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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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BZX84-C5V1/DG/B3235	-	RFQ	5780	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	10,000
BZX84-C7V5/DG/B3215	0.0200	RFQ	1612	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	9,000
BZX84-A4V7/DG/B3215	0.1800	RFQ	164	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	3,000
PMV45EN2215	-	RFQ	4632	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
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PMV50XP215	0.0800	RFQ	26	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMV50				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,836
PMZB150Une315	-	RFQ	2485	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	10,000
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PDZ4.3B145	0.0200	RFQ	120	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	10,000
PMXB360ENEA147	1.0000	RFQ	7408	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	5,000
PSMN1RS-40ES127	-	RFQ	7331	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BUK6218-40C	-	RFQ	6178	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V		1170 pf @ 25 V		60W（TC）
BUK6E3R4-40C，127	0.5500	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					buk6				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PSMN070-200P，127-nxp	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,000	n通道	200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
BUK7909-75AIE，127	0.9200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk79				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7575-100A，127	0.3300	RFQ	10	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	23a（23A）		75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	99w（ta）
BUK9506-40B，127	0.5200	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BZV90-C7V5115	1.0000	RFQ	5758	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1												1 V @ 50 mA	1 µA @ 5 V	7.5 v	15欧姆
BZX585-C4V3135	1.0000	RFQ	5859	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1												1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V	4.3 v	90欧姆
BUK754R0-55B，127	0.7700	RFQ	959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	86 NC @ 10 V	±20V	6776 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BLF184XR112	564.5800	RFQ	80	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BUK7C10-75AITE，118	-	RFQ	6965	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					buk7				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
PH3120L，115-nxp	-	RFQ	3809	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,500	n通道	20 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48.5 NC @ 4.5 V	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
PHP45NQ11T，127	0.4100	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					PHP45				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7508-55A，127	-	RFQ	6763	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W（TA）
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
PHB21N06LT，118	0.3700	RFQ	978	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1	n通道	55 v	19a（tc）	5V，10V	70mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	9.4 NC @ 5 V	±15V	650 pf @ 25 V	-	56W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²