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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BUK7Y6R0-60EX NXP USA Inc. BUK7Y6R0-60EX -
RFQ
ECAD 7606 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 0000.00.0000 1 n通道 60 V 100A(TC) 10V 6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 45.4 NC @ 10 V ±20V 4021 PF @ 25 V - (195W)(TC)
MRF8S26060HSR3 NXP USA Inc. MRF8S26060HSR3 -
RFQ
ECAD 6622 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-400S-2S MRF8 2.69GHz ldmos NI-400S-2S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935321447118 5A991G 8541.29.0075 250 - 450 MA 15.5W 16.3db - 28 V
ON5275,135 NXP USA Inc. ON5275,135 -
RFQ
ECAD 2230 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-261-4,TO-261AA ON5275 - - SC-73 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934058851135 Ear99 8541.29.0095 4,000 - - - - -
BLF8G10L-160V,118 NXP USA Inc. BLF8G10L-160V,118 -
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 BLF8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934066408118 Ear99 8541.29.0075 100
A2T07H310-24SR6 NXP USA Inc. A2T07H310-24SR6 -
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-1230-4LS2L A2T07 880MHz ldmos NI-1230-4LS2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935312272128 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 700 MA 47W 18.6dB - 28 V
BZV85-C7V5,113 NXP USA Inc. BZV85-C7V5,113 0.0400
RFQ
ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV85 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000
PH2369,116 NXP USA Inc. PH2369,116 -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PH23 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 15 v 200 ma 400NA(ICBO) NPN 250mv @ 1mA,10mA 40 @ 10mA,1V 500MHz
PDTD123YQA147 NXP USA Inc. PDTD123YQA147 1.0000
RFQ
ECAD 2873 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1
2PB709AQW,115 NXP USA Inc. 2PB709AQW,115 -
RFQ
ECAD 6686 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2pb70 200兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 ma 10NA(ICBO) PNP 500mv @ 10mA,100mA 160 @ 2mA,10v 60MHz
MRFE6S9160HSR3 NXP USA Inc. MRFE6S9160HSR3 -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 NI-780 MRFE6 880MHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935319257128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 35W 21dB - 28 V
MMRF1304LR5 NXP USA Inc. MMRF1304LR5 -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 133 v 底盘安装 NI-360 MMRF1 512MHz ldmos NI-360 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935311475178 Ear99 8541.29.0075 50 - 10 MA 25W 25.9db - 50 V
AFT21S140W02GSR3 NXP USA Inc. AFT21S140W02GSR3 -
RFQ
ECAD 8192 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780GS-2L AFT21 2.14GHz ldmos NI-780GS-2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935324832128 5A991G 8541.29.0075 250 - 800 MA 32W 19.3db - 28 V
BUK7628-100A/C,118 NXP USA Inc. BUK7628-100A/C,118 -
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB BUK7628 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934060683118 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 47A(TC) 10V 28mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±20V 3100 pf @ 25 V - 166W(TC)
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. AFT09MS007NT1 4.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 30 V 表面安装 PLD-1.5W AFT09 870MHz ldmos PLD-1.5W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 - 100 ma 7.3W 15.2db - 7.5 v
ON5449,518 NXP USA Inc. ON5449,518 -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - ON5449 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935288031518 Ear99 8541.29.0095 600 - - - - -
MMRF1312HSR5 NXP USA Inc. MMRF1312HSR5 653.5300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 112 v 底盘安装 NI-1230-4S MMRF1312 1.034GHz ldmos NI-1230-4S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 双重的 - 100 ma 1000W 19.6dB - 50 V
BZX84-C3V0/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C3V0/LF1VL -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84-C3V0 250兆 SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069469235 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
BY329X-1500,127 NXP USA Inc. BY329X-1500,127 -
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 By32 标准 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934054895127 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.45 V @ 6.5 A 230 ns 150°C (最大) 6a -
MRF9045LR1 NXP USA Inc. MRF9045LR1 -
RFQ
ECAD 9782 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-360 MRF90 945MHz ldmos NI-360 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 350 MA 45W 18.8db - 28 V
PHD22NQ20T,118 NXP USA Inc. PHD22NQ20T,118 -
RFQ
ECAD 7617 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 PHD22 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 21.1a(TC) 10V 120mohm @ 12a,10v 4V @ 1mA 30.8 NC @ 10 V ±20V 1380 pf @ 25 V - 150W(TC)
BCX71K,215 NXP USA Inc. BCX71K,215 0.0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 ma 20NA(ICBO) PNP 550mv @ 1.25mA,50mA 380 @ 2mA,5V 100MHz
BSP126,115 NXP USA Inc. BSP126,115 -
RFQ
ECAD 7230 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSP1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
BUK9509-40B,127 NXP USA Inc. BUK9509-40B,127 0.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 管子 积极的 Buk95 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
BZX84-C22/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C22/LF1R -
RFQ
ECAD 2440 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84-C22 250兆 SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069449215 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 15.4 V 22 v 55欧姆
PDTC124EE,115 NXP USA Inc. PDTC124EE,115 -
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC124 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 60 @ 5mA,5v 22 KOHMS 22 KOHMS
PDTA144EE,115 NXP USA Inc. PDTA144EE,115 -
RFQ
ECAD 1657年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA144 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 47科姆斯 47科姆斯
BLF8G09LS-400PGWQ NXP USA Inc. BLF8G09LS-400PGWQ 80.1400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 65 v 底盘安装 SOT-1242C 718.5MHz〜725.5MHz ldmos CDFM8 下载 Ear99 8541.29.0075 4 双重,共同来源 - 3.4 a 95W 20.6dB - 28 V
BUK764R3-40B,118 NXP USA Inc. BUK764R3-40B,118 -
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 75A(TC) 10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 69 NC @ 10 V ±20V 4824 PF @ 25 V - 254W(TC)
BZX84J-C47,115 NXP USA Inc. BZX84J-C47,115 1.0000
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F BZX84J-C47 550兆 SOD-323F 下载 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 32.9 V 47 V 90欧姆
MRF6S9125NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9125NBR1 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 TO-272BB MRF6 880MHz ldmos TO-272 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 950 MA 27W 20.2dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库