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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZB84-C3V9215	0.0200	RFQ	39	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8541.10.0050	1
BTA316X-800E，127	-	RFQ	1731年	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡					TO-220F	下载				Ear99	8541.30.0080	1	单身的				15 ma														逻辑 -敏感门	800 v	16 a	1.5 v	140a，150a	10 MA
BZX84J-C22,115	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	11,823																											1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 15.4 V								22 v	25欧姆
BZV49-C4V7,115	-	RFQ	7647	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89	下载				Ear99	8541.10.0050	1																											1 V @ 50 mA	3 µA @ 2 V								4.7 v	80欧姆
BZX884-C15,315	-	RFQ	2528	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX884					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PH5830DL，115	0.2200	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	1
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8541.10.0050	1
BUK762R6-40E118	-	RFQ	3400	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	1
PMST6429,115	0.0200	RFQ	941	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载				Ear99	8541.21.0075	1																																45 v	100 ma		10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	500 @ 100µA，5V	700MHz
BCP56-10115	1.0000	RFQ	5217	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8541.29.0075	1
BLF8G09LS-400PGWQ	80.1400	RFQ	29	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		65 v		底盘安装	SOT-1242C		718.5MHz〜725.5MHz	ldmos		CDFM8	下载				Ear99	8541.29.0075	4	双重，共同来源			-		3.4 a	95W	20.6dB																	-									28 V
BZX84-C6V2,215	0.0200	RFQ	363	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX84					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX79-B36,133	0.0200	RFQ	16	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	16,000																											900 mv @ 10 ma	50 NA @ 25.2 V								36 V	90欧姆
BZX79-B3V3,133	0.0200	RFQ	70	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																											900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V								3.3 v	95欧姆
BC53-16PA，115	-	RFQ	8453	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	BC53			420兆W	3-Huson（2x2）	下载					0000.00.0000	1																																80 V	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BZX585-B4V3,115	-	RFQ	3051	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载				Ear99	8541.10.0050	1																											1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V								4.3 v	90欧姆
BZX585-C15135	-	RFQ	6479	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1																											1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 10.5 V								15 v	15欧姆
PBRP123ET，215	-	RFQ	3083	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBRP12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000
BTA2008-800E，412	0.1600	RFQ	9	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					TO-92-3	下载				Ear99	8541.30.0080	1,847	单身的				12 ma														逻辑 -敏感门	800 v	800 MA	2 v	9a，10a	10 MA
BB208-03	1.0000	RFQ	7378	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					0000.00.0000	1
BUK969R3-100E，118	1.1100	RFQ	8475	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道						100 v	100A（TC）	5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	94.3 NC @ 5 V	±10V	11650 pf @ 25 V	-	263W（TC）
BZX384-C2V7,115	0.0200	RFQ	5558	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX384					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PMBS3906,215	-	RFQ	2870	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMBS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PZU30BA115	-	RFQ	3019	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8541.10.0050	1
PSMN5R3-25MLDX	1.0000	RFQ	5003	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK33	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道						25 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 1mA	12.7 NC @ 10 V	±20V	858 pf @ 12 V	（（（）	51W（TC）
PZU3.6B2,115	-	RFQ	9289	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						pzu3.6					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PMBT2907A，215	-	RFQ	2881	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PMBT2907					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PMEG3005EB115	-	RFQ	9127	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	SC-79，SOD-523	PMEG3005		肖特基		SOD-523	下载				Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								30 V	500 mv @ 500 mA	500 µA @ 30 V	150°C （最大）	500mA	30pf @ 1V，1MHz
NZX36X，133	0.0200	RFQ	48	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						NZX3					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PHB18NQ10T，118	0.4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	727			n通道						100 v	18A（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²