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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
2PC4617S,115 NXP USA Inc. 2PC4617S,115 -
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ECAD 9332 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 2PC46 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) NPN 200毫伏@5毫安,50毫安 270@1mA,6V 100兆赫兹
MRF9045NBR1 NXP USA Inc. MRF9045NBR1 -
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ECAD 1111 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V TO-272-2 MRF90 945兆赫 LDMOS TO-272-2 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 500 - 350毫安 45W 19分贝 - 28V
BUK9575-100A,127 NXP USA Inc. BUK9575-100A,127 -
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ECAD 6432 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛洼95 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BUK7Y12-100E115 NXP USA Inc. BUK7Y12-100E115 1.0000
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ECAD 9023 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
BZX384-B39,115 NXP USA Inc. BZX384-B39,115 -
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ECAD 3184 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX384 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
BC69PA,115 NXP USA Inc. BC69PA,115 0.0700
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ECAD 1004 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-PowerUDFN 420毫W 3-休森 (2x2) 下载 EAR99 8541.29.0075 2,050人 20V 2A 100nA(ICBO) 国民党 600mV@200mA,2A 85@500mA,1V 140兆赫
BZV55-C43135 NXP USA Inc. BZV55-C43135 -
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ECAD 3147 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
PSMN5R8-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN5R8-30LL,115 -
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ECAD 1063 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 PSMN5 MOSFET(金属O化物) 8-DFN3333 (3.3x3.3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,400 N沟道 30V 40A(温度) 4.5V、10V 5.8毫欧@10A、10V 2.15V@1mA 24nC@10V ±20V 1316pF@15V - 55W(温度)
PBLS1502Y,115 NXP USA Inc. PBLS1502Y,115 0.0700
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ECAD 79 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PBLS1502 300毫W SOT-363 下载 EAR99 8541.21.0075 4,873 50V、15V 100毫安、500毫安 1μA、100nA 1个NPN预偏置,1个PNP 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V 280兆赫 4.7k欧姆 4.7k欧姆
PMEG2010ET,215 NXP USA Inc. PMEG2010ET,215 -
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ECAD 1000 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 聚B二醇2 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000
PDTA144TE,115 NXP USA Inc. PDTA144TE,115 -
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ECAD 1239 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTA144 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 100 @ 1mA,5V 47欧姆
MRFG35010AR5 NXP USA Inc. MRFG35010AR5 -
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ECAD 第1393章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V 安装结构 NI-360HF MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 NI-360HF - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 140毫安 1W 10分贝 - 12V
MRF8P20165WHR5 NXP USA Inc. MRF8P20165WHR5 -
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ECAD 9260 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 65V 安装结构 NI-780-4 MRF8 1.98GHz~2.01GHz LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 550毫安 37W 14.8分贝 - 28V
BUK9275-100A,118 NXP USA Inc. BUK9275-100A,118 -
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ECAD 8015 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛洼92 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人
A3T21H456W23SR6 NXP USA Inc. A3T21H456W23SR6 93.4511
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ECAD 9541 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 的积极 A3T21 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150
2N3906,116 NXP USA Inc. 2N3906,116 -
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ECAD 2719 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2N39 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 40V 200毫安 50nA(ICBO) 国民党 200毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 250兆赫
PDTD123TS,126 NXP USA Inc. PDTD123TS,126 -
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ECAD 7549 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTD123 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 500毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300毫伏@2.5毫安、50毫安 100@50mA,5V 2.2欧姆
BC857QAS/S500147 NXP USA Inc. BC857QAS/S500147 -
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ECAD 6185 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC857 下载 EAR99 8541.21.0075 1
BUK7516-55A,127 NXP USA Inc. BUK7516-55A,127 0.3700
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 55V 65.7A(温度) 10V 16毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 2245pF@25V - 138W(温度)
MMRF1320NR1 NXP USA Inc. MMRF1320NR1 47.6628
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ECAD 3367 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 TO-270-4 MMRF1320 230兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935324934528 EAR99 8541.29.0075 500 双重的 - 100毫安 150W 26.1分贝 - 50V
BC817-16,215 NXP USA Inc. BC817-16,215 0.0200
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ECAD 5705 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC817 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF7S38075HSR5 NXP USA Inc. MRF7S38075HSR5 -
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ECAD 8378 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 3.4GHz~3.6GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 900毫安 12W 14分贝 - 30V
BAT854SW,115 NXP USA Inc. BAT854SW,115 -
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ECAD 3726 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 电池组85 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000
BUK9510-55A,127 NXP USA Inc. BUK9510-55A,127 -
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ECAD 2320 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 9毫欧@25A,10V 2V@1mA 68nC@5V ±15V 4307pF@25V - 200W(温度)
PHX9NQ20T,127 NXP USA Inc. PHX9NQ20T,127 -
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ECAD 9179 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PHX9 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 200V 5.2A(温度) 10V 400mOhm@4.5A,10V 4V@1mA 24nC@10V ±20V 959pF@25V - 25W(温度)
BFG591,115 NXP USA Inc. BFG591,115 -
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ECAD 9602 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA BFG59 2W SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 15V 200毫安 NPN 60@70mA,8V 7GHz -
PZM4.7NB,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB,115 -
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ECAD 5687 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM4.7 300毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 1V时为3μA 4.7V 80欧姆
PZU11B,115 NXP USA Inc. PZU11B,115 -
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ECAD 3543 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PZU11 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PBSS301NZ,135 NXP USA Inc. PBSS301NZ,135 0.2200
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ECAD 26 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 4,000
BUK7628-55A,118 NXP USA Inc. BUK7628-55A,118 -
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ECAD 3586 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼76 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 42A(温度) 10V 28毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 1165pF@25V - 99W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

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    标准产品单位

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