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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MRF7S38075HSR3	-	RFQ	8862	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-		900 MA	12W	14dB																	-										30 V
BT136-600E/02,127	-	RFQ	7512	NXP USA Inc.	-	管子	过时的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BT136				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934019080127	Ear99	8541.30.0080	5,000	单身的				15 ma														逻辑 -敏感门	600 v	4 a	1.5 v	25a，27a	10 MA
PHU11NQ10T，127	-	RFQ	8552	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Phu11		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						100 v	10.9a（TC）	10V	180mohm @ 9a，10v	4V @ 1mA	14.7 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	57.7W（TC）
BUK9Y59-60E，115	-	RFQ	7203	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1			n通道						60 V	16.7A（TC）	5V	52MOHM @ 5A，10V	2.1V @ 1mA	6.1 NC @ 5 V	±10V	715 PF @ 25 V	-	37W（TC）
MRF6P18190HR5	-	RFQ	4872	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	1.88GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-		2 a	44W	15.9db																	-										28 V
BC547,116	-	RFQ	7050	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC54			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																																	45 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BAV99W/MI115	0.0200	RFQ	8241	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	BAV99		标准		SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	4,258		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								1对系列连接	100 v	150mA（DC）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BUK9608-55A，118	-	RFQ	2117	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk96					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
BZV49-C36,115	0.1800	RFQ	38	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZV49					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000
PMEG4010ESBC314	0.0700	RFQ	486	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	9,000
BZX585-B24,115	-	RFQ	8213	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX585					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
BZX79-C2V7	-	RFQ	2927	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	下载						0000.00.0000	1																													1.5 V @ 100 ma		75 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
PDTA114ES，126	-	RFQ	2746	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的				通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA114			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																	50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V		10 kohms	10 kohms
MRF8S8260HR3	-	RFQ	2136	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		70 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	895MHz	ldmos		NI-880H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310534128	Ear99	8541.29.0075	250				-		1.5 a	70W	21.1db																	-										28 V
PRF13750HR9	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	条	过时的		105 v			SOT-979A	PRF13	700MHz〜1.3GHz	ldmos		NI-1230-4H	-		（1 （无限）	到达不受影响	568-13415	Ear99	8541.29.0075	1	双重的			10µA			650W	20.6dB																	-
BFU550XRVL	0.0699	RFQ	8913	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFU550			450MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93406713235	Ear99	8541.21.0075	10,000								15.5db																									12V	50mA					NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz			1.25dB @ 1.8GHz
BAV170235	1.0000	RFQ	4641	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	1
PHX23NQ11T，127	-	RFQ	4323	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX23		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						110 v	16A（TC）	10V	70MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 25 V	-	41.6W（TC）
MRF6S9045MR1	-	RFQ	9397	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		68 v			TO-270-2	MRF6	880MHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500				-		350 MA	10W	22.7dB																	-										28 V
BZX79-C51143	0.0200	RFQ	35	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.10.0050	1
BZX79-B4V3,133	-	RFQ	1326	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX79					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000
BZB84-B56,215	0.0300	RFQ	18	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	±2％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.10.0050	11,823	1对公共阳极																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V						56 v	200欧姆
BUK76150-55A，118	-	RFQ	5926	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	11A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.5 NC @ 10 V	±20V	322 PF @ 25 V	-	36W（TC）
BFU530XAR	0.4800	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU530			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								22DB																									12V	40mA					NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz			0.7dB @ 900MHz
BT139-600E/DG，127	0.4200	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	713	单身的				45 MA														逻辑 -敏感门	600 v	16 a	1.5 v	155a，170a	10 MA
BTA204-600F，127	-	RFQ	5007	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1	单身的				20 ma														标准	600 v	4 a	1.5 v	25a，27a	25 ma
BTA316-800B0,127	-	RFQ	5206	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220AB	下载					Ear99	8541.30.0080	527	单身的				60 ma														标准	800 v	16 a	1.5 v	140a，150a	50 mA
PDTA114TEF，115	-	RFQ	8225	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-89，SOT-490	PDTA114			150兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																																	50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
2PC1815Y，126	-	RFQ	1198	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PC18			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																																	50 V	150 ma		100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
A2T18S165-12SR3	-	RFQ	3761	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		底盘安装	NI-780-2S2L	A2T18	1.805GHZ〜1.995GHz	ldmos		NI-780-2S2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935316365128	Ear99	8541.29.0075	250				10µA		800 MA	148W	18db																	-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²