRF7 1.99GHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 935322767528 Ear99 8541.29.0075 500 - 1.2 a 36W 18db - 28 V
MRF8S9220HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HSR3 -
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-780 MRF8 960MHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935310477128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 65W 19.4dB - 28 V
PZU3.6B1,115 NXP USA Inc. PZU3.6B1,115 -
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 pzu3.6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库