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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 噪声图( db typ @ f) 电容比 电容比条件 q @ vr,f
BZX79-B51,133 NXP USA Inc. BZX79-B51,133 0.0200
RFQ
ECAD 83 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZX79 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
BZV55-C4V7,115 NXP USA Inc. BZV55-C4V7,115 0.0200
RFQ
ECAD 8266 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV55 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500
BT150S-600R,118 NXP USA Inc. BT150S-600R,118 -
RFQ
ECAD 1713年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DPAK 下载 Ear99 8541.30.0080 1 6 ma 600 v 4 a 1 V 35a,38a 200 µA 1.8 v 2.5 a 500 µA 敏感门
BFG480W,135 NXP USA Inc. BFG480W,135 -
RFQ
ECAD 5457 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFG48 360MW CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934055055135 Ear99 8541.21.0075 10,000 16dB 4.5V 250mA NPN 40 @ 80mA,2V 21GHz 1.2db〜1.8dB @ 900MHz〜2GHz
BZB984-C9V1,115 NXP USA Inc. BZB984-C9V1,115 -
RFQ
ECAD 1807年 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 SOT-663 265兆 SOT-663 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 500 na @ 6 V 9.1 v 6欧姆
PMV37EN,215 NXP USA Inc. PMV37en,215 -
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ECAD 9564 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMV3 MOSFET (金属 o化物) SOT-23(TO-236AB) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3.1a(ta) 4.5V,10V 36mohm @ 3.1a,10v 2.5V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 330 pf @ 10 V - 380MW(TA)
BCX55,115 NXP USA Inc. BCX55,115 -
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ECAD 8695 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCX55 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
MRF7S16150HSR3 NXP USA Inc. MRF7S16150HSR3 -
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 1.6GHz〜1.66GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 32W 19.7db - 28 V
BTA206X-800CT/L01127 NXP USA Inc. BTA206X-800CT/L01127 0.3200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8541.30.0080 1
MRF8S9260HR5 NXP USA Inc. MRF8S9260HR5 -
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 960MHz ldmos NI-880H-2L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935317145178 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.7 a 75W 18.6dB - 28 V
BF1212R,215 NXP USA Inc. BF1212R,215 -
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ECAD 4180 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 6 V 表面安装 SOT-143R BF121 400MHz MOSFET SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 12 ma - 30dB 0.9dB 5 v
BUK9E4R4-80E,127 NXP USA Inc. BUK9E4R4-80E,127 -
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ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk9 MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 120A(TC) 5V,10V 4.2MOHM @ 25A,10V 2.1V @ 1mA 123 NC @ 5 V ±10V 17130 PF @ 25 V - 349W(TC)
BZX79-B68113 NXP USA Inc. BZX79-B68113 0.0200
RFQ
ECAD 7066 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.10.0050 10,000
PZM4.7NB,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB,115 -
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PZM4.7 300兆 SMT3; mpak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 1 V 4.7 v 80欧姆
BB179B,135 NXP USA Inc. BB179B,135 -
RFQ
ECAD 4045 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BB17 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934053250135 Ear99 8541.10.0070 10,000 2.25pf @ 28V,1MHz 单身的 32 v 10 C1/C28 -
PDTD123TK,115 NXP USA Inc. PDTD123TK,115 -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTD123 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 100 @ 50mA,5V 2.2 kohms
2PD1820AR/ZLX NXP USA Inc. 2PD1820AR/ZLX -
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 2PD18 SC-70 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934069199115 过时的 0000.00.0000 3,000
MRF19045LR5 NXP USA Inc. MRF19045LR5 -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-400 MRF19 1.93GHz ldmos NI-400-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 550 MA 9.5W 14.5db - 26 V
PUMD12/L135 NXP USA Inc. PUMD12/L135 0.0300
RFQ
ECAD 82 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
PHP119NQ06T,127 NXP USA Inc. PHP119NQ06T,127 -
RFQ
ECAD 8987 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP11 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 75A(TC) 10V 7.1MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 53 NC @ 10 V ±20V 2820 PF @ 25 V - 200W(TC)
BAS316,135 NXP USA Inc. BAS316,135 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAS31 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000
BT138-600D,127 NXP USA Inc. BT138-600D,127 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TO-220AB 下载 Ear99 8541.30.0080 704 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 600 v 12 a 1.5 v 95a,105a 5 ma
BTA312-800CT,127 NXP USA Inc. BTA312-800CT,127 -
RFQ
ECAD 8327 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TO-220AB 下载 Ear99 8541.30.0080 1 单身的 35 MA 标准 800 v 12 a 1 V 100a,110a 35 MA
BF512,235 NXP USA Inc. BF512,235 -
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 20 v 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BF512 100MHz JFET SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 933505290235 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30mA 5 ma - - 1.5dB 10 v
AFT27S006NT1 NXP USA Inc. AFT27S006NT1 11.5400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 表面安装 PLD-1.5W AFT27 2.17GHz ldmos PLD-1.5W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0095 1,000 - 70 MA 28.8dbm 22DB - 28 V
1PS184,135 NXP USA Inc. 1PS184,135 -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1PS18 标准 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 215ma(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
BZX84J-B11,115 NXP USA Inc. BZX84J-B11,115 -
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F BZX84J-B11 550兆 SOD-323F 下载 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 8 V 11 V 10欧姆
J5C145MU0/T0BC7DUP NXP USA Inc. J5C145MU0/T0BC7DUP -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 J5C145 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500
PVR100AD-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B2V5,115 -
RFQ
ECAD 5545 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PVR10 300兆 SC-74 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN + Zener - 160 @ 100mA,1V -
BZV55-B39,115 NXP USA Inc. BZV55-B39,115 -
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BZV55 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库