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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前 - 最大 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻@If,F 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
BZX84-C16/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-C16/DG/B3215 0.0200
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ECAD 24 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 15,000
NZX6V2B,133 NXP USA Inc. NZX6V2B,133 0.0200
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ECAD 37 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZX6 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PEMT1,115 NXP USA Inc. PEMT1,115 -
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ECAD 3313 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PEMT1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
BAP51-02,115 NXP USA Inc. BAP51-02,115 0.4400
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ECAD 28 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) SC-79、SOD-523 BAP51 SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 50毫安 715毫W 0.35pF@5V、1MHz PIN-单个 60V 2.5欧姆@10mA,100MHz
BC857B,215 NXP USA Inc. BC857B,215 -
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ECAD 第1643章 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC857 250毫W TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 220@2mA,5V 100兆赫兹
MRF6VP41KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP41KHR5 -
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ECAD 4653 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 NI-1230 MRF6 450兆赫 LDMOS NI-1230 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935309956178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 150毫安 1000W 20分贝 - 50V
NZX3V3C,133 NXP USA Inc. NZX3V3C,133 0.0200
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ECAD 64 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±3% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W ALF2 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@200mA 1V时为5μA 3.3V 100欧姆
PMEG4010EGW118 NXP USA Inc. PMEG4010EGW118 -
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ECAD 第1352章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 10,000
BFG590,215 NXP USA Inc. BFG590,215 -
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ECAD 6423 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFG59 400毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 200毫安 NPN 60@70mA,8V 5GHz -
J2A012ZXZ/S1AZ312J NXP USA Inc. J2A012ZXZ/S1AZ312J -
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ECAD 5663 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J2A0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
PMV37EN,215 NXP USA Inc. PMV37EN,215 -
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ECAD 9564 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMV3 MOSFET(金属O化物) SOT-23 (TO-236AB) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 30V 3.1A(塔) 4.5V、10V 36毫欧@3.1A,10V 2.5V@250μA 10nC@10V ±20V 10V时为330pF - 380毫W(塔)
PBLS1503V,115 NXP USA Inc. PBLS1503V,115 -
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ECAD 第2253章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PBLS15 300毫W SOT-666 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 50V、15V 100毫安、500毫安 1μA、100nA 1个NPN预偏置,1个PNP 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 30 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA。2V 280兆赫 10k欧姆 10k欧姆
NZH4V3B,115 NXP USA Inc. NZH4V3B,115 -
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ECAD 6103 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 NZH4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000
PMEG045V150EPD146 NXP USA Inc. PMEG045V150EPD146 0.3300
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ECAD 43 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1,500人
PDTA114YU NXP USA Inc. PDTA114YU 1.0000
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ECAD 4603 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
BYC20DX-600P127 NXP USA Inc. BYC20DX-600P127 0.7500
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1
BAP1321-04215 NXP USA Inc. BAP1321-04215 -
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ECAD 7488 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 3,000
BFG410W,135 NXP USA Inc. BFG410W,135 -
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ECAD 7089 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BFG41 54毫W CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934047460135 EAR99 8541.21.0075 10,000 21分贝 4.5V 12毫安 NPN 50@10mA,2V 22GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
PMEG2010BEV,115 NXP USA Inc. PMEG2010BEV,115 0.0500
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ECAD 110 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 肖特基 SOT-666 下载 EAR99 8541.10.0080 6,542 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 500毫伏@1安 20V时为200μA 150℃(最高) 1A 80pF@1V、1MHz
PDTC123JS,126 NXP USA Inc. PDTC123JS,126 -
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ECAD 8061 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PDTC123 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@10mA,5V 2.2欧姆 47欧姆
MPSA06,412 NXP USA Inc. MPSA06,412 -
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ECAD 8155 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 MPSA06 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 500毫安 50nA(ICBO) NPN 250毫伏@10毫安,100毫安 100@100mA,1V 100兆赫兹
PBSS5112PAP NXP USA Inc. PBSS5112PAP 1.0000
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ECAD 4335 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
MRF6V13250HSR3 NXP USA Inc. MRF6V13250HSR3 -
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ECAD 1648 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 120V 安装结构 NI-780S MRF6 1.3GHz LDMOS NI-780S - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 100毫安 250W 22.7分贝 - 50V
BUK76150-55A,118 NXP USA Inc. BUK76150-55A,118 -
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ECAD 5926 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼76 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 11A(温度) 10V 150mOhm@5A,10V 4V@1mA 5.5nC@10V ±20V 322pF@25V - 36W(温度)
PHP119NQ06T,127 NXP USA Inc. PHP119NQ06T,127 -
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ECAD 8987 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP11 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 75A(温度) 10V 7.1毫欧@25A,10V 4V@1mA 53nC@10V ±20V 2820pF@25V - 200W(温度)
PMEG2002AESF,315 NXP USA Inc. PMEG2002ASF,315 -
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ECAD 8362 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 0201(0603 公制) PMEG2002 肖特基 DSN0603-2 下载 0000.00.0000 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 420 毫伏 @ 200 毫安 1.9纳秒 20V时为45μA 125℃(最高) 200毫安 25pF@1V、1MHz
PZM13NB2A,115 NXP USA Inc. PZM13NB2A,115 -
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ECAD 3632 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% - 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PZM13 220毫W SMT3;帕金克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 10V时为100nA 13伏 10欧姆
PBSS3540MB,315 NXP USA Inc. PBSS3540MB,315 0.0300
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ECAD 49 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-101、SOT-883 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 9,947 40V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 50mV@500μA,10mA 200@10mA,2V 300兆赫
BSS63,215 NXP USA Inc. BSS63,215 -
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ECAD 2310 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BSS6 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
BUK9Y11-30B,115 NXP USA Inc. BUK9Y11-30B,115 -
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ECAD 7160 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 布克9 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库