分立半导体产品(6133)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前 - 最大	电流 - 保持 (Ih)（最大）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	全部可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
MRF8S21120HR3	-	询价	8601	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V		安装结构	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935314244128	EAR99	8541.29.0075	250				-			850毫安	28W	17.6分贝																	-										28V
BC846B/DG/B4215	0.0300	询价	9078	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PZU30B,115	-	询价	6467	恩智浦	*	大部分	的积极						PZU3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000
PHB33NQ20T,118	-	询价	6095	恩智浦	*	大部分	的积极						PHB33					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
BTA316-800B0,127	-	询价	5206	恩智浦	-	大部分	的积极			125°C（太焦）	通孔	TO-220-3					TO-220AB	下载					EAR99	8541.30.0080	第527章	单身的					60毫安														标准	800V	16A	1.5V	140A、150A	50毫安
BZX79-B24,113	0.0200	询价	111	恩智浦	-	大部分	的积极	±2%		-65℃～200℃	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教				400毫W	ALF2	下载					EAR99	8541.10.0050	1																												900毫伏@10毫安		16.8V时为50nA										24V	70欧姆
PMT760EN,135	-	询价	4263	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	PMT7		MOSFET（金属O化物）		SC-73	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000			N沟道							100伏	900mA（塔）	4.5V、10V	950mOhm@800mA，10V	2.5V@250μA	3nC@10V	±20V	80V时为160pF	-	800mW（Ta）、6.2W（Tc）
MRF8P23160WHR3	-	询价	3226	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V			NI-780-4	MRF8	2.32GHz	场效应晶体管		NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935317531128	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道			-			600毫安	30W	14.1分贝																	-										28V
BAP64-05W,135	0.4800	询价	10	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极			-65°C ~ 150°C（太焦）		SC-70、SOT-323	BAP64				SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	10,000					100毫安														240毫W														0.35pF@20V、1MHz				PIN - 1 对共轭	100V				1.35欧姆@100mA、100MHz
MRF21010LSR5	-	询价	1980年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V		安装结构	NI-360S	MRF21	2.17GHz	LDMOS		NI-360S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50				-			100毫安	10W	13.5分贝																	-										28V
PHPT61010PY115	-	询价	2201	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
PZM6.2NB1,115	-	询价	第1774章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	±2%		-65℃～150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PZM6.2			300毫W	SMT3；帕金克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																												1.1V@100mA		3V时为2μA										6.2V	10欧姆
NX3008NBKT,115	-	询价	2280	恩智浦	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的			-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	NX30		MOSFET（金属O化物）		SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道							30V	350mA（塔）	1.8V、4.5V	1.4欧姆@350mA，4.5V	1.1V@250μA	0.68nC@4.5V	±8V	50pF@15V	-	250mW（Ta）、770mW（Tc）
MRF6S21050LR3	-	询价	7368	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		68V		安装结构	NI-400	MRF6	2.16GHz	LDMOS		NI-400	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250				-			450毫安	11.5W	16分贝																	-										28V
2PA1774QMB315	0.0400	询价	57	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	3-XFDFN				250毫W	DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																																		40V	100毫安				100nA（ICBO）				国民党	200毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	100兆赫兹
PZM15NB2,115	-	询价	4553	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	±2%		-65℃～150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PZM15			300毫W	SMT3；帕金克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000																												1.1V@100mA		11V时为70nA										15V	15欧姆
BZX585-B36,115	-	询价	8651	恩智浦	*	大部分	的积极						BZX585					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000
PHP143NQ04T,127	-	询价	7997	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的			-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP14		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道							40V	75A（温度）	10V	5.2毫欧@25A，10V	4V@1mA	52nC@10V	±20V	2840pF@25V	-	200W（温度）
BUK761R8-30C,118	-	询价	第1442章	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的			-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼76		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			N沟道							30V	100A（温度）	10V	1.8毫欧@25A，10V	4V@1mA	150nC@10V	±20V	10349pF@25V	-	333W（温度）
BZX585-B3V3,115	-	询价	8629	恩智浦	*	大部分	的积极						BZX585					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000
BUK7Y72-80EX	-	询价	3237	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极			-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669			MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	下载					EAR99	8541.29.0095	1			N沟道							80V	16A（温度）	10V	72mOhm@5A，10V	4V@1mA	9.8nC@10V	±20V	633pF@25V	-	45W（温度）
MRFG35003N6T1	-	询价	2223	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		8V		表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000				-			180毫安	3W	9分贝																	-										6V
PBSS301NX,115	0.2000	询价	第432章	恩智浦	-	大部分	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				2.1W	SOT-89	下载					EAR99	8541.29.0075	1,495																																		12V	5.3A				100nA（ICBO）				NPN	200mV@265mA，5.3A	250@2A、2V	140兆赫
BZV90-C4V7,115	-	询价	7715	恩智浦	*	大部分	的积极						BZV90					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	1,000
MRF5S19150HSR3	-	询价	7120	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		65V			NI-880S	MRF5	1.99GHz	LDMOS		NI-880S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250				-			1.4A	32W	14分贝																	-										28V
BC858W,115	1.0000	询价	2509	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	1																																		30V	100毫安				15nA（ICBO）				国民党	600毫伏@5毫安、100毫安	125@2mA，5V	100兆赫兹
BZB784-C5V1,115	0.0300	询价	6710	恩智浦	*	大部分	的积极						BZB784					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	3,000
BZX884-B11/S500315	-	询价	3794	恩智浦	BZX884	大部分	的积极	±2%		150°C（太焦）	表面贴装	SOD-882				250毫W	DFN1006-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0050	1																												900毫伏@10毫安		8V时为100nA										11伏	10欧姆
BYV25FD-600,118	0.3200	询价	1	恩智浦	-	大部分	的积极				表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			标准		DPAK	下载					EAR99	8541.10.0080	第944章		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																									600伏	1.9V@5A	35纳秒	50μA@600V	150℃（最高）	5A	-
PDTA144TE115	0.0400	询价	90	恩智浦	*	大部分	的积极						PDTA144					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²