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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 噪声系数(dB Typ @ f)
MPSA06,412 NXP USA Inc. MPSA06,412 -
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ECAD 8155 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 MPSA06 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 500毫安 50nA(ICBO) NPN 250毫伏@10毫安,100毫安 100@100mA,1V 100兆赫兹
BZX884-C3V0,315 NXP USA Inc. BZX884-C3V0,315 0.0300
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ECAD 33 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-882 250毫W DFN1006-2 下载 EAR99 8541.10.0050 10,606 900毫伏@10毫安 1V时为10μA 3V 95欧姆
PZM16NB,115 NXP USA Inc. PZM16NB,115 -
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ECAD 2203 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM16 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 12V时为70nA 16V 20欧姆
BC857BQA147 NXP USA Inc. BC857BQA147 -
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ECAD 7709 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC857 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1
A2I25D025GNR1 NXP USA Inc. A2I25D025GNR1 -
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ECAD 1430 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 TO-270-17变体,鸥翼型 A2I25 2.69GHz LDMOS TO-270WBG-17 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.33.0001 500 双重的 - 59毫安 3.2W 31.9分贝 - 28V
MRF6V12500GSR5 NXP USA Inc. MRF6V12500GSR5 581.4510
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ECAD 5990 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 110V 表面贴装 NI-780GS-2L MRF6V12500 960MHz~1.215GHz LDMOS NI-780GS-2L - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935326078178 EAR99 8541.29.0075 50 200微安 200毫安 - 19.7分贝 - 50V
PDTA114YU NXP USA Inc. PDTA114YU 1.0000
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ECAD 4603 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
BSN20,215 NXP USA Inc. BSN20,215 -
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ECAD 3849 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BSN2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
SI2304DS,215 NXP USA Inc. SI2304DS,215 0.1400
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 SI2 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
PMSTA55,115 NXP USA Inc. PMSTA55,115 0.0200
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ECAD 139 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0095 1 60V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 250毫伏@10毫安,100毫安 100@100mA,1V 50兆赫
PMCM6501VNEZ NXP USA Inc. PMCM6501VNEZ 0.2000
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP MOSFET(金属O化物) 6-WLCSP (1.48x0.98) 下载 EAR99 8541.29.0095 1,528 N沟道 12V 7.3A(塔) 1.5V、4.5V 18毫欧@3A,4.5V 900mV@250μA 24nC@4.5V ±8V 920pF@6V - 556mW(Ta),12.5W(Tc)
MRF6S9045MR1 NXP USA Inc. MRF6S9045MR1 -
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ECAD 9397 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V TO-270-2 MRF6 880兆赫 LDMOS TO-270-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 350毫安 10W 22.7分贝 - 28V
BUJ302AD,118 NXP USA Inc. BUJ302AD,118 1.0000
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ECAD 9938 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 80W DPAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 400V 4A 250毫安 NPN 1.5V@1A、3.5A 25@800mA,3V -
PSMN016-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN016-100XS,127 -
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ECAD 3738 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-220F - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100伏 32.1A(温度) 10V 16毫欧@10A,10V 4V@1mA 46.2nC@10V ±20V 2404pF@50V - 46.1W(温度)
PN2907A,126 NXP USA Inc. PN2907A,126 -
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ECAD 2351 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PN29 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 60V 600毫安 10nA(ICBO) 国民党 1.6V@50mA、500mA 100@150mA,10V 200兆赫
BYD17G,115 NXP USA Inc. 比亚迪17G,115 -
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ECAD 9138 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-87 比亚迪17 雪崩 梅尔夫 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 2,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 400V 1.05V@1A 3微秒 400V时为1μA -65℃~175℃ 1.5A 21pF @ 0V、1MHz
1PS181,135 NXP USA Inc. 1PS181,135 -
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ECAD 6188 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1PS18 标准 SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 10,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 215毫安(直流) 1.2V@100mA 4纳秒 80V时为500nA 150℃(最高)
PMDPB760EN115 NXP USA Inc. PMDPB760EN115 0.1600
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ECAD 9 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUJ100,412 NXP USA Inc. BUJ100,412 -
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ECAD 4524 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BUJ1 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000
BFR92A,215 NXP USA Inc. BFR92A,215 -
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ECAD 3100 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFR92 300毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25毫安 NPN 65@15mA,10V 5GHz 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
PDTD143ET235 NXP USA Inc. PDTD143ET235 -
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ECAD 9597 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 10,000
BLP7G22-10,135 NXP USA Inc. BLP7G22-10,135 -
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ECAD 4909 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 12-VDFN 裸露焊盘 BLP7 700MHz~2.2GHz LDMOS 12-HVSON (4x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 934065973135 EAR99 8541.29.0075 500 - 110毫安 2W 27分贝 - 28V
MRF8P20161HSR3 NXP USA Inc. MRF8P20161HSR3 -
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ECAD 8983 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-780S-4L MRF8 1.92GHz LDMOS NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935317234128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 550毫安 37W 16.4分贝 - 28V
MRF5S21150HR3 NXP USA Inc. MRF5S21150HR3 -
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ECAD 第1687章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-880 MRF5 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-880 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.3A 33W 12.5分贝 - 28V
PBLS1501Y,115 NXP USA Inc. PBLS1501Y,115 -
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ECAD 6931 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBLS15 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BZV49-C20,115 NXP USA Inc. BZV49-C20,115 -
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ECAD 6494 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZV49 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,000
BZX84-B51/DG/B2215 NXP USA Inc. BZX84-B51/DG/B2215 0.0500
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ECAD 33 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 3,000
PEMX1,315 NXP USA Inc. PEMX1,315 0.0700
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ECAD 第704章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PEMX1 300毫W SOT-666 下载 EAR99 8541.21.0075 4,699 40V 100毫安 100nA(ICBO) 2 NPN(双) 200毫伏@5毫安,50毫安 120@1mA,6V 100兆赫兹
NZX3V3C,133 NXP USA Inc. NZX3V3C,133 0.0200
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ECAD 64 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±3% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@200mA 1V时为5μA 3.3V 100欧姆
PMN38EN,135 NXP USA Inc. PMN38EN,135 -
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ECAD 4802 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞N3 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 N沟道 30V 5.4A(温度) 4.5V、10V 38毫欧@3A,10V 2V@1mA 6.1nC@4.5V ±20V 495pF@25V - 1.75W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库