SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) 电流 -最大 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电阻 @ if,f 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
BF1216,115 NXP USA Inc. BF1216,115 -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 6 V 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BF121 400MHz MOSFET 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 19 ma - 30dB 1dB 5 v
PZU5.6B2A115 NXP USA Inc. PZU5.6B2A115 -
RFQ
ECAD 3942 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BB202LX,315 NXP USA Inc. BB202LX,315 -
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜85°C(TJ) 表面安装 SOD-882 BB20 SOD2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 11.2pf @ 2.3V,1MHz 单身的 6 V 2.5 C0.2/C2.3 -
PZU7.5BA115 NXP USA Inc. PZU7.5BA115 -
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BZX84-A3V0,215 NXP USA Inc. BZX84-A3V0,215 0.1100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±1% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0050 2,681 900 mv @ 10 ma 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
BUK9611-55A,118 NXP USA Inc. BUK9611-55A,118 -
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 75A(TC) 4.5V,10V 10mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±10V 4230 PF @ 25 V - 166W(TC)
BLF8G20LS-400PVQ NXP USA Inc. BLF8G20LS-400PVQ -
RFQ
ECAD 4489 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 65 v 底盘安装 SOT-1242B BLF8G20 1.81GHZ〜1.88GHz ldmos CDFM8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067803127 Ear99 8541.29.0075 15 双重的 - 3.4 a 95W 19db - 28 V
MRF6S18140HSR3 NXP USA Inc. MRF6S18140HSR3 -
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ECAD 2799 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 NI-880S MRF6 1.88GHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 29W 16dB - 28 V
PHK4NQ20T,518 NXP USA Inc. PHK4NQ20T,518 -
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PHK4N MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 200 v 4A(TC) 5V,10V 130MOHM @ 4A,10V 4V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±20V 1230 PF @ 25 V - 6.25W(TC)
BFU550R NXP USA Inc. BFU550R 0.5900
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ECAD 45 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFU550 450MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 21dB 12V 50mA NPN 60 @ 15mA,8v 11GHz 0.7dB @ 900MHz
BYV25G-600,127 NXP USA Inc. BYV25G-600,127 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 byv25 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000
PBLS2003S,115 NXP USA Inc. PBLS2003S,115 -
RFQ
ECAD 8805 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PBLS20 1.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 50V,20V 100mA,3a 1µA,100NA 1 NPN预偏,1 pnp 150mv @ 500µA,10mA / 355mv @ 300mA,3a 30 @ 5mA,5v / 150 @ 2a,2v 100MHz 10KOHMS 10KOHMS
BAS56,215 NXP USA Inc. BAS56,215 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAS56 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
PDTA124XE,115 NXP USA Inc. PDTA124XE,115 -
RFQ
ECAD 5212 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA124 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
PHB38N02LT,118 NXP USA Inc. PHB38N02LT,118 -
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PHB38 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 20 v 44.7a(TC) 2.5V,5V 16mohm @ 25a,5v 1.5V @ 250µA 15.1 NC @ 5 V 12V 800 pf @ 20 V - 57.6W(TC)
BZX79-C43,133 NXP USA Inc. BZX79-C43,133 -
RFQ
ECAD 3362 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20-110B,112 -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 SOT-502A BLF4 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos 最多 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 60 12a 700 MA 100W 13.5dB - 28 V
BAP70AM,135 NXP USA Inc. BAP70AM,135 -
RFQ
ECAD 5833 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAP70 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 100 ma 300兆 0.25pf @ 20V,1MHz 引脚-2对系列 50V 1.9OHM @ 100mA,100MHz
BUK9Y98-80E,115 NXP USA Inc. BUK9Y98-80E,115 -
RFQ
ECAD 6303 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 BUK9Y98 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067034115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V - - - - -
BUK9523-75A,127 NXP USA Inc. BUK9523-75A,127 -
RFQ
ECAD 5434 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Buk95 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 53A(TC) 4.5V,10V 22mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA ±10V 3120 PF @ 25 V - 138W(TC)
PMWD30UN,518 NXP USA Inc. PMWD30UN,518 -
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) PMWD30 MOSFET (金属 o化物) 2.3W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 5a 33mohm @ 3.5A,4.5V 700mv @ 1mA 28nc @ 5V 1478pf @ 10V 逻辑级别门
MRF6V13250HSR3 NXP USA Inc. MRF6V13250HSR3 -
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ECAD 1648年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 120 v 底盘安装 NI-780 MRF6 1.3GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 100 ma 250W 22.7dB - 50 V
BLP8G10S-45PGJ NXP USA Inc. blp8g10s-45pgj -
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 28 V 表面安装 SOT-1223-1 BLP8 700MHz〜1GHz ldmos 4-HSOPF 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 934067372118 Ear99 8541.29.0095 100 - 45W 21dB -
BF1105WR,115 NXP USA Inc. BF1105WR,115 -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 7 V 表面安装 SC-82A,SOT-343 BF110 800MHz MOSFET CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA - 20dB 1.7dB 5 v
PBRP123YS,126 NXP USA Inc. PBRP123YS,126 -
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PBRP123 500兆 TO-92-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 800 MA - pnp-预先偏见 - - 2.2 kohms 10 kohms
BAT754,215 NXP USA Inc. BAT754,215 0.0500
RFQ
ECAD 1887年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 肖特基 SOT-23 下载 Ear99 8541.10.0070 5,645 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 600 mv @ 100 ma 2 µA @ 25 V 125°c (最大) 200mA 10pf @ 1V,1MHz
MRF5P21180HR6 NXP USA Inc. MRF5P21180HR6 -
RFQ
ECAD 3934 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-1230 MRF5 2.16GHz ldmos NI-1230 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 150 - 1.6 a 38W 14dB - 28 V
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. MMRF1008HSR5 -
RFQ
ECAD 7453 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 100 v 底盘安装 NI-780 MMRF1 1.03GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935311734178 Ear99 8541.29.0075 50 - 100 ma 275W 20.3db - 50 V
MRF18060ALR3 NXP USA Inc. MRF18060ALR3 -
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF18 1.81GHZ〜1.88GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 - 500 MA 60W 13DB - 26 V
AFT26H250-24SR6 NXP USA Inc. AFT26H250-24SR6 -
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ECAD 7111 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-1230-4LS2L AFT26 2.5GHz ldmos NI-1230-4LS2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935323547128 Ear99 8541.29.0095 150 - 700 MA 50W 14.1db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库