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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
BUK9506-55B,127 NXP USA Inc. BUK9506-55B,127 -
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ECAD 7519 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 5.4毫欧@25A,10V 2V@1mA 60nC@5V ±15V 7565pF@25V - 258W(温度)
A2T20H160W04NR3528 NXP USA Inc. A2T20H160W04NR3528 94.8200
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ECAD 3 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0075 1
BUK7E04-40A,127 NXP USA Inc. BUK7E04-40A,127 0.8000
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ECAD 3 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛禅7 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
PMEG4010EGW118 NXP USA Inc. PMEG4010EGW118 -
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ECAD 第1352章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 10,000
PBSS5350S,126 NXP USA Inc. PBSS5350S,126 -
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ECAD 4268 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBSS5 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 50V 3A 100nA(ICBO) 国民党 300mV@200mA,2A 100 @ 2A、2V 100兆赫兹
PDTA115ES,126 NXP USA Inc. PDTA115ES,126 -
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ECAD 4836 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTA115 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 20毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@250μA,5mA 80@5mA,5V 100欧姆 100欧姆
PDZ6.2B/ZLX NXP USA Inc. PDZ6.2B/ZLX -
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ECAD 5892 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 PDZ6.2 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069113115 EAR99 8541.10.0050 3,000
BZV55-B4V7,135 NXP USA Inc. BZV55-B4V7,135 0.0200
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ECAD 40 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W LLDS;迷你梅尔夫 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 2V时为3μA 4.7V 80欧姆
MRFG35003ANT1 NXP USA Inc. MRFG35003ANT1 -
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ECAD 3304 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V 表面贴装 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 55毫安 3W 10.8分贝 - 12V
BZX79-B30,113 NXP USA Inc. BZX79-B30,113 0.0200
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ECAD 7052 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 400毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 21V时为50nA 30V 80欧姆
MRF282SR1 NXP USA Inc. MRF282SR1 -
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ECAD 3525 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-200S MRF28 2GHz LDMOS NI-200S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0040 500 - 75毫安 10W 11.5分贝 - 26V
MRF7S38075HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38075HSR3 -
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ECAD 8862 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 3.4GHz~3.6GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 900毫安 12W 14分贝 - 30V
BC817-25/DG215 NXP USA Inc. BC817-25/DG215 1.0000
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ECAD 6128 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC817 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库