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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMZB350UPE,315 | - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XFDFN | MOSFET (金属 o化物) | DFN1006B-3 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | P通道 | 20 v | 1A(1A) | 1.8V,4.5V | 450MOHM @ 300mA,4.5V | 950mv @ 250µA | 1.9 NC @ 4.5 V | ±8V | 127 pf @ 10 V | - | 360MW(TA),3.125W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLS7G2933S-150,112 | 515.3300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 积极的 | 60 V | 底盘安装 | SOT-922-1 | 2.9GHz〜3.3GHz | ldmos | CDFM2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 4.2µA | 100 ma | 150W | 13.5dB | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S24250N-3STG | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | MRF7S24250 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 935345449598 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK654R0-75C,127 | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Buk65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 4.2MOHM @ 25A,10V | 2.8V @ 1mA | 234 NC @ 10 V | ±16V | 15450 pf @ 25 V | - | 306W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB4,115 | 0.0400 | ![]() | 56 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | PEMB4 | 300MW | SOT-666 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 PNP-) | 150MV @ 500µA,10mA | 200 @ 1mA,5V | - | 10KOHMS | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-108ES127 | - | ![]() | 4809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP54N06T,127 | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP54 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 55 v | 54A(TC) | 10V | 20mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1592 PF @ 25 V | - | 118W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V6,113 | 0.0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C4V7,215 | 0.0200 | ![]() | 5409 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,147 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04,235 | - | ![]() | 6391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BAS40 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54,235 | 0.0200 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 7,900 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200ma(dc) | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ15BGW115 | - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS2023D,115 | 0.1200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBLS20 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R8-120PSQ | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 177 | n通道 | 120 v | 70A(TC) | 10V | 7.9mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 167 NC @ 10 V | ±20V | 9473 PF @ 60 V | - | 349W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B2V4/DG/B2115 | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX384 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB10115 | - | ![]() | 9249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | PEMB10 | 300MW | SOT-666 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2(PNP 预偏(双重) | 100mV @ 250µA,5mA | 100 @ 10mA,5v | - | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX1214B300YI112 | 473.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-439A | 570W | CDFM2 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8DB | 60V | 21a | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA/JCOP/MF4K/4B-UZ | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMT21en,135 | - | ![]() | 8722 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | PMT2 | MOSFET (金属 o化物) | SC-73 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 30 V | 7.4a(ta) | 4.5V,10V | 21mohm @ 7.4a,10v | 2.5V @ 250µA | 14.4 NC @ 10 V | ±20V | 588 pf @ 15 V | - | 820MW(TA),8.33W(tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB123EU115 | 0.0400 | ![]() | 145 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6V122550HR5 | 434.5000 | ![]() | 7021 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 100 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF6V12250 | 1.03GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 ma | 275W | 20.3db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S21100H5 | - | ![]() | 9731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF8 | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | - | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18125AHR5 | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF7 | 1.88GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.1 a | 125W | 17dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF19045LR3 | - | ![]() | 3558 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | NI-400 | MRF19 | 1.93GHz | ldmos | NI-400-240 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 5A991G | 8542.31.0001 | 250 | - | 550 MA | 9.5W | 14.5db | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BQA147 | 1.0000 | ![]() | 6120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFE6VS25GNR1 | 37.1900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 133 v | 表面安装 | TO-270BA | MRFE6 | 512MHz | ldmos | TO-270-2鸥 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991G | 8541.29.0075 | 500 | - | 10 MA | 25W | 25.4db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PSMN7R5-25YLC,115 | - | ![]() | 9686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | PSMN7 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 25 v | 56A(TC) | 4.5V,10V | 7.4mohm @ 15a,10v | 1.95V @ 1mA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 921 PF @ 12 V | - | 42W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C51,115 | - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-110 | BZX284 | 400兆 | SOD-110 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 35.7 V | 51 v | 110欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF18030ALSR5 | - | ![]() | 9311 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | Ni-400s | MRF18 | 1.81GHZ〜1.88GHz | ldmos | Ni-400s | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 250 MA | 30W | 14dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZB784-C10,115 | 0.0300 | ![]() | 2051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 180兆 | SOT-323 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 9,453 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 |
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