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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 电容比 | 电容比条件 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BT138-800/DG,127 | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220AB | 下载 | Ear99 | 8541.30.0080 | 642 | 单身的 | 30 ma | 标准 | 800 v | 12 a | 1.5 v | 95a,105a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB709ARL,215 | 0.0200 | ![]() | 199 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 2pb70 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,133 | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857,215 | 0.0200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BC857 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B7V5133 | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZB784-C5V6,115 | 1.0000 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 350兆 | SOT-323 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C30,215 | 0.0200 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 21 V | 30 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848B,215 | 0.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BC84 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847W,115 | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BC84 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V6,143 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BQAZ | - | ![]() | 9543 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XDFN暴露垫 | 280兆 | DFN1010D-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 400mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C5V6,235 | 0.0200 | ![]() | 73 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX2V4B,133 | 0.0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB27NQ10T,118 | - | ![]() | 7872 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PHB27 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB21N06LT,118 | 0.3700 | ![]() | 978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | n通道 | 55 v | 19a(tc) | 5V,10V | 70mohm @ 10a,10v | 2V @ 1mA | 9.4 NC @ 5 V | ±15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU16B3,115 | - | ![]() | 3131 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | Pzu16 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ27B,115 | - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDZ27 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFS20,215 | - | ![]() | 2658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BFS20 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD15,115 | 0.0600 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | PEMD15 | 300MW | SOT-666 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,400 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 150MV @ 500µA,10mA | 30 @ 10mA,5V | - | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW31,215 | 0.0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | 0000.00.0000 | 11,493 | 32 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 210mv @ 2.5mA,50mA | 110 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX17,235 | 0.0300 | ![]() | 133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,927 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 620mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX19,235 | - | ![]() | 4304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 620mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB156135 | 0.2800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | SOD-323 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 5.4pf @ 7.5V,1MHz | 单身的 | 10 v | 3.9 | C1/C7.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB181 | - | ![]() | 6212 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMST3906,135 | 0.0200 | ![]() | 1006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 14,774 | 40 V | 200 ma | 50NA(iCBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK765R2-40B,118 | 0.7900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 379 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 25A,10V | 4V @ 1mA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 3789 PF @ 25 V | - | 203W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V6,113 | 0.0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123EMB,315 | 0.0300 | ![]() | 139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | PDTA123 | 250兆 | DFN1006B-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 ma | 1µA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 30 @ 20mA,5v | 180 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC51-16PASX | 0.0600 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-udfn裸露的垫子 | 420兆W | DFN2020d-3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52-C33115 | 1.0000 | ![]() | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | BZT52 | 大部分 | 积极的 | ±6.06% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52 | 350兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 23.1 V | 33 V | 40欧姆 |
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