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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PZM4.7NB2A,115 | - | ![]() | 7809 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PZM4.7 | 220兆 | SMT3; mpak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7624-55,118 | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Buk76 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 45A(TC) | 10V | 24mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | ±16V | 1500 pf @ 25 V | - | 103W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C27,135 | 0.0200 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5088,115 | 0.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-343F | ON5088 | 136MW | 4-DFP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 13DB | 10V | 40mA | NPN | 160 @ 10mA,2V | 55GHz | 1.1db @ 12GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B6V2143 | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP14NQ20T,127 | - | ![]() | 8953 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PHP14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 14A(TC) | 10V | 230MOHM @ 7A,10V | 4V @ 1mA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1500 pf @ 25 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP4501V,115 | 1.0000 | ![]() | 1066 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMP4 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B39,215 | 0.0200 | ![]() | 603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BZX84 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4140DPN/DG/B2115 | - | ![]() | 1095 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-100XSQ | - | ![]() | 4908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | PSMN8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 49a(TJ) | 10V | 8.5mohm @ 10a,10v | 4V @ 1mA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 5512 PF @ 50 V | - | 55W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB28UN,115 | - | ![]() | 4161 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | PMDPB | MOSFET (金属 o化物) | 510MW | 6-Huson(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 4.6a | 37MOHM @ 4.6A,4.5V | 1V @ 250µA | 4.7nc @ 4.5V | 265pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6C3R3-75C,118 | - | ![]() | 3614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK-7 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 75 v | 181a(TC) | 10V | 3.4mohm @ 90A,10V | 2.8V @ 1mA | 253 NC @ 10 V | ±16V | 15800 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S21100NBR1 | - | ![]() | 2120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | TO-272BB | MRF6 | 2.11GHZ〜2.16GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1.05 a | 23W | 14.5db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ4.7B,115 | - | ![]() | 7103 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDZ4.7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN4R3-100ES,127 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 100 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 4.3mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 9900 PF @ 50 V | - | 338W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU30BA115 | - | ![]() | 3019 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PH3830L,115 | - | ![]() | 2751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | PH38 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 98A(TC) | 5V,10V | 3.8mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 33 NC @ 5 V | ±20V | 3190 pf @ 10 V | - | 62.5W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEM1505PG,115 | - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | PMEM1 | 300兆 | 5-tssop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP +二极管(隔离) | 250mv @ 50mA,500mA | 150 @ 100mA,2V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18170HR3 | - | ![]() | 6537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF7 | 1.81GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 1.4 a | 50W | 17.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC1815GR,126 | - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | (TB) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 2PC18 | 500兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,100mA | 200 @ 2mA,6v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB95XNE,115 | - | ![]() | 6669 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | PMDPB95 | MOSFET (金属 o化物) | 475MW | 6-Huson(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 2.4a | 120MOHM @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 143pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN52XP115 | 0.0800 | ![]() | 636 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S19060MR1 | - | ![]() | 7994 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 68 v | TO-270-4 | MRF6 | 1.93GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 MA | 12W | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB202,115 | 0.8000 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜85°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BB202 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 11.2pf @ 2.3V,1MHz | 单身的 | 6 V | 2.5 | C0.2/C2.3 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S18120HSR5 | - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | MRF8 | 1.81GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 935310108178 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 MA | 72W | 18.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C2V4135 | - | ![]() | 1614年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC1815Y,412 | - | ![]() | 3623 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 2PC18 | 500兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 2mA,6v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ4.7B/ZLF | - | ![]() | 2271 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | PDZ4.7 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934069111135 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NCR100W-10M115 | 0.0700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ106A,127 | 0.3400 | ![]() | 955 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220AB | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 642 | 400 v | 10 a | 100µA | NPN | 1V @ 1.2a,6a | 14 @ 500mA,5V | - |
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