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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
MRFG35010ANT1 NXP USA Inc. MRFG35010ANT1 -
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ECAD 4780 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V 表面贴装 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 - 130毫安 9W 10分贝 - 12V
BYC8-600,127 NXP USA Inc. BYC8-600,127 0.3800
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ECAD 14 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BYC8 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. AFT05MS031GNR1 14.5100
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ECAD 3996 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 40V 表面贴装 TO-270BA AF05 520兆赫 LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 500 - 10毫安 31W 17.7分贝 - 13.6V
PBSS2515M3145 NXP USA Inc. PBSS2515M3145 1.0000
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ECAD 6634 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1
MRF6V12500HR5 NXP USA Inc. MRF6V12500HR5 623.6300
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ECAD 205 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 110V 安装结构 SOT-957A MRF6V12500 1.03GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 200毫安 500W 19.7分贝 - 50V
PMDXB950UPEL147 NXP USA Inc. PMDXB950UPEL147 -
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ECAD 9746 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 5,000
BAS40-05/ZLVL NXP USA Inc. BAS40-05/ZLVL -
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ECAD 5743 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 (TO-236AB) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 1对共轴线 40V 120毫安(直流) 1V@40mA 40V时为10μA 150℃(最高)
PMEG3005AEA/ZL115 NXP USA Inc. PMEG3005AEA/ZL115 -
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ECAD 6451 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 聚B二醇3005 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 3,000
PRF949,115 NXP USA Inc. PRF949,115 -
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ECAD 1810 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PRF94 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 10V 50毫安 NPN 100 @ 5mA,6V 9GHz 1.5dB~2.5dB@1GHz
BLF6G20-230P NXP USA Inc. BLF6G20-230P -
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ECAD 4878 0.00000000 恩智浦 - 过时的 65V 安装结构 SOT-502A BLF6 1.8GHz LDMOS LDMOST - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 Q3815228 EAR99 8541.29.0075 200 5微安 2A 50W 16.5分贝 - 28V
BZX84-B27/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B27/DG/B3215 0.0700
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ECAD 9620 0.00000000 恩智浦 BZX84 大部分 的积极 ±2% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 400 900毫伏@10毫安 50nA@50V 27V 80欧姆
MRF6S9125MR1 NXP USA Inc. MRF6S9125MR1 -
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ECAD 6367 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V TO-270-4 MRF6 880兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 950毫安 27W 20.2分贝 - 28V
BC517,116 NXP USA Inc. BC517,116 -
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ECAD 7430 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC51 625毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 30V 500毫安 100nA(ICBO) NPN-达林顿 1V@100μA,100mA 30000@20mA,2V 220兆赫
BLA1011-2,112 NXP USA Inc. BLA1011-2,112 86.6700
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ECAD 55 0.00000000 恩智浦 * 托盘 的积极 BLA1 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 160
PSMN011-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN011-30YL,115 -
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ECAD 第1492章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PSMN0 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 30V 51A(Tj) 4.5V、10V 10.7毫欧@15A,10V 2.15V@1mA 14.8nC@10V ±20V 726pF@15V - 49W(温度)
ON5452,518 NXP USA Inc. ON5452,518 -
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ECAD 2217 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - ON5452 - - - - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 934063298518 EAR99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
MRF5S21045NR1 NXP USA Inc. MRF5S21045NR1 -
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ECAD 第1347章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 表面贴装 TO-270AB MRF5 2.12GHz LDMOS TO-270 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 500毫安 10W 14.5分贝 - 28V
BF821,215 NXP USA Inc. BF821,215 -
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ECAD 7876 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BF821 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PMN25EN,115 NXP USA Inc. PMN25EN,115 -
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ECAD 8906 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞2 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 6.2A(塔) 4.5V、10V 23毫欧@6.2A,10V 2.5V@250μA 11nC@10V ±20V 492pF@15V - 540mW(Ta),6.25W(Tc)
BC847BW/MI115 NXP USA Inc. BC847BW/MI115 0.0200
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ECAD 第732章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BTA204-600B,127 NXP USA Inc. BTA204-600B,127 0.2300
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ECAD 5 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BTA20 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.30.0080 1,000
ON5421,127 NXP USA Inc. ON5421,127 -
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ECAD 8402 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 通孔 TO-220-3 ON54 - - TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934060114127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
PZU11B3A115 NXP USA Inc. PZU11B3A115 0.0300
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ECAD 30 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.10.0050 1
BAV170235 NXP USA Inc. BAV170235 1.0000
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ECAD 4641 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 1
PHN210,118 NXP USA Inc. PHN210,118 -
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ECAD 1226 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PHN210 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 2 个 N 沟道(双) 30V - 100毫欧@2.2A,10V 2.8V@1mA 6nC@10V 250pF@20V 逻辑电平门
PDZ5.6B145 NXP USA Inc. PDZ5.6B145 0.0200
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ECAD 5046 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0050 12,807
PBRP113ZS,126 NXP USA Inc. PBRP113ZS,126 -
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ECAD 3665 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRP113 500毫W TO-92-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 800毫安 - PNP - 预偏置 - - 1欧姆 10欧姆
BUK9K89-100E,115 NXP USA Inc. BUK9K89-100E,115 1.0000
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ECAD 6523 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛洼9K89 MOSFET(金属O化物) 38W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 100V 12.5A 85毫欧@5A,10V 2.1V@1mA 16.8nC@10V 1108pF@25V 逻辑电平门
PMR290XN,115 NXP USA Inc. PMR290XN,115 -
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ECAD 第1678章 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 PMR2 MOSFET(金属O化物) SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 20V 970mA(温度) 2.5V、4.5V 350mOhm@200mA,4.5V 1.5V@250μA 0.72nC@4.5V ±12V 34pF@20V - 530mW(温度)
PHP225NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP225NQ04T,127 -
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ECAD 2195 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP22 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 75A(温度) 10V 3.1毫欧@25A,10V 4V@1mA 94nC@10V ±20V 5100pF@25V - 300W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库