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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BYV25FX-600,127	0.2900	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F	下载				Ear99	8541.10.0080	875		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.9 V @ 5 A	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
BYV40E-150,115	0.2900	RFQ	14	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	byv40	标准		SOT-223	下载				Ear99	8541.10.0080	1,031		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	150 v	1.5a	1 V @ 1.5 A	25 ns	10 µA @ 150 V	150°C （最大）
BZX84-C3V6	-	RFQ	7906	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					0000.00.0000	1
PZU22B，115	-	RFQ	7008	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PZU22				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BAT54C，235	1.0000	RFQ	2481	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基		SOT-23	下载				Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
BZB84-B12,215	-	RFQ	7248	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-B12		300兆	TO-236AB	下载					0000.00.0000	1	1对公共阳极																900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							12 v	25欧姆
BZB784-C7V5,115	0.0300	RFQ	28	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZB784				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
MW7IC2020NT1528	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MW7IC				下载					0000.00.0000	1
BZV85-C56,133	0.0300	RFQ	52	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	1																	1 V @ 50 mA		50 NA @ 39 V							56 v	150欧姆
BUK7K134-100EX	-	RFQ	1443	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K134	MOSFET （金属 o化物）	32W	LFPAK56D	下载				Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			100V	9.8a		121MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	10.5NC @ 10V		564pf @ 25V	-
BZX79-C5V1,113	0.0200	RFQ	233	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BZX79				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
2PA1576S，115	0.0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
NZX2V4B，133	0.0200	RFQ	134	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					NZX2				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000
PHB27NQ10T，118	-	RFQ	7872	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHB27				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800
PHB21N06LT，118	0.3700	RFQ	978	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			n通道	55 v	19a（tc）	5V，10V	70mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	9.4 NC @ 5 V	±15V	650 pf @ 25 V	-	56W（TC）
BZX79-B16,113	0.0200	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V							16 V	40欧姆
PSMN2R7-30BL，118	0.7500	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	436			n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	3954 pf @ 15 V	-	170W（TC）
PSMN2R9-25YLC，115	-	RFQ	7671	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN2				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,500
psmn3r5-30yl，115	-	RFQ	4239	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN3				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
BZV55-C27,135	0.0200	RFQ	57	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载				Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V							27 V	80欧姆
BSP126,115	-	RFQ	7230	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSP1				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BC51-16PASX	0.0600	RFQ	2482	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			420兆W	DFN2020d-3	下载				Ear99	8541.29.0075	1																							45 v	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BZT52-C33115	1.0000	RFQ	3831	NXP USA Inc.	BZT52	大部分	积极的	±6.06％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZT52		350兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V							33 V	40欧姆
BCW31,215	0.0300	RFQ	42	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载					0000.00.0000	11,493																							32 v	100 ma	100NA（ICBO）			NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PEMD15,115	0.0600	RFQ	8863	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMD15		300MW	SOT-666	下载				Ear99	8541.21.0075	3,400																							50V	100mA	1µA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	-	4.7kohms	4.7kohms
BUK765R2-40B，118	0.7900	RFQ	13	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	379			n通道	40 V	75A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3789 PF @ 25 V	-	203W（TC）
BZX79-C3V6,113	0.0200	RFQ	220	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载				Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V							3.6 v	90欧姆
PDTA123EMB，315	0.0300	RFQ	139	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA123		250兆	DFN1006B-3	下载				Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	100 ma	1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v	180 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
PZU16B3,115	-	RFQ	3131	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Pzu16				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
PDZ27B，115	-	RFQ	5041	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDZ27				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²