分立半导体产品(6133)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	电流 - 保持 (Ih)（最大）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	全部可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	电压 - 测试	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)
BUK7210-55B/C1,118	-	询价	3061	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	的积极			-55°C ~ 185°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	山毛凹7210		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934062108118	EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道						55V	75A（温度）	10V	10毫欧@25A，10V	4V@1mA	35nC@10V	±20V	2453pF@25V	-	167W（温度）
BUK9518-55,127	-	询价	2577	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的			-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道						55V	57A（温度）	5V	18毫欧@25A，5V	2V@1mA		±10V	2600pF@25V	-	125W（温度）
PEMD16115	-	询价	1061	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
BT138Y-600E,127	-	询价	8861	恩智浦	-	大部分	的积极			125°C（太焦）	通孔	TO-220-3隔离片					TO-220AB	下载					EAR99	8541.30.0080	1	单身的				30毫安														逻辑 - 敏感门	600伏	12A	1.5V	95A、105A	10毫安
MRFG35005NT1	-	询价	3730	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		15V		表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000				-		80毫安	4.5W	11分贝																	-							12V
BZV85-C47,133	0.0400	询价	104	恩智浦	*	大部分	的积极						BZV85					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	5,000
MRF6V2010GNR5	-	询价	4474	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		110V			TO-270BA	MRF6	220兆赫	LDMOS		TO-270G-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50				-		30毫安	10W	23.9分贝																	-							50V
BCV27/DG/B2215	1.0000	询价	2209	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
UJA1168TK/FD,118	-	询价	7125	恩智浦	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
AFT27S006N-1000M	617.8500	询价	7961	恩智浦	-	大部分	的积极											-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-AFT27S006N-1000M			1
A2T18H450W19SR6	-	询价	9192	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		30V		安装结构	NI-1230S-4S4S	A2T18	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		NI-1230S-4S4S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935318596128	EAR99	8541.29.0075	150				-			89W	16.5分贝																	-
PSMN3R0-60BS	-	询价	7983	恩智浦	*	大部分	的积极											下载					EAR99	8541.29.0095	1
PDTA114TU,115	0.0200	询价	305	恩智浦	*	大部分	的积极						PDTA11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF6S19100HR3	-	询价	3060	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		68V		安装结构	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316735128	EAR99	8541.29.0075	250				-		900毫安	22W	16.1分贝																	-							28V
BAS70-05235	0.0200	询价	26	恩智浦	-	大部分	的积极				表面贴装		巴斯夫70		肖特基			下载					EAR99	8541.10.0070	1		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																								1对共轴线	70V	70毫安（直流）	1V@15mA	70V时为10μA	150℃（最高）
BZX79-B4V3,133	-	询价	1326	恩智浦	*	大部分	的积极						BZX79					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	10,000
BZB84-C3V3,215	-	询价	3250	恩智浦	-	大部分	的积极	±5%		-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				300毫W	SOT-23	下载					EAR99	8541.10.0050	1	1对共阳极																												900毫伏@10毫安	1V时为5μA			3.3V	95欧姆
MRF8HP21080HSR3	-	询价	1619	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V		表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	LDMOS		NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935324468128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的			-		150毫安	16W	14.4分贝																	-							28V
BZV49-C11115	1.0000	询价	6202	恩智浦	-	大部分	的积极	±5%		-65℃～150℃	表面贴装	TO-243AA				1W	SOT-89	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1																													1V@50mA	8V时为100nA			11伏	20欧姆
PMV90ENE215	-	询价	9040	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF9210R5	-	询价	第1437章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V		安装结构	NI-860C3	MRF92	880兆赫	LDMOS		NI-860C3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	50				-		1.9安	40W	16.5分贝																	-							26V
BUK9230-55A/C1118	0.2900	询价	31	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
MRF7S24250NR3	139.4500	询价	144	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V		表面贴装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	LDMOS		OM-780-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250				-		100毫安	256W	14.7分贝																	-							30V
BZX79-C30,133	0.0200	询价	87	恩智浦	*	大部分	的积极						BZX79					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	10,000
PDTA115TT,215	-	询价	3574	恩智浦	*	大部分	的积极						PDTA11					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF7S19080HSR5	-	询价	6765	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V		安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50				-		750毫安	24W	18分贝																	-							28V
BUK7Y7R6-40E/GFX	-	询价	3433	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的						山毛禅7					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,500人
BUK7528-55A,127	0.2800	询价	4	恩智浦	TrenchMOS™	管子	的积极			-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道						55V	42A（温度）	10V	28毫欧@25A，10V	4V@1mA		±20V	1165pF@25V	-	99W（温度）
PSMN2R8-40BS,118	0.8300	询价	6	恩智浦	-	大部分	的积极			-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1			N沟道						40V	100A（温度）	10V	2.9毫欧@10A、10V	4V@1mA	71nC@10V	±20V	4491pF@20V	-	211W（温度）
BF1205,135	-	询价	4907	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		10V		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	800兆赫	场效应管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056890135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应			30毫安		12毫安	-	35分贝																	1.2分贝							5V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²