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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BFG520/X，215	-	RFQ	3958	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG52			300MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																			15V	70mA					NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
MRF8S26060HSR3	-	RFQ	6622	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF8	2.69GHz	ldmos		NI-400S-2S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321447118	5A991G	8541.29.0075	250				-	450 MA	15.5W	16.3db											-										28 V
MRF9030LSR1	-	RFQ	5222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v			NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500				-	250 MA	30W	19db											-										26 V
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
ON5275,135	-	RFQ	2230	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5275	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058851135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-			-		-	-											-
BLF8G10L-160V，118	-	RFQ	2946	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						BLF8					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066408118	Ear99	8541.29.0075	100
MRFG35010NR5	-	RFQ	4367	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		15 v			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-	180 MA	9W	10dB											-										12 v
A2T07H310-24SR6	-	RFQ	7187	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		70 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	A2T07	880MHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935312272128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的			-	700 MA	47W	18.6dB											-										28 V
BZV85-C7V5,113	0.0400	RFQ	122	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZV85					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000
PH2369,116	-	RFQ	2145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PH23			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																										15 v	200 ma		400NA（ICBO）			NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	500MHz
PDTD123YQA147	1.0000	RFQ	2873	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2PB709AQW，115	-	RFQ	6686	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pb70			200兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										45 v	100 ma		10NA（ICBO）			PNP	500mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	60MHz
MRF6S19100HSR5	-	RFQ	1000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-	900 MA	22W	16.1db											-										28 V
MRFE6S9160HSR3	-	RFQ	1316	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		66 v		底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319257128	Ear99	8541.29.0075	250				-	1.2 a	35W	21dB											-										28 V
MMRF1304LR5	-	RFQ	6321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		133 v		底盘安装	NI-360	MMRF1	512MHz	ldmos		NI-360	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311475178	Ear99	8541.29.0075	50				-	10 MA	25W	25.9db											-										50 V
BF998,235	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF998	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934002640235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门			30mA	10 MA	-	-											0.6dB										8 V
AFT21S140W02GSR3	-	RFQ	8192	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-780GS-2L	AFT21	2.14GHz	ldmos		NI-780GS-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935324832128	5A991G	8541.29.0075	250				-	800 MA	32W	19.3db											-										28 V
BUK7628-100A/C，118	-	RFQ	6717	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7628		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934060683118	Ear99	8541.29.0095	800			n通道					100 v	47A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3100 pf @ 25 V	-	166W（TC）
AFT09MS007NT1	4.5800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		30 V		表面安装	PLD-1.5W	AFT09	870MHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				-	100 ma	7.3W	15.2db											-										7.5 v
ON5449,518	-	RFQ	2421	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					-	ON5449	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288031518	Ear99	8541.29.0095	600	-			-		-	-											-
MMRF1312HSR5	653.5300	RFQ	36	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		112 v		底盘安装	NI-1230-4S	MMRF1312	1.034GHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-	100 ma	1000W	19.6dB											-										50 V
BZX84-C3V0/LF1VL	-	RFQ	7055	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-C3V0			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069469235	Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V								3 V	95欧姆
PDTD123EK，115	-	RFQ	1838年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTD123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																										50 V	500 MA		500NA			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	40 @ 50mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
BF1203,115	-	RFQ	5300	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		10 v		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门			30mA	15 ma	-	27dB											1dB										5 v
BY329X-1500,127	-	RFQ	8881	NXP USA Inc.	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-2完整包	By32		标准		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934054895127	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1500 v	1.45 V @ 6.5 A	230 ns		150°C （最大）	6a	-
MRF9045LR1	-	RFQ	9782	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500				-	350 MA	45W	18.8db											-										28 V
PHD22NQ20T，118	-	RFQ	7617	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD22		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					200 v	21.1a（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	4V @ 1mA	30.8 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	150W（TC）
PMEM1505NG，115	-	RFQ	8981	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			125°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	PMEM1			300兆	5-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																										15 v	500 MA		100NA（ICBO）			NPN +二极管（隔离）	250mv @ 50mA，500mA	150 @ 100mA，2V	420MHz
BCX71K，215	0.0200	RFQ	19	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										45 v	100 ma		20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	100MHz
BSP126,115	-	RFQ	7230	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BSP1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²