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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	电流 -最大	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PUMD4,115	-	RFQ	9732	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						PUMD4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF7S19210HR5	-	RFQ	4495	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		1.4 a	63W	20dB											-												28 V
PMV25ENEA215	1.0000	RFQ	5527	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMF280UN，115	-	RFQ	6644	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF28		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						20 v	1.02A（TC）	1.8V，4.5V	340MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 V	±8V	45 pf @ 20 V	-	560MW（TC）
BAP51-03,115	0.3700	RFQ	11	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）		SC-76，SOD-323	BAP51				SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				50 mA													500兆										0.35pf @ 5V，1MHz				PIN-单	50V				2.5OHM @ 10mA，100MHz
BY359X-1500，127	-	RFQ	6768	NXP USA Inc.	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-2完整包	By35		标准		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1500 v		2 V @ 20 A	350 ns	100 µA @ 1300 V	150°C （最大）	7a	-
BZX284-C22,115	-	RFQ	2912	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 15.4 V										22 v	25欧姆
2PC1815Y，126	-	RFQ	1198	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PC18			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																												50 V	150 ma				100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
BAS70-05235	0.0200	RFQ	26	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装		BAS70		肖特基			下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																		1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）
PBHV8115X，115	0.1400	RFQ	9	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.5 w	SOT-89	下载					Ear99	8541.29.0075	2,197																												150 v	1 a				100NA				NPN	50mv @ 20mA，100mA	100 @ 50mA，10V	30MHz
PMFPB8040XP，115	0.1800	RFQ	161	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	2.7a（ta）	1.8V，4.5V	102MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	8.6 NC @ 4.5 V	±12V	550 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	485MW（TA），6.25W（tc）
2PD601AQ，115	-	RFQ	7251	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pd60			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma				10NA（ICBO）				NPN	250mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	100MHz
PDTC123JM，315	0.0200	RFQ	2672	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC123			250兆	DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0075	10,000																												50 V	100 ma				1µA				npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
PDTD113EUF	-	RFQ	8362	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	PDTD113			300兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																												50 V	500 MA				500NA				npn-预先偏见	100mV @ 2.5mA，50mA	33 @ 50mA，5V	225 MHz	1 kohms	1 kohms
BC69-25PAS115	1.0000	RFQ	9379	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BZX84-B15/LF1VL	-	RFQ	9433	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-B15			250兆	SOT-23（TO-236AB）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069392235	Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V										15 v	30欧姆
BFS17A，235	-	RFQ	8751	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFS17			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933750250235	Ear99	8541.21.0075	10,000							-																					15V	25mA								NPN		25 @ 2mA，1V	2.8GHz			2.5db @ 800MHz
BFG540W，115	-	RFQ	5677	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	SOT-343反向固定	BFG54			500MW	4-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000							-																					15V	120mA								NPN		100 @ 40mA，8v	9GHz			1.3db〜1.8dB @ 900MHz
2N3906,116	-	RFQ	2719	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2n39			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												40 V	200 ma				50NA（iCBO）				PNP	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
PDTA144TE，115	-	RFQ	1239	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA144			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma				1µA				pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		47科姆斯
Byd17g，115	-	RFQ	9138	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOD-87	Byd17		雪崩		梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			400 v		1.05 V @ 1 A	3 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.5a	21pf @ 0v，1MHz
MRF7S24250NR3	139.4500	RFQ	144	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	ldmos		OM-780-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-		100 ma	256W	14.7dB											-												30 V
PN2907A，126	-	RFQ	2351	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN29			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												60 V	600 MA				10NA（ICBO）				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
PDTA143ZEF，115	-	RFQ	9650	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-89，SOT-490	PDTA143			250兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																												50 V	100 ma				1µA				pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		4.7科姆斯	47科姆斯
PDTC124XK，115	-	RFQ	6389	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC124			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma				1µA				npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
BAS116T，115	-	RFQ	2965	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-75，SOT-416	BAS11		标准		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			75 v		1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	215ma	2pf @ 0v，1MHz
BAV70,215	-	RFQ	4727	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70		标准		SOT-23	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对普通阴极	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
A2T18S162W31SR3	-	RFQ	9820	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-780S-2L2LA	A2T18	1.84GHz	ldmos		NI-780S-2L2LA	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935325964128	Ear99	8541.29.0075	250			-		1 a	32W	20.1db											-												28 V
BUK752R7-30B，127	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	75A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	6212 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK655R0-75C，127	-	RFQ	9580	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	120A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	177 NC @ 10 V	±16V	11400 PF @ 25 V	-	263W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²