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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 电流 -最大 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电阻 @ if,f 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BSS83,235 NXP USA Inc. BSS83,235 -
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ECAD 8312 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 10 v 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BSS8 - MOSFET SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 933418060235 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 50mA - - -
BAP50-02,115 NXP USA Inc. BAP50-02,115 -
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) SC-79,SOD-523 BAP50 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 50 mA 715 MW 0.35pf @ 5V,1MHz PIN-单 50V 5ohm @ 10mA,100MHz
ON5252,118 NXP USA Inc. ON5252,118 -
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ECAD 2866 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ON52 - - DPAK - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934057684118 Ear99 8541.29.0095 2,500 - - - - -
MRF7S38075HSR3 NXP USA Inc. MRF7S38075HSR3 -
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ECAD 8862 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 MA 12W 14dB - 30 V
PZM10NB2,115 NXP USA Inc. PZM10NB2,115 -
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ECAD 5193 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM10 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 200 na @ 7 V 10 v 10欧姆
BC557,116 NXP USA Inc. BC557,116 -
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ECAD 2738 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC55 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20-110B,112 -
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ECAD 8688 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 SOT-502A BLF4 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos 最多 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 60 12a 700 MA 100W 13.5dB - 28 V
MRF21045LR5 NXP USA Inc. MRF21045LR5 -
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ECAD 6138 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400 MRF21 2.16GHz〜2.17GHz ldmos NI-400 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 500 MA 10W 15DB - 28 V
PMN23UN,135 NXP USA Inc. PMN23Un,135 -
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ECAD 2077 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN2 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 20 v 6.3a(TC) 1.8V,4.5V 28mohm @ 2A,4.5V 700mv @ 1MA(typ) 10.6 NC @ 4.5 V ±8V 740 pf @ 10 V - 1.75W(TC)
BLP7G22-10,135 NXP USA Inc. BLP7G22-10,135 -
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ECAD 4909 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 表面安装 12-vdfn裸露的垫子 BLP7 700MHz〜2.2GHz ldmos 12-hvson(4x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 934065973135 Ear99 8541.29.0075 500 - 110 MA 2W 27dB - 28 V
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. PDTD113EK,115 -
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ECAD 7770 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTD113 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 33 @ 50mA,5V 1 kohms 1 kohms
PDTC123ES,126 NXP USA Inc. PDTC123ES,126 -
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ECAD 1267 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC123 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 20mA,5v 2.2 kohms 2.2 kohms
PDTA115ES,126 NXP USA Inc. PDTA115ES,126 -
RFQ
ECAD 4836 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTA115 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 20 ma 1µA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA,5mA 80 @ 5mA,5V 100 kohms 100 kohms
BZX884-C20,315 NXP USA Inc. BZX884-C20,315 -
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ECAD 9492 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX884 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BUK9E3R2-40B,127 NXP USA Inc. BUK9E3R2-40B,127 -
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ECAD 4450 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk9 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 100A(TC) 4.5V,10V 2.8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 94 NC @ 5 V ±15V 10502 PF @ 25 V - 300W(TC)
PHX20N06T,127 NXP USA Inc. PHX20N06T,127 -
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ECAD 1562 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PHX20 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 12.9a(TC) 10V 75mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 9.8 NC @ 10 V ±20V 320 pf @ 25 V - 23W(TC)
PMEG1201AESFC315 NXP USA Inc. PMEG1201AESFC315 0.0400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 9,000
BCX70J,235 NXP USA Inc. BCX70J,235 0.0200
RFQ
ECAD 9735 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0075 13,000 45 v 100 ma 20NA(ICBO) NPN 550mv @ 1.25mA,50mA 250 @ 2mA,5v 250MHz
PZM24NB3,115 NXP USA Inc. PZM24NB3,115 -
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ECAD 6878 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM24 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 na @ 19 V 24 V 30欧姆
PZU18B1A,115 NXP USA Inc. PZU18B1A,115 -
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ECAD 3852 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 320兆W SOD-323 下载 Ear99 8541.10.0050 8,353 1.1 V @ 100 mA 50 na @ 13 V 18 V 20欧姆
BAP51-02,115 NXP USA Inc. BAP51-02,115 0.4400
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ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) SC-79,SOD-523 BAP51 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 50 mA 715 MW 0.35pf @ 5V,1MHz PIN-单 60V 2.5OHM @ 10mA,100MHz
BZX284-B18,115 NXP USA Inc. BZX284-B18,115 -
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 12.6 V 18 V 20欧姆
BZX284-B68,115 NXP USA Inc. BZX284-B68,115 -
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 47.6 V 68 v 160欧姆
MRF7S24250NR3 NXP USA Inc. MRF7S24250NR3 139.4500
RFQ
ECAD 144 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 OM-780-2 MRF7 2.45GHz ldmos OM-780-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 100 ma 256W 14.7dB - 30 V
ACTT6-800E,127 NXP USA Inc. ACTT6-800E,127 0.2900
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.30.0080 875
PDTC143XE,115 NXP USA Inc. PDTC143XE,115 -
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mv @ 500µA,10mA 50 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 10 kohms
PDTC143EE,115 NXP USA Inc. PDTC143EE,115 -
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ECAD 9899 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC143 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
PZM16NB,115 NXP USA Inc. PZM16NB,115 -
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ECAD 2203 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM16 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 70 na @ 12 V 16 V 20欧姆
MRF377HR5 NXP USA Inc. MRF377HR5 -
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ECAD 7124 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-860C3 MRF37 860MHz ldmos NI-860C3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8541.21.0075 50 - 2 a 45W 18.2db - 32 v
PDTA123JS,126 NXP USA Inc. PDTA123JS,126 -
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTA123 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 100mV @ 250µA,5mA 100 @ 10mA,5v 2.2 kohms 47科姆斯
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库