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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PZU3.9B1A，115	0.0300	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						pzu3.9					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PZU6.2B1A115	-	RFQ	7835	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载			Ear99	8541.10.0050	1
PDTA115EM，315	-	RFQ	9432	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PDTA11					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	10,000
NZX8V2B，133	0.0200	RFQ	51	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						NZX8					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BAS16W，135	0.0200	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	BAS16		标准		SOT-323	下载			Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	-65°C〜150°C	175ma	1.5pf @ 0v，1MHz
PMST5088,115	0.0200	RFQ	521	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载			Ear99	8541.21.0075	1																																	30 V	100 ma		50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	300 @ 100µA，5V	100MHz
PZU2.4B，115	-	RFQ	5729	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						pzu2.4					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PDZ4.7B，115	-	RFQ	7103	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PDZ4.7					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX84-B5V1,215	0.0200	RFQ	4217	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX84					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
ACT102H-600D，118	0.1400	RFQ	649	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						ACT10					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	2,500
CLF1G0035-100,112	-	RFQ	2135	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150 v		底盘安装	SOT-467C		3GHz	甘姆特		SOT467C	下载				0000.00.0000	1				-		330 MA	100W	12DB																	-										50 V
BUK6607-75C，118	-	RFQ	9969	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载			Ear99	8541.29.0095	1			n通道						75 v	100A（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	123 NC @ 10 V	±16V	7600 PF @ 25 V	-	204W（TC）
BZV55-C62,115	-	RFQ	9587	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZV55					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	2,500
BZX84J-B75115	1.0000	RFQ	5015	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				0000.00.0000	1
BZX79-C4V3,113	0.0200	RFQ	246	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX79					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BUK7Y12-100EX	-	RFQ	1251	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载			Ear99	8541.29.0095	1			n通道						100 v	85A（TC）	10V	12mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	5067 PF @ 25 V	-	238W（TC）
BUK7Y6R0-60EX	-	RFQ	7606	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载				0000.00.0000	1			n通道						60 V	100A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	45.4 NC @ 10 V	±20V	4021 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
BAS40-04,235	-	RFQ	6391	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BAS40					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	10,000
BAS16QA147	0.0200	RFQ	1658年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BAS16					下载			Ear99	8541.10.0070	10,300
BUK9230-100B，118	-	RFQ	9343	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk92					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BTA316-600B，127	-	RFQ	8385	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BTA31					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1,000
BUK9E04-40A，127	-	RFQ	7608	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载			Ear99	8541.29.0095	84			n通道						40 V	75A（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	128 NC @ 5 V	±15V	8260 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BZX79-B13,143	0.0200	RFQ	150	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载			Ear99	8541.10.0050	1																											900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V								13 V	30欧姆
BZX84-B5V6/DG/B4215	0.0700	RFQ	5471	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载			Ear99	8541.10.0050	3,400
BYC10D-600,127	0.3200	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2			标准		TO-220AC	下载			Ear99	8541.10.0080	740		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								500 v	2.5 V @ 10 A	18 ns	200 µA @ 600 V	150°C （最大）	10a	-
BZX79-B12,133	-	RFQ	2105	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX79					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZX79-C20,143	0.0200	RFQ	189	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载			Ear99	8541.10.0050	1																											900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V								20 v	55欧姆
BT131-600/DG，116	0.1000	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					TO-92-3	下载			Ear99	8541.30.0080	3,037	单身的				5 ma														逻辑 -敏感门	600 v	1 a	1.5 v	12.5a，13.8a	3 ma
BUK7275-100A，118	-	RFQ	4049	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk72					-	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
1N4736A，113	0.0400	RFQ	148	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						1N47					下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²