SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
PZM4.7NB2A,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB2A,115 -
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM4.7 220兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 4.7 v 80欧姆
BUK7624-55,118 NXP USA Inc. BUK7624-55,118 -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk76 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 45A(TC) 10V 24mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA ±16V 1500 pf @ 25 V - 103W(TC)
BZV55-C27,135 NXP USA Inc. BZV55-C27,135 0.0200
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80欧姆
ON5088,115 NXP USA Inc. ON5088,115 0.3300
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-343F ON5088 136MW 4-DFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 13DB 10V 40mA NPN 160 @ 10mA,2V 55GHz 1.1db @ 12GHz
BZX79-B6V2143 NXP USA Inc. BZX79-B6V2143 0.0200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
PHP14NQ20T,127 NXP USA Inc. PHP14NQ20T,127 -
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ECAD 8953 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP14 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 14A(TC) 10V 230MOHM @ 7A,10V 4V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 25 V - 125W(TC)
PMP4501V,115 NXP USA Inc. PMP4501V,115 1.0000
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ECAD 1066 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMP4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 4,000
BZX84-B39,215 NXP USA Inc. BZX84-B39,215 0.0200
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ECAD 603 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX84 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PBSS4140DPN/DG/B2115 NXP USA Inc. PBSS4140DPN/DG/B2115 -
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ECAD 1095 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
PSMN8R5-100XSQ NXP USA Inc. PSMN8R5-100XSQ -
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ECAD 4908 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN8 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 49a(TJ) 10V 8.5mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 100 nc @ 10 V ±20V 5512 PF @ 50 V - 55W(TC)
PMDPB28UN,115 NXP USA Inc. PMDPB28UN,115 -
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ECAD 4161 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 PMDPB MOSFET (金属 o化物) 510MW 6-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 4.6a 37MOHM @ 4.6A,4.5V 1V @ 250µA 4.7nc @ 4.5V 265pf @ 10V 逻辑级别门
BUK6C3R3-75C,118 NXP USA Inc. BUK6C3R3-75C,118 -
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ECAD 3614 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 75 v 181a(TC) 10V 3.4mohm @ 90A,10V 2.8V @ 1mA 253 NC @ 10 V ±16V 15800 PF @ 25 V - 300W(TC)
MRF6S21100NBR1 NXP USA Inc. MRF6S21100NBR1 -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 TO-272BB MRF6 2.11GHZ〜2.16GHz ldmos TO-272 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 1.05 a 23W 14.5db - 28 V
PDZ4.7B,115 NXP USA Inc. PDZ4.7B,115 -
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDZ4.7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PSMN4R3-100ES,127 NXP USA Inc. PSMN4R3-100ES,127 -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak - 不适用 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 100 v 120A(TC) 4.5V,10V 4.3mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 170 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 50 V - 338W(TC)
PZU30BA115 NXP USA Inc. PZU30BA115 -
RFQ
ECAD 3019 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
PH3830L,115 NXP USA Inc. PH3830L,115 -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PH38 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 98A(TC) 5V,10V 3.8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 33 NC @ 5 V ±20V 3190 pf @ 10 V - 62.5W(TC)
PMEM1505PG,115 NXP USA Inc. PMEM1505PG,115 -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 PMEM1 300兆 5-tssop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 15 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP +二极管(隔离) 250mv @ 50mA,500mA 150 @ 100mA,2V 280MHz
MRF7S18170HR3 NXP USA Inc. MRF7S18170HR3 -
RFQ
ECAD 6537 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.81GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 - 1.4 a 50W 17.5db - 28 V
2PC1815GR,126 NXP USA Inc. 2PC1815GR,126 -
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PC18 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 10mA,100mA 200 @ 2mA,6v 80MHz
PMDPB95XNE,115 NXP USA Inc. PMDPB95XNE,115 -
RFQ
ECAD 6669 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 PMDPB95 MOSFET (金属 o化物) 475MW 6-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 2.4a 120MOHM @ 2A,4.5V 1.5V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 143pf @ 15V 逻辑级别门
PMN52XP115 NXP USA Inc. PMN52XP115 0.0800
RFQ
ECAD 636 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
MRF6S19060MR1 NXP USA Inc. MRF6S19060MR1 -
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v TO-270-4 MRF6 1.93GHz ldmos TO-270 WB-4 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 610 MA 12W 16dB - 28 V
BB202,115 NXP USA Inc. BB202,115 0.8000
RFQ
ECAD 8811 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜85°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BB202 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 11.2pf @ 2.3V,1MHz 单身的 6 V 2.5 C0.2/C2.3 -
MRF8S18120HSR5 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR5 -
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ECAD 2568 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 NI-780 MRF8 1.81GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310108178 5A991G 8541.29.0075 50 - 800 MA 72W 18.2db - 28 V
BZV55-C2V4135 NXP USA Inc. BZV55-C2V4135 -
RFQ
ECAD 1614年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 1
2PC1815Y,412 NXP USA Inc. 2PC1815Y,412 -
RFQ
ECAD 3623 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PC18 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
PDZ4.7B/ZLF NXP USA Inc. PDZ4.7B/ZLF -
RFQ
ECAD 2271 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 PDZ4.7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069111135 Ear99 8541.10.0050 3,000
NCR100W-10M115 NXP USA Inc. NCR100W-10M115 0.0700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.30.0080 1,000
BUJ106A,127 NXP USA Inc. BUJ106A,127 0.3400
RFQ
ECAD 955 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 80 W TO-220AB 下载 Ear99 8541.29.0095 642 400 v 10 a 100µA NPN 1V @ 1.2a,6a 14 @ 500mA,5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库