SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BFG590,215 NXP USA Inc. BFG590,215 -
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG59 400MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 200mA NPN 60 @ 70mA,8v 5GHz -
PMEG4002AESF315 NXP USA Inc. PMEG4002AESF315 -
RFQ
ECAD 4140 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 9,000
BZX79-B75,133 NXP USA Inc. BZX79-B75,133 -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
PBLS4001V,115 NXP USA Inc. PBLS4001V,115 -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 PBLS4001 300MW SOT-666 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50V,40V 100mA,500mA 1µA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 350mv @ 50mA,500mA 30 @ 20mA,5v / 150 @ 100mA,2V 300MHz 2.2kohms 2.2kohms
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A,118 -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 60 NC @ 5 V ±15V 4633 PF @ 25 V - 211W(TC)
MRF6S18100NBR1 NXP USA Inc. MRF6S18100NBR1 -
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ECAD 7298 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 TO-272BB MRF6 1.99GHz ldmos TO-272 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 900 MA 100W 14.5db - 28 V
BC517,116 NXP USA Inc. BC517,116 -
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ECAD 7430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC51 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1V @ 100µA,100mA 30000 @ 20mA,2V 220MHz
PBLS1502Y,115 NXP USA Inc. PBLS1502Y,115 0.0700
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ECAD 79 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 PBLS1502 300MW SOT-363 下载 Ear99 8541.21.0075 4,873 50V,15V 100mA,500mA 1µA,100NA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 250mv @ 50mA,500mA 30 @ 10mA,5v / 150 @ 100mA,2V 280MHz 4.7kohms 4.7kohms
PBSS4240ZX NXP USA Inc. PBSS4240ZX 0.1000
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ECAD 4159 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 表面安装 TO-261-4,TO-261AA SOT-223 下载 Ear99 8541.29.0075 1
AFT05MP075NR1 NXP USA Inc. AFT05MP075NR1 20.9600
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ECAD 5101 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 40 V 表面安装 TO-270AB AFT05 520MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 400 MA 70W 18.5db - 12.5 v
PMEM4030NS,115 NXP USA Inc. PMEM4030NS,115 -
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PMEM4 1 w 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 50 V 2 a 100NA(ICBO) NPN +二极管(隔离) 370mv @ 300mA,3a 200 @ 1A,2V 100MHz
PZM13NB2A,115 NXP USA Inc. PZM13NB2A,115 -
RFQ
ECAD 3632 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM13 220兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 10 V 13 V 10欧姆
BZV49-C33115 NXP USA Inc. BZV49-C33115 0.1600
RFQ
ECAD 6783 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 1,760
BUK9Y7R8-80E,115 NXP USA Inc. BUK9Y7R8-80E,115 -
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 buk9y7 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067026115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V - - - - -
BF1211R,215 NXP USA Inc. BF1211R,215 -
RFQ
ECAD 3848 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 6 V 表面安装 SOT-143R BF121 400MHz MOSFET SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 15 ma - 29dB 0.9dB 5 v
PHP78NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP78NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 6482 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP78 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 9mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 13 NC @ 5 V ±20V 1074 PF @ 25 V - 93W(TC)
BZX284-C10,115 NXP USA Inc. BZX284-C10,115 -
RFQ
ECAD 1793年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-110 BZX284 400兆 SOD-110 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 200 na @ 7 V 10 v 10欧姆
PZM6.8NB,115 NXP USA Inc. PZM6.8NB,115 -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM6.8 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 2 µA @ 3.5 V 6.8 v 15欧姆
PDTA114TEF,115 NXP USA Inc. PDTA114TEF,115 -
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-89,SOT-490 PDTA114 150兆 SC-89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V 10 kohms
A2T27S020NR1 NXP USA Inc. A2T27S020NR1 8.4350
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 表面安装 TO-270-2 A2T27 400MHz〜2.7GHz ldmos TO-270-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935331771528 Ear99 8541.29.0075 500 10µA 185 MA 20W 21dB - 28 V
BZX84-C3V6/DG/B3235 NXP USA Inc. BZX84-C3V6/DG/B3235 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 15,000
PHP143NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP143NQ04T,127 -
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP14 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 10V 5.2MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 2840 pf @ 25 V - 200W(TC)
BY459X-1500,127 NXP USA Inc. BY459X-1500,127 -
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 BY45 标准 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.3 V @ 6.5 A 350 ns 250 µA @ 1300 V 150°C (最大) 12a -
MRF21010LSR5 NXP USA Inc. MRF21010LSR5 -
RFQ
ECAD 1980 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-360S MRF21 2.17GHz ldmos NI-360S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 100 ma 10W 13.5dB - 28 V
PDTC123YS,126 NXP USA Inc. PDTC123YS,126 -
RFQ
ECAD 4129 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC123 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 35 @ 5mA,5v 2.2 kohms 10 kohms
PDTA144TE,115 NXP USA Inc. PDTA144TE,115 -
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA144 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 100 @ 1mA,5V 47科姆斯
PBSS4032NX,115 NXP USA Inc. PBSS4032NX,115 0.2000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000
BZX585-C12,115 NXP USA Inc. BZX585-C12,115 -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX585 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
PDTC114TEF,115 NXP USA Inc. PDTC114TEF,115 -
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-89,SOT-490 PDTC114 150兆 SC-89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 200 @ 1mA,5V 10 kohms
MRF8S21100HSR5 NXP USA Inc. MRF8S21100HSR5 -
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 2.17GHz MOSFET NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 - 700 MA 24W 18.3db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库