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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZB984-C9V1,115	-	RFQ	1807年	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	SOT-663				265兆	SOT-663	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极																											900 mv @ 10 ma	500 na @ 6 V										9.1 v	6欧姆
BB187,315	-	RFQ	3029	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB18				SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934055720315	Ear99	8541.10.0070	8,000																																2.92pf @ 25V，1MHz				单身的	32 v												11	C2/C25	-
BZX79-B3V0,133	0.0200	RFQ	51	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																												900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V										3 V	95欧姆
BAT18235	-	RFQ	5874	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					SOT-23（TO-236AB）	下载				2156-BAT18235		0000.00.0000	1					100 ma																											1pf @ 20V，1MHz				标准 -单个	35V				700MOHM @ 5mA，200MHz
OT337,116	-	RFQ	1145	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	OT337				TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934054725116	Ear99	8541.30.0080	10,000	单身的																			标准				-
PMGD8000LN，115	-	RFQ	1879年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD8		MOSFET （金属 o化物）	200MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）									30V	125mA		8ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	0.35nc @ 4.5V		18.5pf @ 5V	逻辑级别门
PDTC115EE，115	-	RFQ	1920年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC115			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50 V	20 ma				1µA				npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V		100 kohms	100 kohms
BFU530VL	0.1380	RFQ	3071	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU530			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067703235	Ear99	8541.21.0075	10,000									15.5db																								12V	40mA								NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz			1.1db @ 1.8GHz
BF1100R，235	-	RFQ	2013	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		14 V		表面安装	SOT-143R	BF110	800MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934036560235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门			30mA			10 MA	-	-																	2DB									9 V
BZX84-C10/LF1VL	-	RFQ	9060	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84-C10			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069416235	Ear99	8541.10.0050	3,000																												900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V										10 v	20欧姆
BFU530R	0.4000	RFQ	339	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU530			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									21.5db																								12V	40mA								NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz			0.6dB @ 900MHz
PDTC115TK，115	-	RFQ	3808	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC115			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50 V	100 ma				1µA				npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V		100 kohms
BFT92,215	-	RFQ	5042	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFT92			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									-																								15V	25mA								PNP		20 @ 14mA，10v	5GHz			2.5db @ 500MHz
PMEG2010BEV，115	0.0500	RFQ	110	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	SOT-563，SOT-666			肖特基		SOT-666	下载					Ear99	8541.10.0080	6,542		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									20 v	500 mv @ 1 A	200 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	80pf @ 1V，1MHz
PDTC114TEF，115	-	RFQ	1331	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-89，SOT-490	PDTC114			150兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																																	50 V	100 ma				1µA				npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
BUK7Y7R6-40E/GFX	-	RFQ	3433	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
BFR92A，215	-	RFQ	3100	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR92			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									-																								15V	25mA								NPN		65 @ 15mA，10v	5GHz			2.1db〜3db @ 1GHz〜2GHz
BUK762R9-40E/GFJ	-	RFQ	2511	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						Buk76					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800
BT137X-600F，127	-	RFQ	3293	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡					TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1	单身的					20 ma														标准	600 v	8 a	1.5 v	65a，71a	25 ma
BC618,112	-	RFQ	3355	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC61			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																																	55 v	500 MA				50µA				npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5V	155MHz
MMRF5014HR5	489.0600	RFQ	68	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125 v		底盘安装	NI-360H-2SB	MMRF5014	2.5GHz	hemt		NI-360H-2SB	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-			350 MA	125W	18db																	-									50 V
MRF19030LR5	-	RFQ	8536	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-400	MRF19	1.96GHz	ldmos		NI-400	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50				-			300 MA	30W	13DB																	-									26 V
BF512,235	-	RFQ	6563	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		20 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF512	100MHz	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933505290235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道			30mA			5 ma	-	-																	1.5dB									10 v
MRF282SR1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	Ni-200s	MRF28	2GHz	ldmos		Ni-200s	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	500				-			75 MA	10W	11.5db																	-									26 V
BF904R，215	-	RFQ	2384	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		7 V		表面安装	SOT-143R	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门			30mA			10 MA	-	-																	1dB									5 v
PMN25en，115	-	RFQ	8906	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							30 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 6.2a，10v	2.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	492 PF @ 15 V	-	540MW（TA），6.25W（tc）
MRF6VP3091NR5	-	RFQ	5178	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		115 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314619578	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-			350 MA	18W	22DB																	-									50 V
MRFG35010ANT1	-	RFQ	4780	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		15 v		表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000				-			130 MA	9W	10dB																	-									12 v
BF909WR，135	-	RFQ	6031	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934028870135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门			40mA			15 ma	-	-																	2DB									5 v
PHD16N03T，118	-	RFQ	8498	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	PHD16		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							30 V	13.1A（TC）	10V	100mohm @ 13A，10V	4V @ 1mA	5.2 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 30 V	-	32.6W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²