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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-C2V7,115 | - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZV55 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR31,135 | - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BSR3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C68,133 | 0.0200 | ![]() | 58 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 V | 68 v | 240欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM8.2NB3,115 | - | ![]() | 5276 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM8.2 | 300兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE8VP8600HSR5 | 155.8210 | ![]() | 3586 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 115 v | 底盘安装 | NI-1230-4S | MRFE8 | 860MHz | ldmos | NI-1230-4S | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 935345546178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 20µA | 1.4 a | 140W | 21dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU13B1A115 | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 320兆W | SOD-323 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C51,215 | 1.0000 | ![]() | 8231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZB84-C51 | 300兆 | TO-236AB | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 35.7 V | 51 v | 180欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC10-600P127 | - | ![]() | 1710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 10 A | 12 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM4.3NB3,115 | - | ![]() | 7571 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM4.3 | 300兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S8260HSR3 | - | ![]() | 1485 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 70 v | 表面安装 | NI-880S | MRF8 | 895MHz | ldmos | NI-880S | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935310533128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.5 a | 70W | 21.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK12NQ10T,518 | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | PHK12 | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 11.6A(TC) | 10V | 28mohm @ 6a,10v | 4V @ 1mA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1965 pf @ 25 V | - | 8.9W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99/LF1215 | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | TO-236AB | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | psmn021-100ylx | 1.0000 | ![]() | 2749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 49A(TC) | 5V,10V | 21.5Mohm @ 15a,10v | 2.1V @ 1mA | 65.6 NC @ 10 V | ±20V | 4640 pf @ 25 V | - | 147W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008PBKT,115 | - | ![]() | 5425 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | NX30 | MOSFET (金属 o化物) | SC-75 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 200ma(ta) | 2.5V,4.5V | 4.1OHM @ 200mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.72 NC @ 4.5 V | ±8V | 46 pf @ 15 V | - | 250MW(TA),770MW((TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF7G22L-130112 | 80.9000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 5A991G | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK764R3-40B,118 | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Buk76 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 75A(TC) | 10V | 4.3mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4824 PF @ 25 V | - | 254W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9205HSR5 | - | ![]() | 6531 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 66 v | 表面安装 | NI-880S | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4 a | 58W | 21.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C22/LF1R | - | ![]() | 2440 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84-C22 | 250兆 | SOT-23(TO-236AB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934069449215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 55欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144EE,115 | - | ![]() | 1657年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | PDTA144 | 150兆 | SC-75 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 80 @ 5mA,5V | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04/ZLR | - | ![]() | 2705 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23(TO-236AB) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMD17,115 | 0.0300 | ![]() | 298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | PUMD17 | 300MW | SOT-363 | 下载 | 0000.00.0000 | 11,225 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 150MV @ 500µA,10mA | 60 @ 5mA,5v | - | 47kohms | 22KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4032ND,115 | 0.1500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PBSS4 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF888D112 | 250.9600 | ![]() | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX24X,133 | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002K,215 | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2N70 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23(TO-236AB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 340ma(ta) | 4.5V,10V | 3.9ohm @ 500mA,10v | 2V @ 1mA | ±15V | 40 pf @ 10 V | - | 830MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S9220HSR3 | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 70 v | 底盘安装 | NI-780 | MRF8 | 960MHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 935310477128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 a | 65W | 19.4dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-05V115 | - | ![]() | 3001 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX13A,133 | - | ![]() | 1703 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZX1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZH7V5C,115 | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | NZH7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.6B1,115 | - | ![]() | 2897 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | pzu3.6 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
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