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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
PMZB350UPE,315 NXP USA Inc. PMZB350UPE,315 -
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN MOSFET (金属 o化物) DFN1006B-3 下载 0000.00.0000 1 P通道 20 v 1A(1A) 1.8V,4.5V 450MOHM @ 300mA,4.5V 950mv @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 V ±8V 127 pf @ 10 V - 360MW(TA),3.125W(TC)
BLS7G2933S-150,112 NXP USA Inc. BLS7G2933S-150,112 515.3300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 60 V 底盘安装 SOT-922-1 2.9GHz〜3.3GHz ldmos CDFM2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 4.2µA 100 ma 150W 13.5dB - 32 v
MRF7S24250N-3STG NXP USA Inc. MRF7S24250N-3STG -
RFQ
ECAD 2591 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 MRF7S24250 - rohs3符合条件 到达不受影响 935345449598 0000.00.0000 1
BUK654R0-75C,127 NXP USA Inc. BUK654R0-75C,127 -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk65 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 120A(TC) 4.5V,10V 4.2MOHM @ 25A,10V 2.8V @ 1mA 234 NC @ 10 V ±16V 15450 pf @ 25 V - 306W(TC)
PEMB4,115 NXP USA Inc. PEMB4,115 0.0400
RFQ
ECAD 56 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 PEMB4 300MW SOT-666 下载 Ear99 8541.21.0095 1 50V 100mA 1µA 2 PNP-) 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V - 10KOHMS -
PSMN8R5-108ES127 NXP USA Inc. PSMN8R5-108ES127 -
RFQ
ECAD 4809 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
PHP54N06T,127 NXP USA Inc. PHP54N06T,127 -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP54 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 54A(TC) 10V 20mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 1592 PF @ 25 V - 118W(TC)
BZX79-C3V6,113 NXP USA Inc. BZX79-C3V6,113 0.0200
RFQ
ECAD 220 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
BZB84-C4V7,215 NXP USA Inc. BZB84-C4V7,215 0.0200
RFQ
ECAD 5409 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 4,147 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 2 V 4.7 v 80欧姆
BAS40-04,235 NXP USA Inc. BAS40-04,235 -
RFQ
ECAD 6391 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAS40 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000
BAT54S,235 NXP USA Inc. BAT54,235 0.0200
RFQ
ECAD 6647 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0070 7,900 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C (最大)
PDZ15BGW115 NXP USA Inc. PDZ15BGW115 -
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
PBLS2023D,115 NXP USA Inc. PBLS2023D,115 0.1200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS20 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PSMN7R8-120PSQ NXP USA Inc. PSMN7R8-120PSQ -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 Ear99 8541.29.0095 177 n通道 120 v 70A(TC) 10V 7.9mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 167 NC @ 10 V ±20V 9473 PF @ 60 V - 349W(TC)
BZX384-B2V4/DG/B2115 NXP USA Inc. BZX384-B2V4/DG/B2115 0.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX384 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 6,000
PEMB10115 NXP USA Inc. PEMB10115 -
RFQ
ECAD 9249 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 PEMB10 300MW SOT-666 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50V 100mA 1µA 2(PNP 预偏(双重) 100mV @ 250µA,5mA 100 @ 10mA,5v - 2.2kohms 47kohms
RX1214B300YI112 NXP USA Inc. RX1214B300YI112 473.2400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-439A 570W CDFM2 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1 8DB 60V 21a NPN
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ NXP USA Inc. CA/JCOP/MF4K/4B-UZ -
RFQ
ECAD 8812 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
PMT21EN,135 NXP USA Inc. PMT21en,135 -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA PMT2 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 7.4a(ta) 4.5V,10V 21mohm @ 7.4a,10v 2.5V @ 250µA 14.4 NC @ 10 V ±20V 588 pf @ 15 V - 820MW(TA),8.33W(tc)
PDTB123EU115 NXP USA Inc. PDTB123EU115 0.0400
RFQ
ECAD 145 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
MRF6V12250HR5 NXP USA Inc. MRF6V122550HR5 434.5000
RFQ
ECAD 7021 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 100 v 底盘安装 SOT-957A MRF6V12250 1.03GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 100 ma 275W 20.3db - 50 V
MRF8S21100HR5 NXP USA Inc. MRF8S21100H5 -
RFQ
ECAD 9731 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 2.17GHz MOSFET NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 - 700 MA 24W 18.3db - 28 V
MRF7S18125AHR5 NXP USA Inc. MRF7S18125AHR5 -
RFQ
ECAD 5185 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.88GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.1 a 125W 17dB - 28 V
MRF19045LR3 NXP USA Inc. MRF19045LR3 -
RFQ
ECAD 3558 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-400 MRF19 1.93GHz ldmos NI-400-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 250 - 550 MA 9.5W 14.5db - 26 V
BC847BQA147 NXP USA Inc. BC847BQA147 1.0000
RFQ
ECAD 6120 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 5,000
MRFE6VS25GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VS25GNR1 37.1900
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 表面安装 TO-270BA MRFE6 512MHz ldmos TO-270-2鸥 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 500 - 10 MA 25W 25.4db - 50 V
PSMN7R5-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN7R5-25YLC,115 -
RFQ
ECAD 9686 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN7 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 56A(TC) 4.5V,10V 7.4mohm @ 15a,10v 1.95V @ 1mA 15 NC @ 10 V ±20V 921 PF @ 12 V - 42W(TC)
BZX284-C51,115 NXP USA Inc. BZX284-C51,115 -
RFQ
ECAD 7630 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 35.7 V 51 v 110欧姆
MRF18030ALSR5 NXP USA Inc. MRF18030ALSR5 -
RFQ
ECAD 9311 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 Ni-400s MRF18 1.81GHZ〜1.88GHz ldmos Ni-400s 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 250 MA 30W 14dB - 26 V
BZB784-C10,115 NXP USA Inc. BZB784-C10,115 0.0300
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 SC-70,SOT-323 180兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.10.0050 9,453 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库