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6133）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZX284-C5V6,135	-	RFQ	9070	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-110	BZX284			400兆	SOD-110	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	11,000																						1.1 V @ 100 mA		1 µA @ 2 V										5.6 v	40欧姆
PZM2.7NB，115	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PZM2.7			300兆	SMT3; mpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1.1 V @ 100 mA		20 µA @ 1 V										2.7 v	100欧姆
PMEG2015EA115	-	RFQ	1730	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	SC-76，SOD-323			肖特基		SOD-323	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v		660 mv @ 1.5 A		50 µA @ 15 V	-65°C〜125°C	1.5a	25pf @ 5V，1MHz
PMWD15UN，518	-	RFQ	8556	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	PMWD15		MOSFET （金属 o化物）	4.2W	8-tssop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							20V	11.6a		18.5mohm @ 5A，4.5V	700mv @ 1mA	22.2nc @ 4.5V		1450pf @ 16V	逻辑级别门
BUK763R8-80E118	1.0000	RFQ	4080	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
PHX9NQ20T，127	-	RFQ	9179	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					200 v	5.2A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	959 pf @ 25 V	-	25W（TC）
PSMN050-80B，118	-	RFQ	9168	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800			n通道					80 V	22a（TC）	10V	46mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	633 pf @ 12 V	-	56W（TC）
PDTB123TS，126	-	RFQ	7639	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的				通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTB123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																												50 V	500 MA				500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V		2.2 kohms
BFR505,215	-	RFQ	1628年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR50			150MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							-																					15V	18mA							NPN		60 @ 5mA，6v	9GHz			1.2db〜2.1dB @ 900MHz
PSMN005-55B，118	-	RFQ	6046	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	103 NC @ 5 V	±15V	6500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
BC856BT115	1.0000	RFQ	3797	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BC856			150兆	SC-75	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																												65 v	100 ma				15NA（icbo）			PNP	400mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PBRP123YS，126	-	RFQ	2509	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的				通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PBRP123			500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																												50 V	800 MA				-			pnp-预先偏见	-	-		2.2 kohms	10 kohms
BYV25FD-600,118	0.3200	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		DPAK	下载					Ear99	8541.10.0080	944		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v		1.9 V @ 5 A	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
BF909WR，135	-	RFQ	6031	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934028870135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门			40mA	15 ma	-	-											2DB												5 v
BZX585-B36,115	-	RFQ	8651	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZX585					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
PDTA143ZEF，115	-	RFQ	9650	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-89，SOT-490	PDTA143			250兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																												50 V	100 ma				1µA			pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		4.7科姆斯	47科姆斯
BAS116T，115	-	RFQ	2965	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SC-75，SOT-416	BAS11		标准		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		75 v		1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	215ma	2pf @ 0v，1MHz
PN2907A，126	-	RFQ	2351	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN29			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																												60 V	600 MA				10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BUK655R0-75C，127	-	RFQ	9580	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					75 v	120A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	177 NC @ 10 V	±16V	11400 PF @ 25 V	-	263W（TC）
BUK752R7-30B，127	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					30 V	75A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	6212 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MRF24301HSR5	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				底盘安装	NI-780	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50				-		300W	13.5dB											-
PRLL5817,115	-	RFQ	3310	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	SOD-87	prll58		肖特基		梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v		450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	125°c （最大）	1a	70pf @ 4V，1MHz
PDTC124XK，115	-	RFQ	6389	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC124			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												50 V	100 ma				1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
A2T18S162W31SR3	-	RFQ	9820	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		65 v		表面安装	NI-780S-2L2LA	A2T18	1.84GHz	ldmos		NI-780S-2L2LA	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935325964128	Ear99	8541.29.0075	250				-	1 a	32W	20.1db											-												28 V
PBRN113EK，115	-	RFQ	8611	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBRN113			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																												40 V	600 MA				500NA			npn-预先偏见	1.15V @ 8mA，800mA	180 @ 300mA，5V		1 kohms	1 kohms
BAV70,215	-	RFQ	4727	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70		标准		SOT-23	下载						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BUJD203AD，118	-	RFQ	6387	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				80 W	DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1																												425 v	4 a				100µA			NPN	1V @ 600mA，3a	11 @ 2a，5v	-
MMRF1317HSR5	839.9756	RFQ	8265	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		105 v		底盘安装	NI-1230-4S	MMRF1317	1.03GHz	ldmos		NI-1230-4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-	100 ma	1300W	18.2db											-												50 V
BZV55-B5V1,115	-	RFQ	4161	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						BZV55					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500
BB207,215	0.6700	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BB207				SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																											26.3pf @ 8v，1MHz				1对普通阴极	15 v											3.3	C1/C7.5	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²