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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -测试	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BUK9E1R9-40E	1.0000	RFQ	1158	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
BLF8G10LS-270V，112	79.6700	RFQ	13	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v			SOT-1244B	BLF8	871.5MHz〜891.5MHz	ldmos		CDFM6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	5			-	2 a	67W	19.5db											-			28 V
PSMN070-200P，127-nxp	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,000		n通道					200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
BUK7E5R2-100E，127-nxp	1.0000	RFQ	7907	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	180 NC @ 10 V	±20V	11810 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BUK9520-100A，127	0.6100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7909-75AIE，127	0.9200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk79					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BZV90-C39115	-	RFQ	4179	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w	SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 50 mA	50 na @ 27.3 V		39 v	130欧姆
BUK7575-100A，127	0.3300	RFQ	10	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	23a（23A）		75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	99w（ta）
BUK9506-40B，127	0.5200	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BZV90-C7V5115	1.0000	RFQ	5758	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w	SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 50 mA	1 µA @ 5 V		7.5 v	15欧姆
BZX585-C4V3135	1.0000	RFQ	5859	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1																		1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V		4.3 v	90欧姆
PBSS4032SP，115	-	RFQ	7442	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PBSS4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000
PZU13B1A115	-	RFQ	3061	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1																		1.1 V @ 100 mA	100 na @ 10 V		13 V	10欧姆
BUK7535-55A，127	0.2600	RFQ	9	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	35A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		±20V	872 PF @ 25 V	-	85W（TC）
BZV90-C3V0115	1.0000	RFQ	3262	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w	SOT-223	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1,000																		1 V @ 50 mA	10 µA @ 1 V		3 V	95欧姆
BUK9509-40B，127	0.4400	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的						Buk95					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PMBT4403YS115	1.0000	RFQ	8445	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			3,000
PSMN3R3-80ES，127	1.4700	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					80 V	120A（TC）	10V	3.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	139 NC @ 10 V	±20V	9961 PF @ 40 V	-	338W（TC）
PMZB370UNE，315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	10,000		n通道					30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 500mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	±8V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BLA6G1011L-200RG112	592.9400	RFQ	40	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
BLF6G10LS-135RN112	76.1800	RFQ	92	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	4
PSMN4R3-100ES，127	-	RFQ	2460	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
BLF7G24LS-140,118	68.7500	RFQ	970	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		65 v			SOT-502B	BLF7	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			28a	1.3 a	30W	18.5db											-			28 V
BTA420Y-800BT127	-	RFQ	4668	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BTA330-800BT127	0.8000	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
BLF7G21LS-160,112	98.9200	RFQ	40	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		65 v		法兰安装	SOT-1121b		1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源		32.5a	1.08 a	45W	18db											-			28 V
PH2625L，115	0.3000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PH26					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
PHK12NQ03LT，518	-	RFQ	3662	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PHK12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BUK754R0-55B，127	0.7700	RFQ	959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	86 NC @ 10 V	±20V	6776 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK7230-55A	-	RFQ	5164	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BUK7230		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1															-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²