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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
BAW62,143 NXP USA Inc. BAW62,143 -
RFQ
ECAD 5667 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAW62 标准 Alf2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 75 v 1 V @ 100 ma 4 ns 5 µA @ 75 V 200°C (最大) 250mA 2pf @ 0v,1MHz
ACTT8B-800CTN118 NXP USA Inc. ACTT8B-800CTN118 -
RFQ
ECAD 5442 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8541.30.0080 1
PMV62XN215 NXP USA Inc. PMV62XN215 0.0400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
PHB176NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB176NQ04T,118 -
RFQ
ECAD 2086 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB17 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 75A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 68.9 NC @ 10 V ±20V 3620 PF @ 25 V - 250W(TC)
BZX284-B10,115 NXP USA Inc. BZX284-B10,115 -
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 200 na @ 7 V 10 v 10欧姆
PHK12NQ03LT,518 NXP USA Inc. PHK12NQ03LT,518 -
RFQ
ECAD 3662 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PHK12 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
PHP110NQ08LT,127 NXP USA Inc. PHP110NQ08LT,127 -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP11 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 75A(TC) 4.5V,10V 8.5mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 127.3 NC @ 10 V ±20V 6631 PF @ 25 V - 230W(TC)
PZM20NB,115 NXP USA Inc. PZM20NB,115 -
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM20 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 na @ 15 V 20 v 20欧姆
NZH6V2B,115 NXP USA Inc. NZH6V2B,115 -
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZH6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PMMT591A,215 NXP USA Inc. PMMT591A,215 -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMMT5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
PZU12B,115 NXP USA Inc. PZU12B,115 -
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PZU12 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PZU5.6BL315 NXP USA Inc. PZU5.6BL315 -
RFQ
ECAD 3584 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1 1.1 V @ 100 mA 1 µA @ 2.5 V 5.6 v 40欧姆
BC638,126 NXP USA Inc. BC638,126 -
RFQ
ECAD 8083 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 100MHz
BUK969R0-60E,118 NXP USA Inc. BUK969R0-60E,118 -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 75A(TC) 5V 8mohm @ 20a,10v 2.1V @ 1mA 29.8 NC @ 5 V ±10V 4350 pf @ 25 V - 137W(TC)
BUK6C2R1-55C,118-NX NXP USA Inc. BUK6C2R1-55C,118-nx -
RFQ
ECAD 1965年 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 55 v 228a(TC) 10V 2.3MOHM @ 90A,10V 2.8V @ 1mA 253 NC @ 10 V ±16V 16000 PF @ 25 V - 300W(TC)
PHP71NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP71NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP71 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 75A(TC) 5V,10V 10mohm @ 25a,10v 2.5V @ 1mA 13.2 NC @ 5 V ±20V 1220 pf @ 25 V - 120W(TC)
PEMD6,115 NXP USA Inc. PEMD6,115 -
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PEMD6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
PMBTA42,185 NXP USA Inc. PMBTA42,185 0.0200
RFQ
ECAD 4801 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMBTA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 30,000
BAS16/DG/B4215 NXP USA Inc. BAS16/DG/B4215 0.0200
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAS16 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 5,800
BFG92A/X,215 NXP USA Inc. BFG92A/X,215 -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG92 400MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA NPN 65 @ 15mA,10v 5GHz 2db〜3dB @ 1GHz〜2GHz
BUK9524-55A,127 NXP USA Inc. BUK9524-55A,127 -
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 46A(TC) 4.5V,10V 21.7mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±10V 1815 PF @ 25 V - 105W(TC)
PSMN9R0-30YL,115 NXP USA Inc. psmn9r0-30yl,115 -
RFQ
ECAD 3614 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN9 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 61A(TC) 4.5V,10V 8mohm @ 15a,10v 2.15V @ 1mA 17.8 NC @ 10 V ±20V 1006 pf @ 12 V - 46W(TC)
BF1100WR,115 NXP USA Inc. BF1100WR,115 -
RFQ
ECAD 6703 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 14 V 表面安装 SC-82A,SOT-343 BF110 800MHz MOSFET CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - - 2DB 9 V
BUK9880-55/CU135 NXP USA Inc. BUK9880-55/CU135 -
RFQ
ECAD 2269 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 4,000
BTA202X-800D,127 NXP USA Inc. BTA202X-800D,127 0.2400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TO-220F 下载 Ear99 8541.30.0080 995 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 800 v 2 a 1.5 v 14a,15.4a 5 ma
1N4743A,113 NXP USA Inc. 1N4743A,113 0.0400
RFQ
ECAD 408 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 1N47 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000
BC56-16PAS115 NXP USA Inc. BC56-16PAS115 1.0000
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
PMEG6020ETP/B115 NXP USA Inc. PMEG6020ETP/B115 0.1200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMEG6020 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 3,000
PMEG2005AESFC315 NXP USA Inc. PMEG2005AESFC315 0.0400
RFQ
ECAD 135 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 9,000
BZX79-B6V8,113 NXP USA Inc. BZX79-B6V8,113 0.0200
RFQ
ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库