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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BF512,235	-	RFQ	6563	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	20 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF512	100MHz	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933505290235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道		30mA		5 ma	-	-																	1.5dB			10 v
BF909WR，135	-	RFQ	6031	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934028870135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		40mA		15 ma	-	-																	2DB			5 v
PHM25NQ10T，518	-	RFQ	1684年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PHM25		MOSFET （金属 o化物）		8-hvson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	30.7A（TC）	10V	30mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	26.6 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	62.5W（TC）
MRF282SR1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-200s	MRF28	2GHz	ldmos		Ni-200s	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	500			-		75 MA	10W	11.5db																	-			26 V
MRF9135LR5	-	RFQ	6678	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF91	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	50			-		1.1 a	25W	17.8db																	-			26 V
MRFG35010ANT1	-	RFQ	4780	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000			-		130 MA	9W	10dB																	-			12 v
BT137X-600F，127	-	RFQ	3293	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡					TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1	单身的			20 ma														标准	600 v	8 a	1.5 v	65a，71a	25 ma
MRF6VP3091NR5	-	RFQ	5178	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	115 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314619578	Ear99	8541.29.0095	50	双重的		-		350 MA	18W	22DB																	-			50 V
MRF19030LR5	-	RFQ	8536	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-400	MRF19	1.96GHz	ldmos		NI-400	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-		300 MA	30W	13DB																	-			26 V
BC618,112	-	RFQ	3355	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC61			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																									55 v	500 MA		50µA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	155MHz
MRF6S9060MR1	-	RFQ	5958	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-270-2	MRF6	880MHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-		450 MA	14W	21.4db																	-			28 V
PHD16N03T，118	-	RFQ	8498	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	PHD16		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	13.1A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	4V @ 1mA	5.2 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 30 V	-	32.6W（TC）
MMRF5014HR5	489.0600	RFQ	68	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		底盘安装	NI-360H-2SB	MMRF5014	2.5GHz	hemt		NI-360H-2SB	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		350 MA	125W	18db																	-			50 V
PH3075L，115	-	RFQ	6024	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH30		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						75 v	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 15a，10v	2.3V @ 1mA	19 nc @ 5 V	±15V	2070 pf @ 25 V	-	75W（TC）
PH1955L，115	-	RFQ	7442	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH19		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						55 v	40a（TC）	4.5V，10V	17.3mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	18 nc @ 5 V	±15V	1992 PF @ 25 V	-	75W（TC）
BUK6207-30C，118	-	RFQ	7428	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	Buk62		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.8V @ 1mA	54.8 NC @ 10 V	±16V	3470 pf @ 25 V	-	128W（TC）
A2T08VD020NT1	7.8000	RFQ	5552	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	24-PowerQfn	A2T08	728MHz〜960MHz	ldmos		24-PQFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322283528	Ear99	8541.29.0075	1,000			10µA		40 MA	18W	19.1db																	-			48 v
PMN28UN，135	0.1700	RFQ	16	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						12 v	5.7A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.1 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）
PMN25en，115	-	RFQ	8906	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 6.2a，10v	2.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	492 PF @ 15 V	-	540MW（TA），6.25W（tc）
PHB78NQ03LT，118	-	RFQ	8520	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB78		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						25 v	40a（TC）	5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±20V	970 pf @ 12 V	-	107W（TC）
MRF6S9125NR1	-	RFQ	3126	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-		950 MA	27W	20.2dB																	-			28 V
A2T26H165-24SR3	-	RFQ	8778	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780S-4L2L	A2T26	2.5GHz	ldmos		NI-780S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935313041128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-		400 MA	32W	14.7dB																	-			28 V
BFU690F，115	0.6700	RFQ	14	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	BFU690			230MW	4-DFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							15.5db〜18.5dB																		5.5V	100mA			NPN		90 @ 20mA，2V	18GHz			0.6db〜0.7dg @ 1.5GHz〜2.4GHz
MRF377HR5	-	RFQ	7124	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	860MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	50			-		2 a	45W	18.2db																	-			32 v
AFT20P140-4WNR3	80.7500	RFQ	223	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	OM-780-4L	AFT20	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		OM-780-4L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250	双重的		-		500 MA	24W	17.8db																	-			28 V
BF904R，215	-	RFQ	2384	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SOT-143R	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA		10 MA	-	-																	1dB			5 v
MRF8P23080HR5	-	RFQ	5340	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.3GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-		280 MA	16W	14.6dB																	-			28 V
MRF8S21120HR3	-	RFQ	8601	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314244128	Ear99	8541.29.0075	250			-		850 MA	28W	17.6dB																	-			28 V
MRF7S15100HR3	-	RFQ	8252	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.51GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319432128	Ear99	8541.29.0075	250			-		600 MA	23W	19.5db																	-			28 V
PDTC143Z，126	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTC143			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																									50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		4.7科姆斯	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²