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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前 - 最大 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻@If,F 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
MRF6S9160HR3 NXP USA Inc. MRF6S9160HR3 -
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ECAD 6875 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 880兆赫 LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2A 35W 20.9分贝 - 28V
BZX79-C4V3,113 NXP USA Inc. BZX79-C4V3,113 0.0200
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ECAD 246 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
BZV90-C7V5115 NXP USA Inc. BZV90-C7V5115 1.0000
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ECAD 5758 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 1.5W SOT-223 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 1 1V@50mA 5V时为1μA 7.5V 15欧姆
PDZ5.1B145 NXP USA Inc. PDZ5.1B145 -
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ECAD 1365 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
MRF6P21190HR5 NXP USA Inc. MRF6P21190HR5 -
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ECAD 3990 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-1230 MRF6 2.12GHz LDMOS NI-1230 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.9安 44W 15.5分贝 - 28V
MMRF1015GNR1 NXP USA Inc. MMRF1015GNR1 18.9720
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ECAD 7999 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 68V 表面贴装 TO-270BA MMRF1015 960兆赫 LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935315212528 EAR99 8541.29.0075 500 - 125毫安 10W 18分贝 - 28V
PSMN2R6-60PS127 NXP USA Inc. PSMN2R6-60PS127 -
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ECAD 4559 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
2N7000,126 NXP USA Inc. 2N7000,126 -
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ECAD 8714 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 胶带和盒子 (TB) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2N70 MOSFET(金属O化物) TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 N沟道 60V 300mA(温度) 4.5V、10V 5欧姆@500mA,10V 2V@1mA ±30V 40pF@10V - 830毫W(塔)
BZX84-A6V8,215 NXP USA Inc. BZX84-A6V8,215 1.0000
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ECAD 9016 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 ±1% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 0000.00.0000 1 900毫伏@10毫安 2μA@4V 6.8V 15欧姆
MRF8S9202GNR3 NXP USA Inc. MRF8S9202GNR3 -
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ECAD 5390 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 表面贴装 OM-780-2 MRF8 920兆赫 场效应管 OM-780-2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935319678528 EAR99 8541.29.0095 250 N沟道 - 1.3A 58W 19分贝 - 28V
PMEG4002AESFC315 NXP USA Inc. PMEG4002AESFC315 0.0500
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ECAD 45 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 9,000
PDTC124XE,115 NXP USA Inc. PDTC124XE,115 -
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ECAD 1097 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTC124 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@500μA,10mA 80@5mA,5V 22欧姆 47欧姆
PHB110NQ06LT,118 NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118 -
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ECAD 3593 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB11 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 7毫欧@25A,10V 2V@1mA 45nC@5V ±15V 3960pF@25V - 200W(温度)
PZM18NB3,115 NXP USA Inc. PZM18NB3,115 -
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ECAD 6232 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM18 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 13V时为70nA 18V 20欧姆
PZM4.3NB3,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB3,115 -
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ECAD 7571 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM4.3 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 1V时为3μA 4.3V 90欧姆
BFR93A215 NXP USA Inc. BFR93A215 -
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ECAD 6423 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PMGD175XNE115 NXP USA Inc. PMGD175XNE115 1.0000
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ECAD 1660 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,000
BZX84-C8V2/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C8V2/LF1VL -
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ECAD 8402 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C8V2 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069486235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 700nA@5V 8.2V 15欧姆
BC327-16,112 NXP USA Inc. BC327-16,112 -
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ECAD 3249 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC32 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 1,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 100@100mA,1V 80兆赫
PHB96NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB96NQ03LT,118 -
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ECAD 1908年 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB PHB96 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 25V 75A(温度) 5V、10V 4.95毫欧@25A,10V 2V@1mA 26.7nC@5V ±20V 2200pF@25V - 115W(温度)
BLF6G10LS-200,112 NXP USA Inc. BLF6G10LS-200,112 -
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ECAD 9534 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502B BLF6 871.5兆赫 LDMOS SOT502B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 60 49A 1.4A 40W 20.2分贝 - 28V
PBSS305PZ,135 NXP USA Inc. PBSS305PZ,135 0.2100
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ECAD 6 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 4,000
BAP51-04W,115 NXP USA Inc. BAP51-04W,115 -
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ECAD 2553 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) SC-70、SOT-323 BAP51 SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 50毫安 240毫W 0.35pF@5V、1MHz PIN - 1 对长江 50V 2.5欧姆@10mA,100MHz
BF840,215 NXP USA Inc. BF840,215 -
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ECAD 1901年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BF840 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PZU22B1,115 NXP USA Inc. PZU22B1,115 -
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ECAD 5878 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PZU22 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PZU15B,115 NXP USA Inc. PZU15B,115 0.0300
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ECAD 48 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PZU15 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
MRF19045LR3 NXP USA Inc. MRF19045LR3 -
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ECAD 3558 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-400 MRF19 1.93GHz LDMOS NI-400-240 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8542.31.0001 250 - 550毫安 9.5W 14.5分贝 - 26V
NZX14B,133 NXP USA Inc. NZX14B,133 0.0200
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ECAD 第257章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX1 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
MRF1517NT1 NXP USA Inc. MRF1517NT1 -
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ECAD 4699 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 25V 表面贴装 PLD-1.5 MRF15 520兆赫 LDMOS PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 4A 150毫安 8W 14分贝 - 7.5V
BZX79-B12,133 NXP USA Inc. BZX79-B12,133 -
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ECAD 2105 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库