RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTA113EE，115	-	RFQ	5506	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA113			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																									50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 1.5mA，30mA	30 @ 40mA，5V		1 kohms	1 kohms
PHD110NQ03LT，118	-	RFQ	3628	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	博士学位		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						25 v	75A（TC）	5V，10V	4.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MRF19085LR5	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF19	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-		850 MA	18W	13DB																	-			26 V
BTA316X-600E/DG12	0.4700	RFQ	7182	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	567
BT136-600/DG，127	1.0000	RFQ	9564	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的			15 ma														标准	600 v	4 a	1.5 v	25a，27a	35 MA
BTA212-800B，127	0.4500	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	481	单身的			60 ma														标准	800 v	12 a	1.5 v	95a，105a	50 mA
2PA1015GR，126	-	RFQ	5321	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PA10			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																									50 V	150 ma		100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET		NI-880X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314716178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		-		1.3 a	50W	17.8db																	-			30 V
PHU77NQ03T，127	-	RFQ	8351	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU77		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						25 v	75A（TC）	10V	9.5MOHM @ 25A，10V	3.2V @ 1mA	17.1 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 12 V	-	107W（TC）
BUK7Y6R0-60EX	-	RFQ	7606	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道						60 V	100A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	45.4 NC @ 10 V	±20V	4021 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
BFG520/X，215	-	RFQ	3958	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG52			300MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																		15V	70mA			NPN		60 @ 20mA，6v	9GHz			1.1db〜2.1dB @ 900MHz
MRF8S26060HSR3	-	RFQ	6622	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF8	2.69GHz	ldmos		NI-400S-2S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321447118	5A991G	8541.29.0075	250			-		450 MA	15.5W	16.3db																	-			28 V
MRF9030LSR1	-	RFQ	5222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			NI-360S	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-		250 MA	30W	19db																	-			26 V
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
ON5275,135	-	RFQ	2230	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON5275	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934058851135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-			-	-																	-
BLF8G10L-160V，118	-	RFQ	2946	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BLF8					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066408118	Ear99	8541.29.0075	100
MRFG35010NR5	-	RFQ	4367	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		180 MA	9W	10dB																	-			12 v
A2T07H310-24SR6	-	RFQ	7187	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-1230-4LS2L	A2T07	880MHz	ldmos		NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935312272128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-		700 MA	47W	18.6dB																	-			28 V
BZV85-C7V5,113	0.0400	RFQ	122	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZV85					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000
PH2369,116	-	RFQ	2145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PH23			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																									15 v	200 ma		400NA（ICBO）	NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	500MHz
PDTD123YQA147	1.0000	RFQ	2873	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2PB709AQW，115	-	RFQ	6686	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pb70			200兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																									45 v	100 ma		10NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	60MHz
MRF6S19100HSR5	-	RFQ	1000	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		900 MA	22W	16.1db																	-			28 V
MRFE6S9160HSR3	-	RFQ	1316	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319257128	Ear99	8541.29.0075	250			-		1.2 a	35W	21dB																	-			28 V
MMRF1304LR5	-	RFQ	6321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	133 v		底盘安装	NI-360	MMRF1	512MHz	ldmos		NI-360	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311475178	Ear99	8541.29.0075	50			-		10 MA	25W	25.9db																	-			50 V
BF998,235	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF998	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934002640235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		30mA		10 MA	-	-																	0.6dB			8 V
AFT21S140W02GSR3	-	RFQ	8192	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780GS-2L	AFT21	2.14GHz	ldmos		NI-780GS-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935324832128	5A991G	8541.29.0075	250			-		800 MA	32W	19.3db																	-			28 V
BUK7628-100A/C，118	-	RFQ	6717	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7628		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934060683118	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	47A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3100 pf @ 25 V	-	166W（TC）
AFT09MS007NT1	4.5800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	PLD-1.5W	AFT09	870MHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-		100 ma	7.3W	15.2db																	-			7.5 v
ON5449,518	-	RFQ	2421	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5449	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288031518	Ear99	8541.29.0095	600	-		-			-	-																	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²