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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BFU730F，115	0.6700	RFQ	89	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	BFU730			197MW	4-DFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								-																			2.8V	30mA					NPN	205 @ 2mA，2V	55GHz	0.8db〜1.3dB @ 5.8GHz〜12GHz
BUK6510-75C，127	-	RFQ	4920	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	77A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK653R7-30C，127	-	RFQ	4875	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±16V	4707 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK654R0-75C，127	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	234 NC @ 10 V	±16V	15450 pf @ 25 V	-	306W（TC）
BUK654R6-55C，127	-	RFQ	5882	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	100A（TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±16V	7750 PF @ 25 V	-	204W（TC）
MRF8P20165WHSR3	-	RFQ	6590	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314475128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的			-		550 MA	37W	14.8db											-										28 V
PSMN3R7-25YLC，115	-	RFQ	7551	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN3		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						25 v	97A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.95V @ 1mA	21.6 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 12 V	-	64W（TC）
BB198,115	-	RFQ	9903	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB19				SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																										6.8pf @ 4V，1MHz				单身的	20 v						4.3	C1/C4	-
MRF6VP3091NBR1	-	RFQ	2613	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	115 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319809528	5A991G	8541.29.0075	500	双重的			-		350 MA	18W	22DB											-										50 V
MRFE6VP8600HSR5	-	RFQ	3050	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	130 v		底盘安装	NI-1230S	MRFE6	860MHz	ldmos		NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的			-		1.4 a	125W	19.3db											-										50 V
MRF8P20140WHR5	-	RFQ	1100	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的			-		500 MA	24W	16dB											-										28 V
PSMN7R5-25YLC，115	-	RFQ	9686	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN7		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						25 v	56A（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 15a，10v	1.95V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	921 PF @ 12 V	-	42W（TC）
BAP50LX，315	0.3800	RFQ	8	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C〜150°C（TJ）		SOD-882	BAP50				SOD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000					50 mA													150兆								0.35pf @ 5V，1MHz				PIN-单	50V	3ohm @ 10mA，100MHz
BAP51LX，315	-	RFQ	6447	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜150°C（TJ）		2-XDFN	BAP51				DFN1006D-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000					100 ma													140兆								0.3pf @ 5V，1MHz				PIN-单	60V	1.5OHM @ 100mA，100MHz
BAP64LX，315	0.4300	RFQ	1439	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜150°C（TJ）		SOD-882	BAP64				SOD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000					100 ma													150兆								0.3pf @ 20V，1MHz				PIN-单	60V	1.5OHM @ 100mA，100MHz
BAP65LX，315	0.4000	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C〜150°C（TJ）		SOD-882	BAP65				SOD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000					100 ma													135兆								0.37pf @ 20V，1MHz				PIN-单	30V	350MOHM @ 100mA，100MHz
BF1208,115	-	RFQ	8171	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SOT-563，SOT-666	BF120	400MHz	MOSFET		SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道双门			30mA		19 ma	-	32dB											1.3dB										5 v
BF1208D，115	-	RFQ	7972	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SOT-563，SOT-666	BF120	400MHz	MOSFET		SOT-666	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	n通道双门			30mA		19 ma	-	32dB											0.9dB										5 v
BY329-1500，127	-	RFQ	2354	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	By32		标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1500 v	1.6 V @ 6.5 A	160 ns	250 µA @ 1300 V	150°C （最大）	6a	-
MRF6V2150NBR5	-	RFQ	8852	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-		450 MA	150W	25dB											-										50 V
MRF6VP11KHR5	-	RFQ	1933年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230S-4 GW	MRF6	130MHz	ldmos		NI-1230S-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的			-		150 ma	1000W	26dB											-										50 V
BF1105R，215	-	RFQ	2047	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SOT-143R	BF110	800MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门			30mA			-	20dB											1.7dB										5 v
PH6030L，115	-	RFQ	5311	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH60		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						30 V	76.7a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	15.2 NC @ 4.5 V	±20V	2260 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
PH9030L，115	-	RFQ	9124	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH90		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	13.3 NC @ 4.5 V	±20V	1565 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
PHU77NQ03T，127	-	RFQ	8351	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU77		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						25 v	75A（TC）	10V	9.5MOHM @ 25A，10V	3.2V @ 1mA	17.1 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 12 V	-	107W（TC）
PHU97NQ03LT，127	-	RFQ	8021	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU97		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						25 v	75A（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	11.7 NC @ 4.5 V	±20V	1570 pf @ 12 V	-	107W（TC）
BFG540/XR，215	-	RFQ	3122	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFG54			400MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								-																			15V	120mA					NPN	100 @ 40mA，8v	9GHz	1.3db〜2.4dB @ 900MHz
MRF7S38040HR5	-	RFQ	7382	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-400-240	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-		450 MA	8W	14dB											-										30 V
MRF7S38075HR5	-	RFQ	4257	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-		900 MA	12W	14dB											-										30 V
MRFE6S9160HR3	-	RFQ	5968	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	SOT-957A	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-		1.2 a	35W	21dB											-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²