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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (ih)(IH)) (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 电容比 电容比条件
BT138-800/DG,127 NXP USA Inc. BT138-800/DG,127 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TO-220AB 下载 Ear99 8541.30.0080 642 单身的 30 ma 标准 800 v 12 a 1.5 v 95a,105a 35 MA
2PB709ARL,215 NXP USA Inc. 2PB709ARL,215 0.0200
RFQ
ECAD 199 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 2pb70 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BZX79-B27,133 NXP USA Inc. BZX79-B27,133 0.0200
RFQ
ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80欧姆
BC857,215 NXP USA Inc. BC857,215 0.0200
RFQ
ECAD 88 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC857 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BZX79-B7V5133 NXP USA Inc. BZX79-B7V5133 -
RFQ
ECAD 8113 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
BZB784-C5V6,115 NXP USA Inc. BZB784-C5V6,115 1.0000
RFQ
ECAD 2211 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 SC-70,SOT-323 350兆 SOT-323 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
BZB84-C30,215 NXP USA Inc. BZB84-C30,215 0.0200
RFQ
ECAD 59 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 21 V 30 V 80欧姆
BC848B,215 NXP USA Inc. BC848B,215 0.0200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC84 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BC847W,115 NXP USA Inc. BC847W,115 -
RFQ
ECAD 3403 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC84 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BZX79-B3V6,143 NXP USA Inc. BZX79-B3V6,143 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
BC847BQAZ NXP USA Inc. BC847BQAZ -
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-XDFN暴露垫 280兆 DFN1010D-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5v 100MHz
BZX84-C5V6,235 NXP USA Inc. BZX84-C5V6,235 0.0200
RFQ
ECAD 73 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
NZX2V4B,133 NXP USA Inc. NZX2V4B,133 0.0200
RFQ
ECAD 134 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX2 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PHB27NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB27NQ10T,118 -
RFQ
ECAD 7872 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PHB27 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT,118 0.3700
RFQ
ECAD 978 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 n通道 55 v 19a(tc) 5V,10V 70mohm @ 10a,10v 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 V ±15V 650 pf @ 25 V - 56W(TC)
PZU16B3,115 NXP USA Inc. PZU16B3,115 -
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Pzu16 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PDZ27B,115 NXP USA Inc. PDZ27B,115 -
RFQ
ECAD 5041 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDZ27 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
BFS20,215 NXP USA Inc. BFS20,215 -
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BFS20 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
PEMD15,115 NXP USA Inc. PEMD15,115 0.0600
RFQ
ECAD 8863 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SOT-563,SOT-666 PEMD15 300MW SOT-666 下载 Ear99 8541.21.0075 3,400 50V 100mA 1µA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 10mA,5V - 4.7kohms 4.7kohms
BCW31,215 NXP USA Inc. BCW31,215 0.0300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 0000.00.0000 11,493 32 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN 210mv @ 2.5mA,50mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
BCX17,235 NXP USA Inc. BCX17,235 0.0300
RFQ
ECAD 133 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0095 10,927 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 620mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 80MHz
BCX19,235 NXP USA Inc. BCX19,235 -
RFQ
ECAD 4304 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 620mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
BB156135 NXP USA Inc. BB156135 0.2800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 SOD-323 下载 Ear99 8541.10.0070 1 5.4pf @ 7.5V,1MHz 单身的 10 v 3.9 C1/C7.5
BB181 NXP USA Inc. BB181 -
RFQ
ECAD 6212 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
PMST3906,135 NXP USA Inc. PMST3906,135 0.0200
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 14,774 40 V 200 ma 50NA(iCBO) PNP 400mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 250MHz
BUK765R2-40B,118 NXP USA Inc. BUK765R2-40B,118 0.7900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 379 n通道 40 V 75A(TC) 10V 5.2MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 3789 PF @ 25 V - 203W(TC)
BZX79-C3V6,113 NXP USA Inc. BZX79-C3V6,113 0.0200
RFQ
ECAD 220 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
PDTA123EMB,315 NXP USA Inc. PDTA123EMB,315 0.0300
RFQ
ECAD 139 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 PDTA123 250兆 DFN1006B-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 20mA,5v 180 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
BC51-16PASX NXP USA Inc. BC51-16PASX 0.0600
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-udfn裸露的垫子 420兆W DFN2020d-3 下载 Ear99 8541.29.0075 1 45 v 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
BZT52-C33115 NXP USA Inc. BZT52-C33115 1.0000
RFQ
ECAD 3831 0.00000000 NXP USA Inc. BZT52 大部分 积极的 ±6.06% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 BZT52 350兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 23.1 V 33 V 40欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库