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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BZV55-C2V7,115 NXP USA Inc. BZV55-C2V7,115 -
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV55 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500
BSR31,135 NXP USA Inc. BSR31,135 -
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSR3 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
BZX79-C68,133 NXP USA Inc. BZX79-C68,133 0.0200
RFQ
ECAD 58 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 47.6 V 68 v 240欧姆
PZM8.2NB3,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB3,115 -
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM8.2 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 700 na @ 5 V 8.2 v 10欧姆
MRFE8VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE8VP8600HSR5 155.8210
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ECAD 3586 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 115 v 底盘安装 NI-1230-4S MRFE8 860MHz ldmos NI-1230-4S - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935345546178 Ear99 8541.29.0075 50 20µA 1.4 a 140W 21dB - 50 V
PZU13B1A115 NXP USA Inc. PZU13B1A115 -
RFQ
ECAD 3061 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 320兆W SOD-323 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 10 V 13 V 10欧姆
BZB84-C51,215 NXP USA Inc. BZB84-C51,215 1.0000
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ECAD 8231 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZB84-C51 300兆 TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 35.7 V 51 v 180欧姆
BYC10-600P127 NXP USA Inc. BYC10-600P127 -
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ECAD 1710 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 10 A 12 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大) 10a -
PZM4.3NB3,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB3,115 -
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM4.3 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90欧姆
MRF8S8260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S8260HSR3 -
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ECAD 1485 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 NI-880S MRF8 895MHz ldmos NI-880S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310533128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 70W 21.1db - 28 V
PHK12NQ10T,518 NXP USA Inc. PHK12NQ10T,518 -
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ECAD 3680 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PHK12 MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 11.6A(TC) 10V 28mohm @ 6a,10v 4V @ 1mA 35 NC @ 10 V ±20V 1965 pf @ 25 V - 8.9W(TC)
BAV99/LF1215 NXP USA Inc. BAV99/LF1215 -
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ECAD 3706 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV99 标准 TO-236AB 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 100 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
PSMN021-100YLX NXP USA Inc. psmn021-100ylx 1.0000
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ECAD 2749 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 49A(TC) 5V,10V 21.5Mohm @ 15a,10v 2.1V @ 1mA 65.6 NC @ 10 V ±20V 4640 pf @ 25 V - 147W(TC)
NX3008PBKT,115 NXP USA Inc. NX3008PBKT,115 -
RFQ
ECAD 5425 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-75,SOT-416 NX30 MOSFET (金属 o化物) SC-75 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 200ma(ta) 2.5V,4.5V 4.1OHM @ 200mA,4.5V 1.1V @ 250µA 0.72 NC @ 4.5 V ±8V 46 pf @ 15 V - 250MW(TA),770MW((TC)
BLF7G22L-130112 NXP USA Inc. BLF7G22L-130112 80.9000
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 5A991G 8541.29.0075 1
BUK764R3-40B,118 NXP USA Inc. BUK764R3-40B,118 -
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 75A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 69 NC @ 10 V ±20V 4824 PF @ 25 V - 254W(TC)
MRFE6S9205HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9205HSR5 -
RFQ
ECAD 6531 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 表面安装 NI-880S MRFE6 880MHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.4 a 58W 21.2db - 28 V
BZX84-C22/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C22/LF1R -
RFQ
ECAD 2440 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84-C22 250兆 SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069449215 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 15.4 V 22 v 55欧姆
PDTA144EE,115 NXP USA Inc. PDTA144EE,115 -
RFQ
ECAD 1657年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA144 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 47科姆斯 47科姆斯
BAS40-04/ZLR NXP USA Inc. BAS40-04/ZLR -
RFQ
ECAD 2705 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23(TO-236AB) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 10 µA @ 40 V 150°C (最大)
PUMD17,115 NXP USA Inc. PUMD17,115 0.0300
RFQ
ECAD 298 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 PUMD17 300MW SOT-363 下载 0000.00.0000 11,225 50V 100mA 1µA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 150MV @ 500µA,10mA 60 @ 5mA,5v - 47kohms 22KOHMS
PBSS4032ND,115 NXP USA Inc. PBSS4032ND,115 0.1500
RFQ
ECAD 31 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
BLF888D112 NXP USA Inc. BLF888D112 250.9600
RFQ
ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
NZX24X,133 NXP USA Inc. NZX24X,133 0.0200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX2 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
2N7002K,215 NXP USA Inc. 2N7002K,215 -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2N70 MOSFET (金属 o化物) SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 340ma(ta) 4.5V,10V 3.9ohm @ 500mA,10v 2V @ 1mA ±15V 40 pf @ 10 V - 830MW(TA)
MRF8S9220HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HSR3 -
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-780 MRF8 960MHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935310477128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 65W 19.4dB - 28 V
BAS40-05V115 NXP USA Inc. BAS40-05V115 -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
NZX13A,133 NXP USA Inc. NZX13A,133 -
RFQ
ECAD 1703 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
NZH7V5C,115 NXP USA Inc. NZH7V5C,115 0.0300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZH7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PZU3.6B1,115 NXP USA Inc. PZU3.6B1,115 -
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 pzu3.6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库