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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
PMPB15XN,115 NXP USA Inc. PMPB15XN,115 -
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ECAD 7078 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-UDFN 裸露焊盘 PMPB15 MOSFET(金属O化物) DFN2020MD-6 下载 0000.00.0000 1 N沟道 20V 7.3A(塔) 1.8V、4.5V 21毫欧@7.3A,4.5V 900mV@250μA 20.2nC@4.5V ±12V 1240pF@10V - 1.7W(Ta)、12.5W(Tc)
PDTC123JM,315 NXP USA Inc. PDTC123JM,315 0.0200
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ECAD 2672 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 PDTC123 250毫W DFN1006-3 下载 EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100毫安 1微安 NPN - 预偏置 100mV@250μA,5mA 100@10mA,5V 2.2欧姆 47欧姆
PHPT60606PY115 NXP USA Inc. PHPT60606PY115 -
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ECAD 7715 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,500人
BZX884-C20,315 NXP USA Inc. BZX884-C20,315 -
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ECAD 9492 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX884 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PBSS5320D,125 NXP USA Inc. PBSS5320D,125 0.0700
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ECAD 第345章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS5 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000
BUT12AX,127 NXP USA Inc. 但12AX,127 -
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ECAD 5754 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 但12 23W TO-220F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 450伏 8A 1毫安 NPN 1.5V@1A、5A 10 @ 1A,5V -
BZX84J-B43115 NXP USA Inc. BZX84J-B43115 -
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ECAD 6170 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
PBSS4032NX/DG/B2115 NXP USA Inc. PBSS4032NX/DG/B2115 0.2200
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,000
PMEG4002ELD/S500315 NXP USA Inc. PMEG4002ELD/S500315 0.0500
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ECAD 40 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 6,836
MRF8P20100HSR3,128 NXP USA Inc. MRF8P20100HSR3,128 1.0000
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ECAD 6904 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
MMRF1014NT1 NXP USA Inc. MMRF1014NT1 13.1400
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ECAD 927 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 68V 表面贴装 PLD-1.5 MMRF1014 1.96GHz LDMOS PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 50毫安 4W 18分贝 - 28V
BZV49-C36,115 NXP USA Inc. BZV49-C36,115 0.1800
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ECAD 38 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZV49 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,000
PMFPB8040XP,115 NXP USA Inc. PMFPB8040XP,115 0.1800
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ECAD 161 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-UFDFN 裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) 6-休森 (2x2) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 20V 2.7A(塔) 1.8V、4.5V 102毫欧@2.7A,4.5V 1V@250μA 8.6nC@4.5V ±12V 550pF@10V 肖特基分散(隔离) 485mW(Ta),6.25W(Tc)
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. PBRN113ZK,115 -
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ECAD 8188 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PBRN113 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 40V 600毫安 500纳安 NPN - 预偏置 1.15V@8mA,800mA 500@300mA,5V 1欧姆 10欧姆
MRFE6S9160HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9160HSR5 -
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ECAD 4154 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 安装结构 NI-780S MRFE6 880兆赫 LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.2A 35W 21分贝 - 28V
BZV55-C8V2,135 NXP USA Inc. BZV55-C8V2,135 0.0200
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ECAD 第430章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W LLDS;迷你梅尔夫 下载 EAR99 8541.10.0050 1 900毫伏@10毫安 700nA@5V 8.2V 15欧姆
1PS181,135 NXP USA Inc. 1PS181,135 -
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ECAD 6188 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1PS18 标准 SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 10,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 80V 215毫安(直流) 1.2V@100mA 4纳秒 80V时为500nA 150℃(最高)
BZX79-C39,113 NXP USA Inc. BZX79-C39,113 0.0200
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ECAD 218 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PN2222A,116 NXP USA Inc. PN2222A,116 -
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ECAD 4478 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PN22 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 40V 600毫安 10nA(ICBO) NPN 1V@50mA、500mA 100@150mA,10V 300兆赫
BZV85-C11,113 NXP USA Inc. BZV85-C11,113 0.0300
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ECAD 67 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1.3W DO-41 下载 EAR99 8541.10.0050 1 1V@50mA 7.7V时为200nA 11伏 10欧姆
BFR92A,215 NXP USA Inc. BFR92A,215 -
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ECAD 3100 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFR92 300毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25毫安 NPN 65@15mA,10V 5GHz 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
PBLS1501Y,115 NXP USA Inc. PBLS1501Y,115 -
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ECAD 6931 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBLS15 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BC847BT,115 NXP USA Inc. BC847BT,115 -
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ECAD 7937 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 BC84 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 400毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
BZX79-B51,133 NXP USA Inc. BZX79-B51,133 0.0200
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ECAD 83 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BZX79 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000
PDTD143ET235 NXP USA Inc. PDTD143ET235 -
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ECAD 9597 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 10,000
BZX884-C2V7315 NXP USA Inc. BZX884-C2V7315 -
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ECAD 8011 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-882 250毫W DFN1006-2 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 9,450 900毫伏@10毫安 1V时为20μA 2.7V 100欧姆
MRF5S21090HR3 NXP USA Inc. MRF5S21090HR3 -
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ECAD 9840 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF5 2.11GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 250 - 850毫安 19W 14.5分贝 - 28V
BAT54CW,115 NXP USA Inc. BAT54CW,115 0.0200
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ECAD 711 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 电池组54 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000
AFT05MS006NT1 NXP USA Inc. AFT05MS006NT1 4.9100
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 30V 表面贴装 PLD-1.5W AF05 520兆赫 LDMOS PLD-1.5W 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 100毫安 6W 18.3分贝 - 7.5V
BUK9510-55A,127 NXP USA Inc. BUK9510-55A,127 -
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ECAD 2320 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 9毫欧@25A,10V 2V@1mA 68nC@5V ±15V 4307pF@25V - 200W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库